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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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半導(dǎo)體工藝和射頻封裝技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新徹底改變了工程師設(shè)計(jì)射頻、微波和毫米波設(shè)計(jì)應(yīng)用的方式。RF設(shè)計(jì)人員的技術(shù)和設(shè)計(jì)支持需求比以往任何時(shí)候都更加具體和先進(jìn)。...
電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。
2024-04-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 1016 0
流體無(wú)摩擦流動(dòng)的能力,即超流性,并不局限于流體動(dòng)力學(xué)所描述的系統(tǒng)。十多年前,研究人員開(kāi)始對(duì)超流體和其他量子流體產(chǎn)生興趣,這是因?yàn)樵诜蔷€性介質(zhì)中傳播的光可...
短溝道二維晶體管中的摻雜誘導(dǎo)輔助隧穿效應(yīng)
短溝道效應(yīng)嚴(yán)重制約了硅基晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小,限制了其在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)新材料和新技術(shù)對(duì)于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。
幾乎每一個(gè)電子系統(tǒng)均需要某種類型的邏輯器件。憑借TI的海量產(chǎn)品組合,我們差不多能幫助滿足任何邏輯需求。雖然所有這些器件都供用戶精挑細(xì)選,但有時(shí)為一種設(shè)計(jì)...
淺談安科瑞無(wú)線測(cè)溫產(chǎn)品的應(yīng)用——在浙江某半導(dǎo)體項(xiàng)目為例
1 概述 浙江某半導(dǎo)體項(xiàng)目需根據(jù)用戶配電系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和故障預(yù)警管理需求,需要對(duì)半導(dǎo)體工廠10kV、0.4kV配電室各回路進(jìn)行電力數(shù)據(jù)采集和配電柜內(nèi)電氣節(jié)...
2023-08-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體無(wú)線測(cè)溫 1013 0
在我們現(xiàn)實(shí)生活中,能用到MOS管的地方太多了。MOS管也有NMOS和PMOS之分,特點(diǎn)和應(yīng)用有些許差異。N溝道MOSFET具有許多優(yōu)點(diǎn),如電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)...
開(kāi)始使用Power Stage Designer的13個(gè)理由
十多年來(lái),德州儀器 (TI) 的 Power Stage Designer? 工具一直是一款出色的設(shè)計(jì)工具,可協(xié)助電氣工程師計(jì)算不同電源拓?fù)涞碾娏骱碗妷?..
但是,由于半導(dǎo)體封裝的熱限制,單個(gè)充電器可能不能支持所需的高充電電流。沒(méi)有人喜歡握住一個(gè)摸起來(lái)發(fā)熱的設(shè)備。通過(guò)添加一個(gè)與主充電器并行的輔助充電器,您可將...
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...
基于Achronix Speedster7t FPGA器件的AI基準(zhǔn)測(cè)試
Achronix半導(dǎo)體公司推出了為AI優(yōu)化的Speedster7t系列FPGA芯片,該系列包含專門針對(duì)AI工作負(fù)載的強(qiáng)化計(jì)算引擎。隨著AI在各個(gè)領(lǐng)域變得...
整流器是一種電子器件,其核心功能是將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)。在電子設(shè)備和系統(tǒng)中,整流器的應(yīng)用極為廣泛,如電源設(shè)備、電子設(shè)備、汽車、航空航天等...
光束整形(Beam Shaping)是一種利用光束控制技術(shù)來(lái)改變光束的形狀和特性的過(guò)程。隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展,激光的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛,但是在半導(dǎo)體光刻...
隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)和柔性石墨烯MOS(GrapheneMOS)作為兩種重要的半導(dǎo)體材料,在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越...
PiN二極管(P-I-N Diode)和SiC二極管(Silicon Carbide Diode)在多個(gè)方面存在顯著差異,這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工...
本應(yīng)用筆記介紹如何配置高速微控制器或超高速閃存微控制器的UART,以便與支持SCI的設(shè)備通信。它首先簡(jiǎn)要討論了SCI和UART模塊之間的差異,并以一個(gè)實(shí)...
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池取得重要進(jìn)展
近期,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所游經(jīng)碧研究員帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在p-i-n反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的p型空穴傳輸層設(shè)計(jì)和可控生長(zhǎng)等方面取得重要進(jìn)展。
2023-11-25 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體SAM 1002 0
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