發(fā)展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導(dǎo)體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體器件正發(fā)展得如火如荼，在商業(yè)化道路上高歌猛進(jìn)。 ? 與此同時(shí)，第四代半導(dǎo)體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
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的3.25eV和氮化鎵的3.4eV。而氧化鎵的擊穿場強(qiáng)理論上可以達(dá)到8eV/cm，是氮化鎵的2.5倍，是碳化硅的3倍多。從功率半導(dǎo)體特性來看，與前代半導(dǎo)體材料相比，氧化鎵材料具備更高的擊穿電場強(qiáng)度與更低的導(dǎo)通電
2023-03-15 11:09:59
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個(gè)里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗(yàn)證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
處于領(lǐng)先地位。氮化鎵功率半導(dǎo)體雖然適用性極高，但依然面臨三項(xiàng)社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
的獨(dú)特性意味著，幾乎所有這些材料都不能用作半導(dǎo)體。不過，透明導(dǎo)電氧化物氧化鎵（Ga2O3）是一個(gè)特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特，如果說氮化鎵（3.4eV）與它的差距為1英里，那么硅（1.1eV）與它的差距
2023-02-27 15:46:36
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:036150 什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487717 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)和要求有哪些?
半導(dǎo)體材料-特性參數(shù)
LED燈泡半
2010-03-04 10:39:593790 半導(dǎo)體材料的特性
半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類功能材料?？侩娮雍涂昭▋煞N載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之
2010-03-04 10:50:381637 半體體材料 作為電子材料的代表, 在生產(chǎn)實(shí)踐的客觀需求刺激下, 科技工作者已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了數(shù)以計(jì)的具有半導(dǎo)體特性的材料, 并正在卓有成效在研究、開發(fā)和利用各種具有特殊性能的材料。
2011-11-01 17:32:06
55 “功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331846 氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料，其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4612767 半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能，用來制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過電子和空穴這兩種載流子來實(shí)現(xiàn)的，因此相應(yīng)的有N型和P型之分。半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性
2019-03-29 15:06:1115756 目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。
2019-03-29 15:21:5715426 以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。
2020-03-10 11:22:193245 據(jù)美國國家科學(xué)院院刊（PNAS）近日消息稱，美國科學(xué)家在兩塊不同的隕石中發(fā)現(xiàn)了超導(dǎo)材料，這是超導(dǎo)材料在太空中形成的第一個(gè)證據(jù)。
2020-03-30 15:15:541787 清華大學(xué)和中科院的科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種特殊的陰極材料，這種材料可以用于更穩(wěn)定的鉀離子電池儲能系統(tǒng)。
2020-05-26 23:52:082408 最近風(fēng)靡的氮化鎵充電器，對我們消費(fèi)者最直觀的感覺就是小。當(dāng)然，在充電功率等同的情況下，體積越大的充電器，散熱必然就越好，如果一個(gè)充電器不做好電路可靠性就貿(mào)然縮小體積，就會有爆炸等隱患。氮化鎵充電器之所以能夠做的這么小，最主要的原因就是用了氮化鎵材質(zhì)的FET取代了傳統(tǒng)的硅材料。
2020-06-16 15:50:096092 新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個(gè)重要方向。在這個(gè)過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個(gè)高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。
2020-07-04 10:39:592121 器件市場規(guī)模有望達(dá)到7.45 億美元；GaN功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到4.50億美元。 基于此，新材料在線特推出【2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告】，供業(yè)內(nèi)人士參考： 原文標(biāo)題：【重磅報(bào)告】2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告 文章出處：【微信公眾號：新材料在線】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請
2020-10-09 10:16:034445 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:082074 
氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認(rèn)為，在未來數(shù)年間，氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價(jià)格。
2022-11-04 09:14:2312593 
與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時(shí)具有開關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等
2022-12-08 09:56:031738 傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和氮化鎵
2022-12-13 10:00:083919 了解氮化鎵
-寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？
-氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:252391 什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:454119 氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時(shí)代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的市場和發(fā)展空間最大。 氮化鎵作為
2023-02-03 14:38:463001 氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。
2023-02-05 12:48:1527982 氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目前第三代半導(dǎo)體材料主要有三族化合物半導(dǎo)體材料
2023-02-05 15:01:488941 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093643 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智能制造和信息安全，是支持新一代移動通信、新能源
2023-02-15 15:31:257360 氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙（band-gap）”，因此與硅基電子產(chǎn)品相比具有許多優(yōu)勢。
2023-02-15 17:52:352111 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:014179 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204101 、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn)。氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可
2023-02-21 15:02:5712 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以
及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵
2023-02-21 14:57:374 第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 14:57:165804 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:391395 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:4613933 眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。
2023-07-06 10:05:1915092 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:401519 
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453097 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用，以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:051619 
半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來的半導(dǎo)體材料的特性這一期中，我們將對這些性質(zhì)進(jìn)行深入的探討，并將它們與原子的基礎(chǔ)、固體的電分類以及什么是本征和摻雜半導(dǎo)體等一系列關(guān)鍵性的問題共同做一個(gè)介紹。
2023-11-03 10:24:302532 
氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281 
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
2023-11-08 15:59:361545 科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了他們所說的迄今為止最快、最高效的半導(dǎo)體。盡管這種新材料是用地球上最稀有的元素之一制成，但研究人員表示，有可能會發(fā)現(xiàn)由更豐富的材料制成的替代物，其運(yùn)行速度相當(dāng)快。
2023-11-08 16:28:051123 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206429 盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-11-27 10:09:101364 
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:172868 
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成材料
2023-12-27 14:58:242956 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和差異。 首先，從材料屬性上來看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:292311 引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率等極端環(huán)境下的電子器件
2024-09-02 11:19:473434 氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491184 
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