東芝與羅姆投資27億美元聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片

近日，據(jù)路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。

2023-12-14 標(biāo)簽：電動汽車碳化硅硅芯片 882 0

納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

2023-02-06 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片 873 0

東芝攜手羅姆共同投資191億元，共同生產(chǎn)功率芯片

日本東芝（Toshiba）集團與芯片制造商羅姆半導(dǎo)體集團（Rohm）近日宣布將共同生產(chǎn)功率芯片，總投資額達3883億日元（約人民幣191億元），這一舉措...

2023-12-12 標(biāo)簽：東芝羅姆功率芯片 870 0

納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力

2024-03-15 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵碳化硅 819 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化鎵功率芯片

近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源...

2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 780 0

比亞迪推出全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片

在3月17日的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上，比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺，推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片，核心三電全維升級，搭配全球首...

2025-03-24 標(biāo)簽：比亞迪SiC碳化硅 750 0

惠科Mini-LED項目和高功率芯片散熱封測項目落戶綿陽

近日，綿陽市與惠科股份有限公司共同簽署了項目投資協(xié)議，標(biāo)志著總投資100億元的惠科Mini-LED項目和高功率芯片散熱封測項目正式落戶綿陽。

2024-10-22 標(biāo)簽：led液晶面板功率芯片 743 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案

氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。

2023-04-25 標(biāo)簽：氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 727 0

全球大廠帶節(jié)奏，日本功率半導(dǎo)體市場承受壓力

近日，日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝，聯(lián)合發(fā)布聲明，計劃進行一項巨額投資。

2023-12-21 標(biāo)簽：SiCGaN存儲芯片 520 0

初步了解納微雙向氮化鎵開關(guān)

似乎我們的所有設(shè)備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒有想過，有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時，將儲存的電能反向輸送。

2025-04-15 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 438 0