單晶硅

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　　半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、砷化鎵和硫化鎘都是半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體材料的電阻率隨著溫度升高和輻射強(qiáng)度的增大而減小，在半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì)，對(duì)其導(dǎo)電性有決定性影響，這是半導(dǎo)體材料的重要特性。硅是最常見應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成晶核，其晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，形成單晶硅。

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單晶硅技術(shù)

單晶硅納米力學(xué)性能測(cè)試方法

在材料納米力學(xué)性能測(cè)試的眾多方法中，納米壓痕技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)脫穎而出，成為當(dāng)前的主流測(cè)試手段。

2025-03-25 標(biāo)簽：晶體納米單晶硅 257 0

N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響

本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響。

2025-03-18 標(biāo)簽：太陽能工藝單晶硅 339 0

光伏多晶硅和單晶硅的區(qū)別

光伏多晶硅和單晶硅在多個(gè)方面存在顯著差異，這些差異主要體現(xiàn)在它們的物理性質(zhì)、制造工藝、光電轉(zhuǎn)換效率、成本以及應(yīng)用廣泛性等方面。以下是對(duì)這些區(qū)別的分析： ...

2024-09-20 標(biāo)簽：光伏多晶硅光電轉(zhuǎn)換單晶硅 3068 0

半導(dǎo)體應(yīng)變片與電阻絲應(yīng)變片有什么區(qū)別？

半導(dǎo)體應(yīng)變片和電阻絲應(yīng)變片是兩種常用的應(yīng)變測(cè)量工具，它們?cè)诠ぷ髟?、材料特性、?yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)缺點(diǎn)等方面存在顯著差異。

2024-05-16 標(biāo)簽：應(yīng)變片單晶硅 3703 0

半導(dǎo)體應(yīng)變片的主要特性有哪些？受哪些因素影響？

半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來測(cè)量應(yīng)力和應(yīng)變的傳感器。它具有多種特性，這些特性受到多種因素的影響。

2024-05-16 標(biāo)簽：傳感器應(yīng)變片單晶硅 3899 0

硅片和soi這兩種材料，他們的不同之處是什么呢？

硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。

2024-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寄生電容單晶硅 1477 0

單晶硅的少子壽命是指什么？表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響？

單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子（電子或空穴）在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失（即通過復(fù)合過程失去）的平均時(shí)間。

2024-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶硅載流子 4198 0

影響單晶硅硬度的因素有哪些？

硬度作為評(píng)價(jià)材料力學(xué)性能的重要指標(biāo)，其測(cè)量和應(yīng)用對(duì)于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域具有重要意義。

2024-04-14 標(biāo)簽：單晶硅 2114 0

單晶硅電阻率的控制原理介紹

本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識(shí)，解釋了單晶硅電阻率控制原理。

2024-04-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶硅載流子 2780 0

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個(gè)匯總，對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過程有一個(gè)全面而概括的描述。

2024-03-29 標(biāo)簽：芯片制造蝕刻單晶硅 4603 0

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪？

本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。

2024-03-17 標(biāo)簽：mems 晶體管硅晶圓 3154 0

半導(dǎo)體襯底和外延有什么區(qū)別？

襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

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硅的電阻率和方阻測(cè)定和使用問題解析

在MEMS器件設(shè)計(jì)過程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。

2024-01-13 標(biāo)簽：多晶硅硅晶圓 MEMS器件 5221 0

詳解硅的晶面及應(yīng)用

研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對(duì)其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。

2024-01-11 標(biāo)簽：硅片金剛石單晶硅 2.0萬 0

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2024-01-08 標(biāo)簽：晶圓單晶硅 2083 0

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什么是單晶硅光伏板？單晶硅光伏板優(yōu)缺點(diǎn)

單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設(shè)備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽能電池片組成，每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防...

2023-11-29 標(biāo)簽：太陽能電池太陽能光伏 4381 0

多晶硅光伏板光電轉(zhuǎn)化率能達(dá)到多少呢？

太陽能光伏板的主要材料是硅，通常采用單晶硅、多晶硅或非晶硅等不同類型的硅片制成，以吸收和轉(zhuǎn)換太陽光為電能。

2023-11-25 標(biāo)簽：太陽能電池多晶硅太陽能光伏 3363 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 單晶硅 1726 0

溫度監(jiān)測(cè)電源模塊燒毀原因分析

半導(dǎo)體行業(yè)的生產(chǎn)設(shè)備有刻蝕、薄膜沉積、清洗、濕制、封裝和測(cè)試、拋光、硅晶圓制造等，這些精密生產(chǎn)設(shè)備中有電氣元器件、執(zhí)行部件、監(jiān)測(cè)控制儀器等，對(duì)供電的穩(wěn)定...

2023-10-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源模塊測(cè)溫儀 949 0

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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。

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