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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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電力電子應(yīng)用如何選擇合適的探頭進(jìn)行測(cè)試
該技術(shù)主要涵蓋四個(gè)關(guān)鍵類別:AC/DC整流器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器和AC/AC轉(zhuǎn)換器。工業(yè)應(yīng)用多種多樣,對(duì)分布式發(fā)電(DG)、微電網(wǎng)(MG...
2022-10-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件 1291 0
干貨分享 | 關(guān)于空間輻射位移效應(yīng)的考核
目前在元器件位移效應(yīng)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)主要有GJB548 方法1017.1,該標(biāo)準(zhǔn)只規(guī)定了以1MeV等效中子作為輻照源,但標(biāo)準(zhǔn)描述了該試驗(yàn)的目的是考核以非電離能量...
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制...
基于Semtech的LoRa擴(kuò)頻通信技術(shù)實(shí)現(xiàn)的超長(zhǎng)距離低功耗物聯(lián)網(wǎng)解決方案
致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于Semtech的LoRa擴(kuò)頻通信技術(shù)實(shí)現(xiàn)的超長(zhǎng)距離低功耗物聯(lián)網(wǎng)解決方案,該方...
2018-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體通信技術(shù)物聯(lián)網(wǎng) 1288 0
重要的半導(dǎo)體材料碲是非金屬元素中金屬屬性最強(qiáng)的元素,是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)七大領(lǐng)域中不可缺少的重要材料:在新能源、信息科技、冶金、化工、電子、醫(yī)藥、國(guó)防航空航...
如今,在電力電子系統(tǒng)或設(shè)備中,電流傳感器無(wú)處不在,被譽(yù)為“電路穩(wěn)定運(yùn)行的衛(wèi)兵”,通過(guò)電流傳感器檢測(cè)電流,實(shí)現(xiàn)監(jiān)測(cè)電力、控制電機(jī)、以及檢測(cè)系統(tǒng)過(guò)流進(jìn)而實(shí)現(xiàn)...
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1288 0
在現(xiàn)代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中,存在著諸如集成電路(IC)和印刷電路板(PCB)等假冒產(chǎn)品,嚴(yán)重危害了電子系統(tǒng)的安全性和可靠性,也造成了供應(yīng)商利潤(rùn)和聲譽(yù)的損失?,F(xiàn)...
展嶸充電站測(cè)評(píng):內(nèi)置電感電容,EM6911打造強(qiáng)勁充電“芯”模組
近期,鈺泰半導(dǎo)體推出了創(chuàng)新的充電“芯”模塊EM6911,這一內(nèi)部集成了大功率電感和電容的芯片,具備超小封裝,專為滿足智能終端產(chǎn)品小型化和便攜性的需求而設(shè)...
干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管:高性能、高效率、高可靠性(下)
提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn),也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō),電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...
飛行時(shí)間系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用概述
這是我們飛行時(shí)間(ToF)系列的第一篇文章,將概述連續(xù)波(CW)CMOS ToF相機(jī)系統(tǒng)技術(shù)及其相對(duì)于機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用傳統(tǒng)3D成像解決方案的優(yōu)勢(shì)。后續(xù)文章將...
閾值電壓是電子流經(jīng)通道所需的最小電壓。它用V表示千的場(chǎng)效應(yīng)管。此外,當(dāng)導(dǎo)電通道剛準(zhǔn)備連接到晶體管的源極和漏極觸點(diǎn)時(shí),它是柵源電壓的值。這允許大量的電流流...
芯片制造中的化學(xué)鍍技術(shù)研究進(jìn)展
芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片導(dǎo)電互連。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用是極其重要且廣泛的,它們不僅是數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心組件,還直接關(guān)系到數(shù)據(jù)處理的效率、可靠性和安全性。以下將詳細(xì)闡述半導(dǎo)體...
2024-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 1276 0
半導(dǎo)體前端工藝:第六篇(完結(jié)篇):金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接
半導(dǎo)體前端工藝:第六篇(完結(jié)篇):金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接
在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個(gè)被稱為肖特基勢(shì)壘的m-s結(jié),而不...
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的分類和應(yīng)用
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用...
2024-07-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 1274 0
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實(shí)生產(chǎn)線中,器件加工過(guò)程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面,因此必須通過(guò)清潔技術(shù)去除污染...
如何通過(guò)基準(zhǔn)測(cè)量實(shí)現(xiàn)質(zhì)量等級(jí)為3級(jí)的IBIS模型
輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范(IBIS)是一種行為模型,作為生成器件模型的標(biāo)準(zhǔn)格式而在全球受到歡迎。器件模型的精度取決于行業(yè)提供的IBIS模型的質(zhì)量。因此,...
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