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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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igbt測(cè)量好壞方法萬(wàn)用表 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件,可用于各種電氣設(shè)備...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...
2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 4891 0
佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF?※1半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級(jí)配件包(以下簡(jiǎn)稱“Grade10”升級(jí)包)。...
2022-06-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體佳能半導(dǎo)體器件 4655 0
晶閘管的控制角和電壓的關(guān)系是怎樣的? 晶閘管是一種電力控制元件,廣泛應(yīng)用于交流和直流電路中。它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流和電壓的控制,是電力電子學(xué)領(lǐng)域的重要組成部分...
2023-09-13 標(biāo)簽:晶閘管交流電源半導(dǎo)體器件 4647 0
國(guó)產(chǎn)電推進(jìn)系統(tǒng)的發(fā)展歷程
那么,電推進(jìn)系統(tǒng)的基本原理是什么,目前中國(guó)的電推進(jìn)技術(shù)發(fā)展處于怎樣的階段?相比于傳統(tǒng)的化學(xué)推進(jìn),電推進(jìn)有何長(zhǎng)處?稀有氣體與半導(dǎo)體器件在整個(gè)電推進(jìn)系統(tǒng)中分...
2021-03-30 標(biāo)簽:太陽(yáng)能半導(dǎo)體器件推進(jìn)器 4599 0
第三代半導(dǎo)體器件和集成電路未來(lái)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
在目前的中美貿(mào)易摩擦下,電子產(chǎn)業(yè)首當(dāng)其沖,特別是芯片產(chǎn)業(yè),據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,現(xiàn)在跟美國(guó)的公司交易,周期一般都特別長(zhǎng),而且基本都需要提前付款和面臨各種各樣的審查。
2020-09-08 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體器件 4345 0
國(guó)產(chǎn)SiC MOS又添新軍,性能媲美國(guó)際大廠
據(jù)介紹,他們的新一代產(chǎn)品是基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā),主要有4款新產(chǎn)品(K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3...
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 4340 0
概倫電子旗下兩款業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件測(cè)試產(chǎn)品:9812DX 、FS-Pro
在這次產(chǎn)品升級(jí)中,9812DX 無(wú)縫集成了 FS-Pro 團(tuán)隊(duì)提供的智能供電測(cè)試單元(SMU),提供了從直流參數(shù)到噪聲特性的完整測(cè)量解決方案,用戶不再需...
2020-07-15 標(biāo)簽:eda半導(dǎo)體器件集成電路設(shè)計(jì) 4310 0
通過(guò)投票決定對(duì)某些半導(dǎo)體器件,集成電路和含有該器件的消費(fèi)產(chǎn)品啟動(dòng)337調(diào)查
美國(guó)ITC經(jīng)過(guò)投票,目前已經(jīng)啟動(dòng)了此次的337調(diào)查(337-TA-1149),不過(guò)尚未對(duì)案件的案情作出任何決定。ITC的首席行政法法官將該案件分配給其中...
2019-04-03 標(biāo)簽:集成電路封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 4267 0
柵源短接的MOS管相當(dāng)于什么 柵源短接的MOS管是一種特殊類型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管,被廣泛應(yīng)用于電子電路中。柵源短接的MOS管常用于功率放大器、開(kāi)關(guān)等應(yīng)用中...
2023-09-02 標(biāo)簽:功率放大器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4205 0
盤點(diǎn)國(guó)外那些IGBT標(biāo)桿產(chǎn)品
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子以及航空航天、國(guó)防軍工等產(chǎn)業(yè)...
2021-10-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 4156 0
IGBT走虛擬IDM之路:設(shè)計(jì)與加工是分離還是統(tǒng)一?
目前我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...
2012-02-16 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件芯片工藝 4125 0
為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會(huì)變厚呢?
為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會(huì)變厚呢? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本和最常用的一種器件,具有正向?qū)ê头聪蚪刂沟奶匦?。如果將PN結(jié)的兩端施加正向電壓...
2023-10-19 標(biāo)簽:PN結(jié)半導(dǎo)體器件 4118 1
DIP是英文DoubleIn-linePackage的縮寫(xiě),即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最...
2022-09-20 標(biāo)簽:電子元器件封裝半導(dǎo)體器件 4061 0
半導(dǎo)體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通而產(chǎn)生功率損耗。開(kāi)關(guān)損耗發(fā)生在結(jié)的通斷狀態(tài)之間的間隔期間,此時(shí)器件端子上既有電壓又有電流流過(guò)。傳導(dǎo)...
2022-04-21 標(biāo)簽:電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開(kāi)關(guān)損耗 4059 0
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一...
2012-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件超高壓 4027 0
2022-04-21 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件FD-SOI技術(shù) 3916 0
占比最大的半導(dǎo)體出口關(guān)稅究竟有何變化呢?
對(duì)半導(dǎo)體器件最關(guān)鍵的硅材料皆從4%的基準(zhǔn)稅率朝零關(guān)稅發(fā)展,而電子工業(yè)用直徑在7.5厘米到30厘米范圍內(nèi)的單晶硅棒只會(huì)降至3%的稅率。對(duì)半導(dǎo)體器件封裝材料...
2020-11-30 標(biāo)簽:單晶硅半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體市場(chǎng) 3885 0
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國(guó)際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (...
2022-05-23 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件Nexperia 3857 0
元器件損壞的原因主要有兩個(gè) 元器件在電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品中起著關(guān)鍵的作用,但在使用過(guò)程中也容易受到損壞,導(dǎo)致設(shè)備或產(chǎn)品無(wú)法正常工作。元器件損壞的原因可以分...
2023-08-29 標(biāo)簽:升壓電源電解電容半導(dǎo)體器件 3755 0
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