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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一,GaN其主要有三個(gè)特性——開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:體積小,重量輕;功率密度...
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,可有效縮小功率器件體積,提高功率器件效率,對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)...
二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。二極管有兩個(gè)電極,正極,又叫陽(yáng)極;負(fù)極,又叫陰極,給二極管兩級(jí)間加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通...
雙極型晶體管是一種流控器件,電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。發(fā)射區(qū)摻雜濃度最高,基區(qū)次之,集電區(qū)最小(但和金屬電極接觸處的一小區(qū)域半導(dǎo)體高摻雜,是為了避免形...
在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門,其中包括增加功率放大器的功率密度,以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體硅基氮化鎵技術(shù) 1357 0
變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器作為傳動(dòng)系統(tǒng)中應(yīng)用最廣泛的驅(qū)動(dòng)設(shè)備,兩者穩(wěn)穩(wěn)地占據(jù)著驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的絕大部分地盤。
誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料?這種材料的特性是什么?
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲—一種暗藏諸多門道的熔斷器
保險(xiǎn)絲選型在之前文章有介紹過(guò),選型主要依據(jù)為工作電流、工作電壓、環(huán)境溫度、浪涌電流以及分?jǐn)嗄芰Γ鄬?duì)而言比較簡(jiǎn)單一些,方法同樣適用于工業(yè)熔斷器。在熔斷器...
具有高居里溫度和強(qiáng)磁晶各向異性的雙極性VSi?As?和VGe?As?單層的預(yù)測(cè)
浙江工業(yè)大學(xué)王垚老師課題組(第一作者:張金森)采用密度泛函理論和鴻之微Device Studio軟件預(yù)測(cè)出雙極性VSi2As4和VGe2As4單層具有高...
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...
2023-02-10 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體開關(guān)電源 3211 0
濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料,達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
今天看到一家剛成立3年,專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片,同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...
單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (上)
隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,器件特征尺寸逐漸減少,激發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset, SEU)效應(yīng)所需的能量閾值呈幾何級(jí)下降趨勢(shì)。例如...
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/c...
長(zhǎng)期以來(lái),在功率應(yīng)用方案中,熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí),從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而,隨著輸出功率提升以及功率密...
本文介紹了流延成型、凝膠注模成型和新型3D打印成型等幾種基板成型方法,分析了不同成型方法的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)及技術(shù)難點(diǎn)。 介紹了了近年來(lái)國(guó)內(nèi)外陶瓷基板成型的研究...
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