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標(biāo)簽 > 功率芯片
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意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓,將用于功率器件原型設(shè)計(jì)
碳化硅(SiC)晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中,這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙(WBG)材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書,適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。
2022-12-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 959 0
深度解析車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
計(jì)算及控制芯片以微控制器和邏輯Ic為主,主要用于計(jì)算分析及決策;功率芯片主要對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制;傳感器芯片主要負(fù)責(zé)感應(yīng)汽車運(yùn)行工況,將非電學(xué)...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)
柵極電壓。上升過程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí),P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高; 漏極電壓下...
氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...
車規(guī)級(jí)SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展
隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求,SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來前所未有的增速。
2023-11-07 標(biāo)簽:新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體 605 0
新型SIC功率芯片:性能飛躍,引領(lǐng)未來電力電子!
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能要求日益提高。碳化硅(Silicon Carbide,簡(jiǎn)稱SiC)作為一種第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶...
2025-03-27 標(biāo)簽:芯片封裝功率芯片半導(dǎo)體設(shè)備 363 0
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