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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù),它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高外延片的性能。
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...
金剛石半導(dǎo)體應(yīng)用與優(yōu)缺點(diǎn)
金剛石半導(dǎo)體是指將人造金剛石用作半導(dǎo)體材料的技術(shù)和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導(dǎo)率、電絕緣性、硬度和化學(xué)穩(wěn)定性,因此金剛石半導(dǎo)體可以用于制造高功率、高頻...
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝,在新一代高...
高速熔斷器,又叫半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲,是開發(fā)應(yīng)用于半導(dǎo)體電路過流保護(hù)的器件,高速熔斷器能夠在10ms甚至更短時(shí)間響應(yīng),從而起到更可靠的保護(hù)
晶體二極管也稱為半導(dǎo)體二極管,簡稱二極管。內(nèi)部由一塊P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體經(jīng)特殊工藝加工,在其接觸面上形成一個(gè)PN結(jié)。外部有兩個(gè)電極,分別稱為正極(P型...
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極之間就形成電容,當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時(shí),將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少,從而控制漏極電流大小。
結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
在PN結(jié)施加反向電壓,耗盡層會(huì)逐漸變寬,通過改變耗盡層寬度來對(duì)導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。
2023-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 8226 0
半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素,呈晶體結(jié)構(gòu),內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。在高溫或光照下,其電子沖破束縛,成為自由...
2023-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體金屬氧化物晶體結(jié)構(gòu) 5695 0
晶體二極管簡稱二極管,是在本征半導(dǎo)體基片上利用摻雜生成一個(gè)P區(qū)和一個(gè)N區(qū),并在P區(qū)和N區(qū)安上電極引線,再用外殼(管殼)封裝加固后構(gòu)成的。
二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素...
電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的變化和熱設(shè)計(jì)
上一篇大致介紹了半導(dǎo)體元器件熱設(shè)計(jì)的重要性。本文我們希望就半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)再進(jìn)行一些具體說明。近年來,“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計(jì)靈活性”已經(jīng)成...
用熱反射測溫技術(shù)測量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度
第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管(HEMT)具備較高的功率密度,同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng),在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性...
氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...
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