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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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如果無法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測(cè)量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...
帶電粒子和伽馬射線會(huì)產(chǎn)生電離,從而改變?cè)O(shè)備的參數(shù)。這些變化是根據(jù)總電離劑量參數(shù) (TID) 估算的。吸收的電離劑量通常以 Rads 為單位測(cè)量,即每克材...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體晶體管 1837 0
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在?;诎雽?dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開關(guān)的真空管,使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
使用傳輸使變速驅(qū)動(dòng)器更加堅(jiān)固和緊湊
變速驅(qū)動(dòng)器 (VSD) 可以非常有效地改變電機(jī)扭矩和速度,廣泛用于重載應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、伺服和加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC)。在采用 VSD 之前,交流...
2022-08-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 1185 0
幾十年來,基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...
在現(xiàn)代,隨著EV(電動(dòng)汽車)和 HEV(混合動(dòng)力電動(dòng)汽車)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對(duì)具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動(dòng)汽車充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體整流器 1509 0
在高頻電源轉(zhuǎn)換器中演示基于GaN-HEMT的動(dòng)態(tài)Rds電阻
GaN(氮化鎵)器件因其高開關(guān)速度、更高的功率密度和效率等能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器中變得流行,但 GaN 器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電流崩潰由于當(dāng)器件關(guān)閉和熱電子效...
2022-08-05 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 2522 0
如何將SiC庫(kù)導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫(kù),這些組件現(xiàn)在在...
如何使設(shè)計(jì)人員在200kW EV逆變器增加EV范圍
讓我們從討論動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)和動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)損失開始。顯然,電動(dòng)汽車要擴(kuò)大其續(xù)航里程,需要同時(shí)提高電機(jī)效率和逆變器效率。直到大約 50 英里/小時(shí),動(dòng)力傳動(dòng)系...
2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體逆變器 1078 0
電源設(shè)計(jì)說明中使用GaN器件進(jìn)行LTspice仿真
多年來,技術(shù)進(jìn)步使得從功率器件獲得高級(jí)性能成為可能。氮化鎵 (GaN)不同于硅 (Si)。它是一種類似于晶體的材料,能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比,電...
半導(dǎo)體是電子電路中使用最廣泛的元件之一,它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導(dǎo)體器件的制造過程通常用于創(chuàng)建集成電路,包括一系列多個(gè)照相和化學(xué)處理步驟,在...
面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關(guān)器件方面取得突破,以高效可靠地處理高功率、快速開關(guān)速度和寬...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一...
當(dāng)聽到“半導(dǎo)體”這個(gè)詞時(shí),你會(huì)想到什么?它聽起來復(fù)雜且遙遠(yuǎn),但其實(shí)已經(jīng)滲透到我們生活的各個(gè)方面:從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵,我們?nèi)粘I钏蕾?..
IC集成推動(dòng)實(shí)現(xiàn)平板相控陣天線設(shè)計(jì)
本文將簡(jiǎn)要描述相控陣芯片組的發(fā)展如何推動(dòng)平面相控陣天線的實(shí)現(xiàn),并采用示例輔助解釋和說明。
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