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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu),單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高,BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷,室溫下其熱導(dǎo)率(熱導(dǎo)系數(shù))可達(dá)310W/(m·K),為同等純...
2023-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 5364 0
溫度傳感器是一種用于測(cè)量溫度的裝置,其原理是將溫度轉(zhuǎn)換為可被測(cè)量和記錄的電信號(hào)。溫度傳感器有很多種類型,包括熱電偶、熱敏電阻、晶體管溫度傳感器等。下面我...
2023-11-24 標(biāo)簽:溫度傳感器熱敏電阻半導(dǎo)體材料 5356 0
半導(dǎo)體分立器件有哪些 分立器件和集成電路的區(qū)別
半導(dǎo)體分立器件(Discrete Semiconductor Devices)是一種由單一的半導(dǎo)體材料制造的電子元件,與集成電路(Integrated ...
2024-02-01 標(biāo)簽:集成電路二極管半導(dǎo)體材料 5281 0
氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個(gè)更先進(jìn),并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 5195 0
VS管通常采用硅或其他半導(dǎo)體材料制成,具有非線性的電壓-電流特性。在正常工作狀態(tài)下,TVS管處于高阻態(tài),對(duì)電路的影響很小。
2024-03-19 標(biāo)簽:散熱器瞬態(tài)電壓半導(dǎo)體材料 5126 0
半導(dǎo)體材料有哪些 半導(dǎo)體材料是硅還是二氧化硅
半導(dǎo)體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下,電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用,如集成電路、太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等...
單個(gè)激光發(fā)射器提供的功率輸出范圍可以從毫瓦到幾瓦。每個(gè)激光發(fā)射器既可單獨(dú)使用,也能組合成激光二極管條,用于固態(tài)激光器的光泵浦,或集成到激光二極管模組中,...
2019-04-11 標(biāo)簽:激光二極管半導(dǎo)體材料3D傳感 5054 0
氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽:功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5030 1
有機(jī)半導(dǎo)體材料研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
自1990年代末至2000年代初以來(lái),有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究引起了相關(guān)領(lǐng)域的高度關(guān)注,大大提高了實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中有機(jī)半導(dǎo)體器件的制造水平。目前,有機(jī)半導(dǎo)體器件...
2023-06-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料有機(jī)半導(dǎo)體 4788 0
新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)
新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車,其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加,根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...
2023-06-15 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 4705 0
LED燈是一種以LED(發(fā)光二極管)為光源的照明設(shè)備。LED燈具有很高的能效、長(zhǎng)壽命、環(huán)保等特點(diǎn),因此在照明領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹LED燈的原...
2024-02-01 標(biāo)簽:led燈發(fā)光二極管半導(dǎo)體材料 4570 0
硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定。而在高溫下,硅幾乎可以所有物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2024-03-15 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體材料蝕刻 4553 0
發(fā)光二極管正負(fù)極接反是短路還是斷路 貼片發(fā)光二極管正負(fù)極判斷
發(fā)光二極管正負(fù)極接反會(huì)導(dǎo)致斷路。 發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)是一種特殊的二極管,它可以將電能轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光或其他形式...
2024-02-18 標(biāo)簽:發(fā)光二極管短路半導(dǎo)體材料 4526 0
DHT11是一種廣泛使用的數(shù)字溫濕度傳感器,它能夠測(cè)量溫度和相對(duì)濕度。這種傳感器因其低成本、易于使用和相對(duì)較高的準(zhǔn)確性而受到歡迎。 DHT11傳感器的原...
2024-09-03 標(biāo)簽:溫度傳感器微處理器半導(dǎo)體材料 4491 0
什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4461 0
在了解雙向晶閘管的工作原理之前,需要先了解一下普通的晶閘管的工作原理。晶閘管是一種半導(dǎo)體器件,它是由四層PNPN型的晶體管結(jié)構(gòu)組成,晶體管結(jié)構(gòu)中有兩個(gè)P...
2023-08-26 標(biāo)簽:晶閘管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 4457 0
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4455 1
熱敏電阻是一種利用半導(dǎo)體材料的電阻值隨溫度變化而變化的特性來(lái)測(cè)量溫度的傳感器。它們廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中,如溫度控制、過(guò)熱保護(hù)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等。 熱...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān),更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻,氮化鎵基功率器件...
2023-02-02 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4358 0
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