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標簽 > 功率芯片
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鴻海富士康集團進軍半導體市場企圖心明顯,鴻海集團總裁郭臺銘也證實,半導體一定要自己做,除了在珠海的半導體投資案之外,最新的投資案又曝光,將計劃在濟南市設...
重慶郵電大學研發(fā)第三代半導體功率芯片成功 已進入試用階段
原標題:重慶郵電大學:研發(fā)重郵芯 助推重慶集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 來源:重慶日報 DMB是一種數(shù)據(jù)傳播技術(shù),可廣泛應用于無線多媒體信息傳播。在這一領(lǐng)域,重慶郵...
協(xié)昌科技沖刺創(chuàng)業(yè)板 自研自用成亮點
英唐智控意在戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,和而泰意在5G芯片領(lǐng)域分得一杯羹,兩者都已經(jīng)在主板上市;而協(xié)昌科技在構(gòu)建“上游功率芯片+下游運動控制產(chǎn)品”協(xié)同發(fā)展的業(yè)務體系,業(yè)務...
芯片作為現(xiàn)代智能化時代的基礎(chǔ),對于國家的科技水平以及未來的發(fā)展是至關(guān)重要的,現(xiàn)在的手機、電腦、智能電器等產(chǎn)品都要使用芯片,而國產(chǎn)芯片也越來越普遍化,種類...
嘉興斯達微電子20億投資項目即將投用,新增建筑面積20.6萬平米
該項目坐落于嘉興南湖區(qū),投資總額達到20億元人民幣,占地總面積279畝,擬新建建筑20.6萬平方米,包括生產(chǎn)廠房、動力樓以及危險化學品儲藏室等設施,同時...
泰科天潤項目:力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)
據(jù)長沙晚報報道,位于湖南瀏陽經(jīng)開區(qū)(高新區(qū))的泰科天潤項目,力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)。 據(jù)報道,如今90%的生產(chǎn)設備已到位,大部分設備處于...
12月11日,在順德舉行的家電科技學術(shù)年會上,中國科學院微電子研究所主任王云說,國內(nèi)家電行業(yè)芯片市場約500億元,本土化配套率僅5%。中國家電業(yè)亟需補上...
納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V,實現(xiàn)更高效率和可靠性
圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169...
深入分析國產(chǎn)車規(guī)級芯片的產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
根據(jù)功能劃分,車規(guī)級芯片主要分為四類:計算及控制芯片、功率芯片、傳感器芯片及其他芯片。計算及控制芯片以微控制器和邏輯 IC 為主,主要用于計算分析及決策。
小米納微三度攜手,小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布!
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器,采用了納微半導體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝,并且采用...
納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片,GaNSense新技術(shù)登場
增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護,為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
功率芯片焊盤上放多少個散熱過孔才算是最優(yōu)?計算告訴你答案-電路設計知識點
Part 01 前言 PCB常規(guī)的FR4材料的熱導率較低(通常約為 0.3~0.4 W/m·K),這使得它在大功率電路應用中不利于功率芯片熱量的快速散發(fā)...
2025年3月17日,比亞迪集團執(zhí)行副總裁廉玉波正式宣布,比亞迪發(fā)布了其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級碳化硅(SiC)功率芯片 。這項技術(shù)突破被強調(diào)...
美的集團旗下美仁芯片開始量產(chǎn) 中科昊芯榮獲卓越表現(xiàn)企業(yè)大獎
美仁芯片研發(fā)團隊平均擁有十五年以上的半導體行業(yè)經(jīng)驗,其創(chuàng)始人工作履歷足夠華麗,既擁有世界著名學府的教育經(jīng)歷,同時在世界頂級半導體公司服役了相當長時間。美...
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以...
納微半導體宣布全球首個氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導體技術(shù),其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場效應管...
納微半導體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車載充電機(OBC)和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
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