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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用,可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)...
一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢(shì)的晶體管
這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開(kāi)始占領(lǐng)價(jià)值數(shù)十億美元的市場(chǎng)。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動(dòng)汽...
蔡司離子束掃描電子顯微鏡Crossbeam 550 Samplefab
蔡司代理三本精密儀器獲悉。蔡司推出全新雙束電鏡Crossbeam550Samplefab作為一款專為半導(dǎo)體行業(yè)TEM樣品制備開(kāi)發(fā)的高端聚焦離子束掃描電子...
硅片,作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中,多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋...
深入分析:LED車(chē)燈高溫導(dǎo)致的光衰現(xiàn)象
隨著歐盟對(duì)鹵素?zé)舻慕钌?,LED大燈技術(shù)獲得了前所未有的增長(zhǎng)潛力。雖然部分車(chē)主對(duì)鹵素?zé)粢廊粦延衅?,特別是在經(jīng)常下雨的南方地區(qū),他們看重的是鹵素?zé)舫錾?..
2025-01-17 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體LED車(chē)燈 538 0
【DT半導(dǎo)體】獲悉,隨著人工智能(AI)技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長(zhǎng),同時(shí)人們對(duì)降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍,替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體...
PFA過(guò)濾延展網(wǎng)在半導(dǎo)體硅片制備過(guò)程中的作用
PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐,解決濾膜在強(qiáng)力和高壓下的耐受力,延展網(wǎng)孔孔距不會(huì)受壓力變化而變距,在半導(dǎo)體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)...
2025-01-20 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體硅片 537 0
隨著電子科學(xué)、互聯(lián)網(wǎng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展,精密光學(xué)元器件的應(yīng)用范圍不斷向數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話、安防監(jiān)控?cái)z像機(jī)、車(chē)載可視系統(tǒng)、智能家居和航拍...
一文解析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識(shí)
先來(lái)了解一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識(shí),看完傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝對(duì)比后再來(lái)了解封裝裝備,最后看看核心封裝設(shè)備的梳理。 下圖為工藝對(duì)比 ? ? ? ? ? ...
雷卯二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對(duì)比
肖特基二極管由金屬與半導(dǎo)體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面,它由多數(shù)載波進(jìn)行,具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF)的快速響應(yīng)。肖特基二極管廣泛應(yīng)用于高頻電路中。
恒流三極管的工作過(guò)程和電路結(jié)構(gòu)
恒流三極管是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它在一定條件下能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,不受負(fù)載變化的影響。這種特性使其在多種電子電路中得到了廣泛應(yīng)用,如LED驅(qū)動(dòng)電路...
2025-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路恒流三極管 527 0
在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝,RTP通過(guò)單片式作業(yè)模式與精準(zhǔn)的...
集成電路制造設(shè)備的防震標(biāo)準(zhǔn)是如何制定的?
集成電路制造設(shè)備的防震標(biāo)準(zhǔn)制定主要涉及以下幾個(gè)方面:1,設(shè)備性能需求分析(1)精度要求:集成電路制造設(shè)備精度極高,如光刻機(jī)的光刻分辨率可達(dá)納米級(jí)別,刻蝕...
ICL7660單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS電源電路數(shù)據(jù)手冊(cè)
Intersil ICL7660 和 ICL7660A 是單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電源電路,與以前可用的器件相比,具有獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)。ICL...
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)...
高速調(diào)制半導(dǎo)體雷射結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
從(4-40)式我們知道,要達(dá)到高的弛豫頻率,光子生命期要小而閾值電流要低,然而這兩個(gè)因素是互相沖突的,因?yàn)楣庾由谌糇冃。瑒t閾值增益變大,閾值電流隨...
PFIB技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用
新一代封裝技術(shù)中出現(xiàn)了嵌入多個(gè)芯片的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳感器設(shè)計(jì)等技術(shù)的出現(xiàn),都體現(xiàn)了這一演變趨勢(shì)。這種技術(shù)...
用碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管代替機(jī)械斷路器
在工程界有一句古老的格言——“如果它移動(dòng),它就會(huì)斷裂”。我們都知道,像風(fēng)扇或繼電器這樣的機(jī)械設(shè)備通常是第一個(gè)發(fā)生故障的東西,在關(guān)鍵系統(tǒng)中,您需要一個(gè)先發(fā)...
2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 515 0
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