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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體制造

半導(dǎo)體制造

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半導(dǎo)體制造,是用于制造半導(dǎo)體器件的過程,通常是日常電氣和電子設(shè)備中使用的集成電路(IC)芯片中使用的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)器件。

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半導(dǎo)體制造技術(shù)

光阻的基礎(chǔ)知識(shí)

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本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理,并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻(Photoresist,PR)的...

2025-02-13 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體制造 2.9k 0

聚焦離子束技術(shù):納米的精準(zhǔn)操控與廣闊應(yīng)用

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納米的精準(zhǔn)尺度聚焦離子束技術(shù)的核心機(jī)制在于利用高能離子源產(chǎn)生離子束,并借助電磁透鏡系統(tǒng),將離子束精準(zhǔn)聚焦至微米級(jí)乃至納米級(jí)的極小區(qū)域。當(dāng)離子束與樣品表面...

2025-02-11 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體制造離子束 527 0

臺(tái)灣精銳APEX減速機(jī)在半導(dǎo)體制造設(shè)備中的應(yīng)用案例

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半導(dǎo)體制造設(shè)備對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)的精度、可靠性和穩(wěn)定性要求極高,臺(tái)灣精銳APEX減速機(jī)憑借其低背隙、高精度和高剛性等優(yōu)勢(shì),在半導(dǎo)體制造設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。

2025-02-06 標(biāo)簽:晶圓減速機(jī)半導(dǎo)體制造 504 0

半導(dǎo)體設(shè)備為什么要安裝防震裝置?

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半導(dǎo)體設(shè)備安裝防震裝置主要有以下幾方面原因:一、高精度加工要求1,光刻工藝(1)光刻是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵步驟,其精度要求極高。例如,在芯片制造中,光刻設(shè)備...

2025-02-05 標(biāo)簽:裝置半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備 663 0

半導(dǎo)體制造潔凈室防微振基座foundation之技術(shù)介紹

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按照《廠房樓蓋抗微振設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50190-93及《電子工業(yè)防微振工程技術(shù)規(guī)范》 GB 51076-2015相關(guān)要求,梳理相關(guān)結(jié)構(gòu)防微振措施,

2025-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造基座 2.1k 0

半導(dǎo)體制造里的ALD工藝:比“精”更“精”!

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在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域,每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積(Atomic Layer Deposition,簡稱AL...

2025-01-20 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體制造晶圓制造 3.5k 0

全自動(dòng)晶圓劃片機(jī)的應(yīng)用產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

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全自動(dòng)晶圓劃片機(jī)作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備,其應(yīng)用產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:一、高精度與穩(wěn)定性1.微米級(jí)甚至納米級(jí)劃片精度:全自動(dòng)晶圓劃片機(jī)采用先...

2025-01-02 標(biāo)簽:晶圓劃片機(jī)半導(dǎo)體制造 577 0

無塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)

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半導(dǎo)體制造設(shè)備對(duì)振動(dòng)極為敏感,不同的設(shè)備及工藝對(duì)振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)要求也有所不同。一般來說,無塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)主要從振動(dòng)頻率、振幅等方面進(jìn)行考量: ...

2025-01-02 標(biāo)簽:振動(dòng)半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備 1.7k 0

如何降低半導(dǎo)體制造無塵車間設(shè)備振動(dòng)問題的影響?

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要降低無塵車間設(shè)備振動(dòng)問題的影響,需要從設(shè)備選型與安裝、振動(dòng)監(jiān)測(cè)與控制、車間環(huán)境管理等方面綜合采取措施,以下是具體方法:

2025-01-02 標(biāo)簽:振動(dòng)半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備 1.6k 0

如何有效解決無塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備周邊環(huán)境的振動(dòng)源

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要有效解決無塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備周邊環(huán)境的振動(dòng)源,需要從振動(dòng)源的識(shí)別與評(píng)估、主動(dòng)控制、被動(dòng)隔振、日常監(jiān)測(cè)與維護(hù)等方面入手,以下是具體措施:

2024-12-31 標(biāo)簽:制造設(shè)備半導(dǎo)體制造 658 0

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2024-12-26 標(biāo)簽:測(cè)試半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 860 0

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  • MRAM
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    MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
  • 任正非
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    任正非是華為技術(shù)有限公司主要?jiǎng)?chuàng)始人、總裁。
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