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功率模塊

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功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊，功率模塊的作用用很多，比如：空調上作用就是變頻用的。如果在音頻部分，那作用就是做放大的。如果是在電源，就是做穩(wěn)壓的。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) 功率模塊選型

功率模塊技術

引起IGBT失效的原因有幾種

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具...

2023-01-13 標簽：IGBT 功率模塊 2.8k 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標簽：IGBT 功率模塊碳化硅 2.8k 0

三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內部結構，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部...

2025-01-22 標簽：MOSFET 三菱電機 SiC 2.8k 0

智能功率模塊IPM的結溫評估

IPM模塊是電機驅動變頻器的最重要的功率器件，近些年隨著IPM模塊的小型化使模塊Rth（j-c）變大，從而對溫升帶來了越來越多的挑戰(zhàn)。

2021-08-10 標簽：英飛凌功率模塊 IPM 2.7k 0

基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動汽車驅動控制器中，逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉化的關鍵部件，用于電機的驅動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標簽：電動汽車控制器晶體管 2.7k 0

碳化硅功率模塊的建模和驗證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導通電阻之比是由...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 2.6k 0

新能源汽車功率模塊的“散熱神器”——AMB基板

新能源汽車以其零排放、低噪音、高效率等優(yōu)點，正逐漸成為傳統(tǒng)燃油汽車的有力替代品。功率模塊是新能源汽車電機控制器、充電樁等核心部件的重要組成部分，其負責電...

2024-03-19 標簽：新能源汽車功率模塊 AMB 2.6k 0

功率模塊封裝工藝

功率模塊封裝工藝典型的功率模塊封裝工藝在市場上主要分為三種形式，每種形式都有其獨特的特點和適用場景。以下是這三種封裝工藝的詳細概述及分點說明：常見功...

2024-12-06 標簽：封裝功率模塊 2.6k 0

功率模塊與功率集成電路的區(qū)別

功率模塊（Power Module）與功率集成電路（Power Integrated Circuit, PIC）在電子領域中都扮演著重要角色，但它們在結...

2024-08-08 標簽：晶體管功率模塊功率集成電路 2.6k 0

主功率模塊架構分析與驅動IC選型錦囊

小功率便攜儲能(200W~600W)的主功率變換器拓撲架構如下圖所示。電池充電與電池放電采用獨立模塊實現(xiàn)，能量在開關變換器中只能單向流動。

2023-05-12 標簽：變換器 DC-DC AC-DC 2.6k 0

DIPIPM失效解析報告解讀及失效樹分析

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...

2023-11-29 標簽：半導體三菱電機功率模塊 2.5k 0

IGBT功率模塊的開關特性有哪些呢？

IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。

2023-09-22 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 2.4k 0

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...

2023-02-10 標簽：開關 MOSFET IGBT 2.4k 0

SiC功率模塊封裝技術及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優(yōu)化和技術創(chuàng)新，包括鍵合...

2023-01-07 標簽：MOSFET 封裝封裝技術 2.4k 0

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了...

2024-11-14 標簽：二極管 IGBT 三菱電機 2.4k 0

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 標簽：MOSFET 封裝技術 SiC 2.4k 0

適用于三相電機驅動的智能功率模塊設計實用指南

本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設計提供實用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅動，包含三相變頻段、柵極驅動器等。

2024-03-17 標簽：變頻器電機驅動晶體管 2.3k 0

影響IGBT功率模塊散熱的因素

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳...

2024-07-26 標簽：IGBT 晶體管功率模塊 2.3k 0

雙面散熱功率模塊的現(xiàn)狀和設計挑戰(zhàn)

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英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊（1200V/400A），針對混合動力和電動汽...

2025-02-20 標簽：英飛凌 MOSFET 功率模塊 2.3k 1

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