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標(biāo)簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊，功率模塊的作用用很多，比如：空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分，那作用就是做放大的。如果是在電源，就是做穩(wěn)壓的。
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與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量，其熱測試評估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模...
本文介紹了有哪些功率模塊封裝工藝。 功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場上主要分為三種形式，每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場景。以下是這三種封...
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
氮化硅（Si3N4） 基板在各項(xiàng)性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅(qū)動逆變器中的應(yīng)用。
適用于三相電機(jī)驅(qū)動的智能功率模塊設(shè)計實(shí)用指南
本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計提供實(shí)用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機(jī)驅(qū)動，包含三相變頻段、柵極驅(qū)動器等。
2024-03-17 標(biāo)簽：變頻器電機(jī)驅(qū)動晶體管 2.9k 0
變頻空調(diào)應(yīng)用中DIPIPM的健康管理
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-05-29 標(biāo)簽：變頻空調(diào)電路設(shè)計三菱電機(jī) 2.9k 0
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案
為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...
車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技術(shù)，結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝...
2026-01-23 標(biāo)簽：MOSFET功率模塊基本半導(dǎo)體 2.8k 0
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...
小功率便攜儲能(200W~600W)的主功率變換器拓?fù)浼軜?gòu)如下圖所示。電池充電與電池放電采用獨(dú)立模塊實(shí)現(xiàn)，能量在開關(guān)變換器中只能單向流動。
雙面散熱功率模塊的現(xiàn)狀和設(shè)計挑戰(zhàn)
隨著電動汽車的快速發(fā)展，車用電機(jī)控制器得到廣泛的關(guān)注。車用電機(jī)控制器管理電池和電機(jī)之間的能量流，是電動汽車的心臟。除動力電池外，車用電機(jī)控制器的功率模塊...
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件，IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱，可能會導(dǎo)致?lián)p壞，影響設(shè)備的性能、壽命甚至引...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價值占比較高的重要部件，車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...
2023-07-06 標(biāo)簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 2.6k 0
微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式?；谡婵掌骷墓β史糯笃鳎谲娛卵b備的發(fā)展史上扮演過重要角色，而且由于其功率與效率的優(yōu)勢，現(xiàn)在仍廣泛應(yīng)用于雷...
在IGBT功率模塊的動態(tài)測試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測試夾具的layout...
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