淺談半導(dǎo)體器件封裝標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC 制定的 JEP 95 《 JEDEC 注冊(cè)外形圖》標(biāo)淮與 IEC SC47D 發(fā)布的標(biāo)淮異曲同工，只不過其外形標(biāo)淮是由其會(huì)員公司提出的。

2023-06-30 標(biāo)簽：封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 2172 0

SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟加入SEMI，成為策略合作伙伴

SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命，加速SOI行業(yè)的發(fā)展，并為成員帶來新的商機(jī)。

2021-01-14 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件醫(yī)療技術(shù) 2159 0

射頻集成電路半導(dǎo)體器件技術(shù)

文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。

2011-06-29 標(biāo)簽：射頻集成電路半導(dǎo)體器件 2146 0

5G基站給電源設(shè)計(jì)者帶來什么新挑戰(zhàn)

5G基站作為新基建重點(diǎn)建設(shè)的產(chǎn)業(yè)之一，意味著國(guó)家接下來會(huì)投入大量資金加速5G基站建設(shè)。 自從國(guó)內(nèi)5G正式宣布商用后，5G基站的身影就不斷地出現(xiàn)在越來越多...

2020-09-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源IGBT半導(dǎo)體器件 2130 0

全球?qū)Π雽?dǎo)體器件的需求也明顯增加 預(yù)計(jì)今年出貨量再次超過1萬億件

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在智能手機(jī)、智能手表等各種電子產(chǎn)品和智能產(chǎn)品需求越來越高的推動(dòng)下，全球?qū)Π雽?dǎo)體器件的需求也明顯增加，外媒預(yù)計(jì)，明年全球半導(dǎo)體元器件的出貨...

2020-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件 2127 0

恩智浦半導(dǎo)體物理不可克隆功能技術(shù)保障個(gè)人芯片數(shù)據(jù)被竊

恩智浦半導(dǎo)體智能識(shí)別事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Ruediger Stroh指出:「雖然使用智能卡或是使用NFC手機(jī)內(nèi)的智能卡功能，在世界各地越來越流行...

2018-04-09 標(biāo)簽：恩智浦nfc半導(dǎo)體器件 2117 0

常見場(chǎng)效應(yīng)管類型 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

場(chǎng)效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管的主要類型有結(jié)...

2024-12-09 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管金屬半導(dǎo)體器件 2046 0

碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...

2024-11-25 標(biāo)簽：SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1983 0

朝微電子實(shí)現(xiàn)逾百項(xiàng)半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)化

在此背景下，作為一家為軍工集團(tuán)、科研院所提供半導(dǎo)體分立器件和電源的公司，朝陽微電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“朝微電子”）為升級(jí)分立器件/集成電路生產(chǎn)線，朝...

2020-12-03 標(biāo)簽：集成電路ipo半導(dǎo)體器件 1975 0

為什么同樣型號(hào)的二極管測(cè)量的正向電壓越小性能越好？

為什么同樣型號(hào)的二極管測(cè)量的正向電壓越小性能越好？? 二極管是一種具有電流控制特性的半導(dǎo)體器件，常用于電路中的整流、穩(wěn)壓等應(yīng)用。二極管的正向電壓是指器件...

2023-10-18 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體器件漏電流 1970 0

Keithley S540功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)

為提供生產(chǎn)級(jí)性能，S540可以在最多48針上執(zhí)行參數(shù)測(cè)量，而不用改變電纜或探頭插件設(shè)施。它還可以執(zhí)行高達(dá)3kV的晶體管電容測(cè)量。

2016-11-03 標(biāo)簽：測(cè)試測(cè)量半導(dǎo)體器件S540 1942 0

點(diǎn)接觸型二極管結(jié)電容小為什么適用高頻電路？

點(diǎn)接觸型二極管結(jié)電容小，為什么適用高頻電路？面接觸型二極管結(jié)電容大為什么適用低頻？ 二極管是一種半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娦?。它通常由p型和n型半導(dǎo)體材料...

2023-10-19 標(biāo)簽：二極管高頻電路半導(dǎo)體器件 1934 0

常見二極管類型及參數(shù)

二極管是一種半導(dǎo)體器件，其主要特性是單向?qū)щ娦?，即只允許電流從正極流向負(fù)極，而不允許從負(fù)極流向正極。以下是一些常見的二極管類型及其參數(shù)的簡(jiǎn)要介紹： 1....

2025-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體器件單向?qū)щ娦?/a> 1915 0

為什么只有共源級(jí)有密勒效應(yīng)，而共柵級(jí)、共漏級(jí)沒有密勒效應(yīng)？

為什么只有共源級(jí)有密勒效應(yīng)，而共柵級(jí)、共漏級(jí)沒有密勒效應(yīng)？ 密勒效應(yīng)是指在半導(dǎo)體器件中，頻率越高時(shí)電路增益越低的現(xiàn)象。 該現(xiàn)象是由于半導(dǎo)體器件電容的存在...

2023-09-21 標(biāo)簽：控制電路晶體管半導(dǎo)體器件 1914 0

朝微電子的營(yíng)收保持連續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)

對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，航空航天領(lǐng)域的門檻很高，這也讓朝微電子享受了這個(gè)領(lǐng)域發(fā)展的紅利。目前，航空航天主要掌握在科研機(jī)構(gòu)和軍工集團(tuán)下屬單位，隨著國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域?qū)?..

2020-12-04 標(biāo)簽：產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體器件 1792 0

國(guó)內(nèi)廠商如何下好連接器市場(chǎng)這盤棋

作為電子產(chǎn)品中不可缺少的零部件產(chǎn)品，連接器在電子產(chǎn)品功能多樣化、設(shè)計(jì)模塊化的今天發(fā)揮著越來越重要的作用。全球主要的連接器市場(chǎng)仍被國(guó)際龍頭們?nèi)缣┛齐娮?、?..

2016-10-27 標(biāo)簽：汽車電子連接器半導(dǎo)體器件 1769 0

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí)，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。

2020-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 1758 0