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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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霍爾效應(yīng)是一種電磁現(xiàn)象,當(dāng)導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料置于垂直于電流方向的磁場中時,會在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生電壓差,這個電壓差稱為霍爾電壓。 一、霍爾效應(yīng)的...
2024-10-15 標(biāo)簽:磁場半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng) 4.4k 0
霍爾電流傳感器和羅氏線圈(Rogowski Coil)是兩種常用的電流測量裝置,它們在工業(yè)、電力和電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將介紹這兩種傳感器的原理、...
2024-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)羅氏線圈 4.4k 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨特的優(yōu)勢,應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較: 氮化鎵(GaN)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.3k 0
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 4.2k 0
熱敏電阻是一種利用電阻隨溫度變化的特性來測量溫度的傳感器。它們廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中,用于溫度監(jiān)測、控制和補(bǔ)償。熱敏電阻主要有三種類型:負(fù)溫度系...
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使...
2024-08-08 標(biāo)簽:晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 4.2k 0
Vivo是一家知名的中國智能手機(jī)制造商,其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區(qū)別。本文章將介紹這些區(qū)別,內(nèi)容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...
2024-01-10 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.2k 0
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常...
2023-02-13 標(biāo)簽:激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.2k 0
二極管的正向壓降是指在二極管導(dǎo)通時,其兩端的電壓差。這個參數(shù)對于設(shè)計和維護(hù)電子電路至關(guān)重要。如果二極管的正向壓降過高,可能會導(dǎo)致電路效率降低,甚至燒毀其...
2024-07-30 標(biāo)簽:二極管參數(shù)半導(dǎo)體材料 4.1k 0
光敏電阻是一種特殊的電阻元件,其電阻值會隨著光照強(qiáng)度的變化而變化。 一、光敏電阻的工作原理 光敏電阻是一種半導(dǎo)體材料制成的電阻元件,其電阻值會隨著光照強(qiáng)...
2024-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)光敏電阻 4.1k 0
與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...
2023-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 4.1k 0
眾所周知,二極管具有單線導(dǎo)電性。根據(jù)半導(dǎo)體材料,分為硅二極管和鍺二極管;據(jù)應(yīng)用場合,分為整流二極管、檢波二極管、開關(guān)二極管和穩(wěn)壓二極管。 根據(jù)應(yīng)用的場合...
2016-11-08 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體材料 4.1k 0
N型和P型TOPCon(隧道氧化物鈍化接觸)是太陽能電池領(lǐng)域中兩種不同的技術(shù),它們在材料、結(jié)構(gòu)和性能方面存在一些差異。以下是對這兩種技術(shù)的介紹。 材料差...
2024-08-08 標(biāo)簽:太陽能電池晶硅半導(dǎo)體材料 4k 0
PTC(Positive Temperature Coefficient)熱敏電阻和NTC(Negative Temperature Coefficie...
晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選,主要得益于其一系列獨特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先,硅是地球上第二豐富的元素,廣泛存在于...
2024-09-21 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料晶體硅 3.9k 0
半導(dǎo)體硅片制造流程 國產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈一般分為設(shè)計、制造和應(yīng)用三個環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體材料在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中位于制造環(huán)節(jié)上游,和半導(dǎo)體設(shè)備一起構(gòu)成了制造環(huán)節(jié)的核心上游供應(yīng)鏈,是推動半導(dǎo)體產(chǎn)...
2022-11-30 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料晶圓制造 3.9k 0
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料,這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間,具有獨特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...
2024-08-15 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.9k 0
碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 標(biāo)簽:led照明半導(dǎo)體材料紅外探測器 3.9k 0
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有良好的電子特性,可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件,如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.9k 0
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