的直流偏置特性研究。 ? ? 測(cè)試原理 C-V測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，研發(fā)端的工程師往往采用C-V測(cè)量技術(shù)評(píng)估新材料、開發(fā)前的驗(yàn)證評(píng)估工作，測(cè)試端的工程師會(huì)對(duì)一些被動(dòng)元器件和功率器件、對(duì)供貨商的材料進(jìn)行資格檢驗(yàn)，檢測(cè)工藝參數(shù)。 HIOKI日置C-V測(cè)試系統(tǒng)的
2022-05-07 19:25:29
4954 
在新材料與智能計(jì)算技術(shù)飛速發(fā)展的今天，從憶阻器、鐵電器件到神經(jīng)形態(tài)陣列，越來越多前沿器件對(duì)電學(xué)性能的精細(xì)表征提出了更高要求。電容-電壓（C-V）與交流阻抗測(cè)量作為關(guān)鍵手段，正在科研與產(chǎn)業(yè)測(cè)試中發(fā)
2025-08-04 15:47:314601 
，并能夠在軟件中切換AC電流表端子。除外，它還采用適當(dāng)?shù)木€纜和C-V測(cè)量技術(shù)，用戶可以進(jìn)行高度靈敏的電容測(cè)量。
2020-10-18 09:56:003933 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:315216 
電容電壓（C-V）測(cè)量通常采用交流測(cè)量技術(shù)。而一些電容測(cè)量需要直流測(cè)量技術(shù)，被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V（或QSCV）測(cè)量，因?yàn)樗鼈兪窃诜浅５偷臏y(cè)試頻率下進(jìn)行的，即幾乎是直流的。
2024-02-22 11:44:412577 
04280-90001 (August 1984) The 4280A 1MHz C Meter / C-V Plotter is a discontinued product. This manual is provided for information only.
2018-12-10 16:47:50
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
131.1V，處于開關(guān)管的安全工作區(qū)內(nèi)，通過系統(tǒng)的逆變操作，在輸出電阻負(fù)載側(cè)能夠很好地得到輸入信號(hào)的放大波形。
圖8 GaN Class D系統(tǒng)半橋逆變電路波形
利用功率分析儀實(shí)測(cè)得到此逆變條件下系統(tǒng)效率
2023-06-25 15:59:21
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
異質(zhì)運(yùn)算的典型使用案例是什么？邁向異質(zhì)的編程模型時(shí)會(huì)面臨哪些挑戰(zhàn)？
2021-06-01 06:52:25
我想問一下，ADS1115選用差分模式的時(shí)候，如果AIN0=0，AIN1=-2.5v，這種情況，會(huì)不會(huì)燒壞AIN1通道？
2025-01-10 13:12:15
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間形成良好的歐姆接觸（見圖5）。注意到退火溫度僅為400°C時(shí)就會(huì)形成良好的歐姆接觸?；叵胍幌?，這與未注入硅的樣品在600°C以下退火時(shí)沒有任何電流形成鮮明對(duì)比（見圖6
2020-11-27 16:30:52
\adc\ti_adc.c 文件但是改不對(duì)，不知道該改哪些寄存器，才能將AIN0-AIN3 使能為普通的ADC接口，就像AIN4-AIN7那樣。求教TI大俠！剛剛發(fā)現(xiàn)了這個(gè)好像很有用，正在看http://processors.wiki.ti.com/index.php/AM335x_ADC_Driver%27s_Guide
2018-06-21 03:49:53
關(guān)于半導(dǎo)體C-V測(cè)量的基礎(chǔ)知識(shí)，你想知道的都在這
2021-04-12 06:27:51
`交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測(cè)試方式來評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量和可靠性等。比如在MOS結(jié)構(gòu)中
2019-09-29 15:28:11
和可靠性等。比如在MOS結(jié)構(gòu)中， C-V測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底 摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電 荷面密度Qfc等參數(shù)。C-V測(cè)試要求測(cè)試設(shè)備滿足寬頻率范圍的需求
2019-09-27 14:23:43
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
的原型機(jī)。對(duì)于大量原型機(jī)的實(shí)時(shí)監(jiān)視會(huì)提出一些有意思的挑戰(zhàn)，特別是在GaN器件電壓接近1000V，并且dv/dts大于200V/ns時(shí)更是如此。一個(gè)經(jīng)常用來確定功率FET是否能夠滿足目標(biāo)應(yīng)用要求的圖表是安全
2019-07-12 12:56:17
）是常關(guān)型GaN-on-silicon晶體管（圖1）?！ D1.正常關(guān)閉 它們基于HEMT原理，使用在AlGaN-GaN異質(zhì)結(jié)處形成的高度移動(dòng)的2D電子氣體作為導(dǎo)電層。晶體管的有源部分在頂側(cè)完成
2023-02-27 15:53:50
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
本文主要針對(duì)傳統(tǒng)C/S 模式MIS 系統(tǒng)開發(fā)中存在的軟件系統(tǒng)和數(shù)據(jù)安全等問題，提
出了一種新的基于.NET 的安全設(shè)計(jì)方案，使開發(fā)出的MIS 系統(tǒng)具有更好的安全性和穩(wěn)定性，全
2009-06-10 11:22:43
28 隨著企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，如何構(gòu)建滿足現(xiàn)代企業(yè)要求的MIS，已成為當(dāng)前研究的熱點(diǎn)問題。分析了在多變的市場(chǎng)環(huán)境下企業(yè)對(duì)MIS 的要求和目前MIS 設(shè)計(jì)中存在的不足，探討了結(jié)合兩種技
2009-08-28 12:00:539 在論述了MIS 系統(tǒng)應(yīng)用現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，分析了關(guān)系模型數(shù)據(jù)庫的建模方法，重點(diǎn)對(duì)用ERwin 這一關(guān)系數(shù)據(jù)庫應(yīng)用開發(fā)的優(yōu)秀CASE 工具的應(yīng)用進(jìn)行了研究，提出了MIS 系統(tǒng)的功能模塊的組成
2009-09-03 08:28:5121 文章深入分析了GIS 可視化技術(shù)和MIS 系統(tǒng)的特征，從利用可視化技術(shù)對(duì)現(xiàn)有的MIS 進(jìn)行改造升級(jí)入手，采用當(dāng)今流行的組件式GIS 直接嵌入MIS 可視化開發(fā)語言的集成二次開發(fā)方式，從首
2009-12-22 16:28:046 采用混合基表示的第一原理贗勢(shì)方法, 計(jì)算了閃鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN (001) (1×1) 干凈表面的電子結(jié)構(gòu). 分析了得到的各原子分態(tài)密度、面電荷密度分布以及表面能帶結(jié)構(gòu)等性質(zhì), 比較了GaN (001)
2010-01-04 12:23:3211 這份電子材料旨在幫助實(shí)驗(yàn)室工程技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)、診斷和驗(yàn)證C-V測(cè)量系統(tǒng)。
2010-03-02 16:51:2065 半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)(吉時(shí)利)
C-V測(cè)量為人們提供了有關(guān)器件和材料特征的大量信息。電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和
2010-03-13 09:04:2735 ofsemiconductors during device devel-opment, process development, andcircuit design phase is essential. Aswell as IV measurement, C
2010-07-09 17:55:073 電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱
2024-06-05 11:16:45
半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
通用測(cè)試電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型
2009-08-27 10:37:455675 
吉時(shí)利推出超快C-V測(cè)量系統(tǒng)4225-PMU，可單機(jī)實(shí)現(xiàn)三大基本特征分析
吉時(shí)利儀器公司近日宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測(cè)試模塊，進(jìn)一步豐富了4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系
2010-02-25 08:39:03993 MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質(zhì)時(shí)，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241641 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導(dǎo)體（簡寫為 MIS）系統(tǒng)的三層結(jié)構(gòu)如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(簡寫為MOS)
2010-03-04 16:04:269021 異質(zhì)結(jié),異質(zhì)結(jié)是什么意思
半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以
2010-03-06 10:43:0417269 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用知識(shí)
2010-03-06 11:26:562239 什么是雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光器
下圖為雙異質(zhì)結(jié)(DH)平面條形結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)由三層不同類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，不同材料發(fā)射不同的光波長。
圖
2010-04-02 15:39:547565 吉時(shí)利儀器公司(NYSE:KEI)，宣布為其功能強(qiáng)大的4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)新增一套C-V測(cè)量功能 4200-CVU。 4200-CVU能以測(cè)量模塊的形式插入 4200-SCS的任意可用儀器插槽中，能在10KHz到10MHz的頻
2012-04-23 09:15:071470 本文重點(diǎn)闡述了兩種集合活動(dòng)輪廓模型，基于梯度信息的李純明模型和基于區(qū)域信息的C-V模型，在分析了兩種模型的優(yōu)缺點(diǎn)后，將李純明模型中的罰函數(shù)項(xiàng)引入到C-V模型中，提出了無需
2012-05-25 13:56:0630 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與算法分析(C語言版).txt》資料免費(fèi)下載
2012-11-28 11:05:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與算法分析C++描述（第3版）.txt》資料免費(fèi)下載
2015-07-23 14:15:280 Using the Ramp Rate Method for Making Quasistatic C-V Measurements with the 4200A-SCS Parameter Analyzer––APPLICATION NOTE。
2016-09-12 17:50:020 二、國外異質(zhì)結(jié)太陽能電池 1、TCO/TiO2/P3HT/Au三明治式結(jié)構(gòu)的p-n異質(zhì)結(jié)的太陽能電池 2005年5月份，Kohshin Takahashi等發(fā)表了TCO/TiO2/P3HT/Au
2017-09-29 11:19:1820 針對(duì)SAR圖像灰度分布不均勻現(xiàn)象，提出利用對(duì)均勻和不均勻區(qū)域都能很好的擬合的CO概率密度函數(shù)對(duì)C-V水平集模型進(jìn)行改進(jìn)。針對(duì)經(jīng)典的C-V水平集模型只利用區(qū)域信息而沒有利用邊緣信息，從而造成虛假邊緣
2017-11-06 17:17:254 本文詳細(xì)介紹了使用4200A-CVIV 多路開關(guān)和4200A-SCS參數(shù)分析儀切換C-V與I-V測(cè)量。
2017-11-15 15:02:4313 本文詳細(xì)介紹了用4200A-SCS參數(shù)分析儀采用升溫速率法實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量。
2017-11-15 15:25:2910 本文詳細(xì)介紹了用4225-PRM遠(yuǎn)程放大器_開關(guān)模型實(shí)現(xiàn)對(duì)DC I-V、C-V、脈沖I-V測(cè)量的自動(dòng)轉(zhuǎn)換。
2017-11-15 15:29:0515 鎵(Ga)是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。GaN-on-SiC在射頻應(yīng)用中
2017-11-22 10:41:029988 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
針對(duì)MIS軟件研究信息技術(shù)自檔案管理中的應(yīng)用，首先對(duì)目前檔案管理中中存在的問題進(jìn)行了研究，分析了MIS軟件對(duì)檔案管理的影響，之后通過數(shù)據(jù)庫、軟件開發(fā)系統(tǒng)及．NET作為前臺(tái)應(yīng)用及開發(fā)工具，對(duì)檔案管理
2018-04-26 14:06:450 “使用ABF膜，MIS的工藝流程基本完全是一樣的。我們只是使用更厚的ABF膜來替代包封料，我們可以提供這種類型的多層MIS基板，”他說?！霸诮衲昴甑鬃笥椅覀兙蜁?huì)開始使用基于ABF膜的兩層或三層MIS基板。
2019-09-02 11:12:4714406 《數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與算法分析：C語言描述》曾被評(píng)為20世紀(jì)頂尖的30部計(jì)算機(jī)著作之一，作者在數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和算法分析方面卓有建樹，他的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和算法分析的著作尤其暢銷，并受到廣泛好評(píng)，已被世界500余所大學(xué)選作教材。
2019-10-14 08:00:0017 在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:5011848 本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結(jié)構(gòu)示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:09:447845 
4200A-SCS是一個(gè)模塊化、可定制、高度一體化的參數(shù)分析儀，可同時(shí)進(jìn)行電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）和超快脈沖I-V電學(xué)測(cè)試。使用其可選的4200A-CVIV多通道開關(guān)模塊，可輕松
2021-02-11 14:36:002358 ，導(dǎo)致嚴(yán)重的熱衰退（thermal droop）現(xiàn)象。 根據(jù)我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)前期關(guān)于MIS結(jié)構(gòu)的相關(guān)仿真結(jié)果可知，MIS型
2021-12-21 13:55:501150 
STM8S（stm8s003F） ADC AIN7的使用AIN7通道連接到內(nèi)部穩(wěn)壓為1.22V，由此可以推算出供電電壓，省去一路電源電壓采集電路。代碼如下：#define low_bate 388
2021-12-27 18:49:5224 在 MOS 結(jié)構(gòu)中， C-V 測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度 dox、襯底 摻雜濃度 N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度 Q1、和固定電 荷面密度 Qfc 等參數(shù)。
2022-05-31 16:12:046 已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:442002 GaN材料主要應(yīng)用于偏低壓應(yīng)用例如800V以下的應(yīng)用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強(qiáng)性高電子遷移率異質(zhì)節(jié)晶體管（HEMT）和600V HEMT混合串聯(lián)開關(guān)。當(dāng)然現(xiàn)在也有800V以上的一些應(yīng)用也是用GaN材料的。在這些應(yīng)用中需要選用高壓差分探頭進(jìn)行測(cè)試。
2022-08-05 13:45:461116 基于MXene的異質(zhì)結(jié)構(gòu)最近引起了人們的極大興趣。然而，復(fù)雜而苛刻的制備過程阻礙了它們的進(jìn)一步商業(yè)化。
2022-09-19 09:28:403367 本文以一臺(tái)實(shí)際使用的電動(dòng)汽車用52 kW永磁同步電機(jī)為研究目標(biāo)，針對(duì)由鐵氧體和釹鐵硼兩種永磁材料組成的混合式永磁同步電機(jī)的轉(zhuǎn)子磁路結(jié)構(gòu)開展了相關(guān)研究。采用有限元方法，側(cè)重對(duì)比分析了“U”形、“C”形
2022-11-07 10:42:225604 該工作結(jié)合先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)研究與密度泛函理論（DFT）計(jì)算，探索了V2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)形成強(qiáng)協(xié)同效應(yīng)的致密A/C界面的機(jī)理和Na+擴(kuò)散的動(dòng)力學(xué)機(jī)制，并將A/C-V2O3-x@C-HMCS首次用作鈉離子電池（SIB），為實(shí)現(xiàn)高性能鈉離子電池及異質(zhì)結(jié)正設(shè)計(jì)提供了理論指導(dǎo)。
2022-11-07 17:51:592737 異質(zhì)結(jié)構(gòu)(HS)材料是一類新型材料，由具有顯著不同(>100%)機(jī)械或物理特性的異質(zhì)區(qū)域組成。這些異質(zhì)區(qū)域之間的交互耦合產(chǎn)生了協(xié)同效應(yīng)，其中綜合特性超過了混合規(guī)則的預(yù)測(cè)。
2022-11-12 11:31:4628772 
通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對(duì)比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸運(yùn)特性；但是由于材料屬性和生長工藝的局限性
2023-02-14 09:16:414247 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:546784 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢(shì)壘層、及2nm GaN帽層，勢(shì)壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:165006 
650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器對(duì)于CO的傳感性.制備出AlGaN/GaN型氣敏傳感器器件，并測(cè)試得到了器件在50℃時(shí)對(duì)于不同濃度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:111555 
在
異質(zhì)結(jié)太陽能電池的
結(jié)構(gòu)中，ITO薄膜對(duì)其性能的影響是非常重要且直接的，ITO薄膜自身的優(yōu)劣與制備ITO薄膜過程的順利往往能直接決定
異質(zhì)結(jié)太陽能電池的后期生產(chǎn)過程以及實(shí)際應(yīng)用是否科學(xué)有效?！该滥芄夥?/div>
2023-10-16 18:28:092604 
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露，實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
2024-01-25 11:30:101046 
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍(lán)寶石就特別困難，會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
2024-03-28 12:19:541861 
受經(jīng)典德拜弛豫啟發(fā)的米勒模型提供了通過操縱弛豫時(shí)間來控制自發(fā)極化的理論框架。作者通過使用層轉(zhuǎn)移技術(shù)形成的2D/C-3D/2D異質(zhì)結(jié)構(gòu)克服了傳統(tǒng)異質(zhì)結(jié)存在的鐵電性惡化和能量損失的問題。
2024-04-29 10:27:231928 
和更低的導(dǎo)通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。 GaN MOSFET器件結(jié)構(gòu) GaN MOSFET的基本結(jié)構(gòu)包括以下幾個(gè)部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 10:01:200 ] 使用Si作為中間層， 制備了AlGaN/GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)，在800℃退火后，形成歐姆接觸，鍵合結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，得到完整GaN HEMT 器件。如圖3 所示，在1100℃退火后，鍵合層中Si和C
2024-11-01 11:08:071751 原子級(jí)薄的范德瓦爾斯van der Waals (vdW) 薄膜，為量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長提供了新材料體系。然而，不同于三維塊晶體的遠(yuǎn)程外延生長，由于較弱的范德華vdW相互作用，跨原子層的二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長受到了限制。
2025-02-05 15:13:06966 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()MIS 片式電容器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有MIS 片式電容器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MIS 片式電容器真值表，MIS 片式電容器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-30 18:34:05
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能特點(diǎn)和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
什么是實(shí)驗(yàn)的異質(zhì)性 1. 如何理解實(shí)驗(yàn)結(jié)果中的指標(biāo)變化 當(dāng)我們看到如下試金石實(shí)驗(yàn)指標(biāo)結(jié)果時(shí) 在進(jìn)行分析前，可能我們的第一直覺是這樣的 經(jīng)過異質(zhì)性分析后，可能會(huì)發(fā)現(xiàn)實(shí)際情況是這樣的 2. 概念解析
2025-11-12 16:28:57401 
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