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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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在光電子技術(shù)行業(yè)中應(yīng)用廣泛??煽啃允前雽?dǎo)體激光器應(yīng)用中的一個重要問題,本文將探討半導(dǎo)體激光器的失效模式和機(jī)理,幫助感興趣的朋友了解并能預(yù)防半導(dǎo)體激光器失...
一種用于機(jī)器學(xué)習(xí)計算的新型離子電路
人腦和數(shù)字計算機(jī)之間的最大區(qū)別是計算的方式。在數(shù)字計算機(jī)中,電子是通過半導(dǎo)體材料操控的;在大腦中,離子在液體中被操控。
2022-10-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管機(jī)器學(xué)習(xí) 1038 0
半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢和應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺上,每一項技術(shù)都是推動行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成...
“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2023-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件 1033 0
首次實現(xiàn)二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體的室溫鐵磁性
二維磁性半導(dǎo)體是一種兼具鐵磁性和半導(dǎo)體性的材料,有望將信息存儲和邏輯運算機(jī)集成為一個單元,是下一代低能耗集成電路、自旋電子學(xué)與部分自旋量子器件的基礎(chǔ)。
2023-02-22 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1033 0
倒裝晶片(Flip Chip)貼裝屬于先進(jìn)半導(dǎo)體組裝(Advanced Semiconductor Assembly),常見的應(yīng)用有無線天線、藍(lán)牙、硬盤...
共讀好書 你即使從來沒有學(xué)過物理,從來沒學(xué)過數(shù)學(xué)也能看懂,但是有點太簡單了,適合入門,如果你想了解更多的CMOS內(nèi)容,就要看這一期的內(nèi)容了,因為只有了解...
在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門,其中包括增加功率放大器的功率密度,以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
如何應(yīng)對艱巨的耐輻射電源電子系統(tǒng)設(shè)計
太空中的電子系統(tǒng)暴露在大量危險之中。除此之外,如果沒有地球保護(hù)磁場使粒子偏轉(zhuǎn),沒有地球大氣層吸收太陽及宇宙射線,系統(tǒng)將暴露在更大強(qiáng)度的波輻射及粒子輻射中...
精準(zhǔn)把控DBC銅線鍵合工藝參數(shù),打造卓越封裝品質(zhì)
在快速發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)中,封裝技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著芯片性能的不斷提升,對封裝技術(shù)也提出了更高的要求。直接鍵合銅(Direct Bonded C...
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管(以下SiC SBD)的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當(dāng)時業(yè)界最小...
用于半導(dǎo)體封裝保護(hù)的環(huán)氧膠水是一種非常關(guān)鍵的材料,因其具有以下優(yōu)勢而廣泛應(yīng)用于該領(lǐng)域:高強(qiáng)度與高硬度:環(huán)氧膠水固化后能提供卓越的機(jī)械強(qiáng)度和硬度,有助于保...
半導(dǎo)體行業(yè)的生產(chǎn)設(shè)備有刻蝕、薄膜沉積、清洗、濕制、封裝和測試、拋光、硅晶圓制造等,這些精密生產(chǎn)設(shè)備中有電氣元器件、執(zhí)行部件、監(jiān)測控制儀器等,對供電的穩(wěn)定...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
基于ANSYS的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的數(shù)字設(shè)計方案
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體需要具有更低的寄生電感和電容的封裝。為了實現(xiàn)這一目標(biāo),提出了新的包裝解決方案,以增加集成度。
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