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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

PIN二極管有沒有雙向的?

PIN二極管,即P-I-N二極管,是一種由P型、本征(I型)和N型半導(dǎo)體層組成的半導(dǎo)體器件。它通常用于射頻和微波電路中,如天線開關(guān)、衰減器、可變電容和限幅器等。

2024-05-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體衰減器PIN二極管 1.5k 0

提高SiC外延生長速率和品質(zhì)的方法

SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中,晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā),嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)...

2025-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 1.5k 0

有關(guān)超聲波晶片測溫中的薄膜效應(yīng)實(shí)驗報告

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溫度是半導(dǎo)體加工中需要監(jiān)測和控制的關(guān)鍵參數(shù)。我們使用了一種超聲波技術(shù),其中利用硅片中最低階反對稱蘭姆波速度的溫度依賴性在20-1OO中進(jìn)行原位溫度測量“...

2023-08-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體超聲波晶片 1.5k 0

半導(dǎo)體激光器的波長應(yīng)該如何選擇

半導(dǎo)體激光器的波長應(yīng)該如何選擇

激光錫焊中,不同的波長適合不同的焊接材料,在實(shí)際的生產(chǎn)應(yīng)用中,半導(dǎo)體激光器的波長應(yīng)該如何選擇呢?松盛光電來給大家詳細(xì)的介紹分享。半導(dǎo)體激光器的波長選擇至...

2025-01-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器焊接 1.5k 0

從芯片存儲發(fā)展看編程器的技術(shù)革新

每年都有新手機(jī)發(fā)布,大家都在追逐更高的手機(jī)性能,除了主CPU頻率高以外,還需要關(guān)注GPU,同時RAM也要越大越好,存儲芯片對手機(jī)速度的影響,大家又知道多少呢?

2016-04-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲手機(jī)芯片 1.5k 0

實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓和低待機(jī)電流離線輔助PSU電源裝置

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如今,對能源效率的需求影響著自動化的所有領(lǐng)域。這包括各種白家電,它們是在家庭自動化概念與如今完全不同的時代構(gòu)想出來的。幾十年前,當(dāng)我們開始依賴這些設(shè)備時...

2020-11-28 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SMPS 1.5k 0

安森美為各驅(qū)動應(yīng)用提供的理想方案

安森美為各驅(qū)動應(yīng)用提供的理想方案

電機(jī)分為交流電機(jī)和直流電機(jī)兩大類,其中直流電機(jī)市場潛力巨大,全球目標(biāo)市場容量(SAM)超過10億美元,主要有步進(jìn)、有刷和無刷等類別。步進(jìn)電機(jī)易于控制位置...

2018-06-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美驅(qū)動 1.5k 0

使用虛擬實(shí)驗設(shè)計加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展

實(shí)驗設(shè)計(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個強(qiáng)大的概念,它是研究實(shí)驗變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過精心設(shè)計,工程師就可以使用有限的實(shí)驗晶...

2023-04-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝硅晶圓 1.5k 0

光束整形的常見方法

光束整形(Beam Shaping)是一種利用光束控制技術(shù)來改變光束的形狀和特性的過程。隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展,激光的應(yīng)用也越來越廣泛,但是在半導(dǎo)體光刻...

2023-12-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器光束 1.5k 0

超短脈沖激光加工技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

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隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展,對半導(dǎo)體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技術(shù),正逐步成為半導(dǎo)體制造的重要工藝。闡述了超短脈沖激...

2025-05-22 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體激光加工 1.5k 0

雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測(Cs2AgBiCl6  01)

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在以上的案例中,我們展示了TSC模塊可以計算元素化學(xué)勢,用于DEC模塊的缺陷形成能計算。此外,TSC也可以獨(dú)立運(yùn)行來分析目標(biāo)化合物的穩(wěn)定性,而無需先行做...

2023-05-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體數(shù)據(jù)庫 1.5k 0

深入剖析單晶硅的生長方法

深入剖析單晶硅的生長方法

科技進(jìn)步和對高效智能產(chǎn)品需求的增長進(jìn)一步奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)在國家發(fā)展中的核心地位。而半導(dǎo)體硅單晶作為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石,其對促進(jìn)技術(shù)革新和經(jīng)濟(jì)增長起...

2025-08-21 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體單晶硅 1.5k 0

支持Chiplet的底層封裝技術(shù)

過去幾十年來,半導(dǎo)體行業(yè)一直按照摩爾定律的規(guī)律發(fā)展,憑借著芯片制造工藝的迭代,使得每18個月芯片性能提升一倍。但是當(dāng)工藝演進(jìn)到5nm,3nm節(jié)點(diǎn),提升晶...

2022-08-18 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體封裝 1.5k 0

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上?

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢,從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體氮化鎵 1.5k 0

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管的常用領(lǐng)域介紹

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今年以來,國外某些國家仍然在拉動其盟友在對中國的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國內(nèi),是否有純國產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...

2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體元器件 1.5k 0

碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

  碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和...

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碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

  隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件...

2023-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.5k 0

儀表放大器AD8235/36的性能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍

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ADI推出的儀表放大器AD8235,該 儀表放大器的尺寸比鉛筆頭還小,加上超低的功耗,使之非常適合用于高功效、輕巧、便攜的醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)類保健護(hù)理設(shè)備,...

2021-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體儀表放大器 1.5k 0

半導(dǎo)體研發(fā)企業(yè)源代碼、圖紙等數(shù)據(jù)信息安全建設(shè)防護(hù)機(jī)制

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現(xiàn)在信息化發(fā)展迅速,高新技術(shù)類的企業(yè)在信息化發(fā)展的大潮中迅速的崛起,半導(dǎo)體芯片集中電路一直是我們國經(jīng)濟(jì)及技術(shù)研發(fā)投入最大的行業(yè),這類企業(yè)在迅速發(fā)展的過程...

2022-07-29 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體 1.5k 0

半導(dǎo)體雷射導(dǎo)通延遲時間

半導(dǎo)體雷射導(dǎo)通延遲時間

當(dāng)半導(dǎo)體雷射從閾值條件以下要達(dá)到雷射的操作,其主動層中的載子必須要先達(dá)到閾值載子濃度才會有雷射光輸出,這段載子累積的時間稱為導(dǎo)通延遲(turn-on d...

2025-01-06 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體 1.5k 0

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