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標(biāo)簽 > 厚度測(cè)量
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【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案
一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差(TTV)測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,對(duì)半導(dǎo)體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要 。在實(shí)際測(cè)量過(guò)程中,數(shù)據(jù)異常情況時(shí)有發(fā)生,不...
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向
一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...
【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法
一、引言 碳化硅(SiC)憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能,成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料??偤穸绕睿═TV)作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),其精確測(cè)量對(duì)器...
探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測(cè)量方法對(duì)比評(píng)測(cè)
一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),準(zhǔn)確測(cè)量 TTV...
橢偏儀在半導(dǎo)體薄膜厚度測(cè)量中的應(yīng)用:基于光譜干涉橢偏法研究
薄膜厚度的測(cè)量在芯片制造和集成電路等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。橢偏法具備高測(cè)量精度的優(yōu)點(diǎn),利用寬譜測(cè)量方式可得到全光譜的橢偏參數(shù),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)薄膜的厚度測(cè)量。...
碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程
摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問(wèn)題,系統(tǒng)分析異常類型與成因,構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程,并提出針對(duì)性處理方法,旨在提升數(shù)據(jù)異...
wafer晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測(cè)量
在先進(jìn)制程中,厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了晶圓的幾何完整性,是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過(guò)WD4000晶圓幾何形...
2025-05-23 標(biāo)簽:翹曲度厚度測(cè)量數(shù)據(jù)測(cè)量 896 0
0.04%F·S 精度,讓鏡片厚度測(cè)量更精準(zhǔn)
隨著光學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,鏡片作為光學(xué)系統(tǒng)的核心元件,其制造精度直接影響到光學(xué)系統(tǒng)的性能。在鏡片生產(chǎn)過(guò)程中,厚度是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),需進(jìn)行高精度、高效率的測(cè)量...
半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測(cè)量設(shè)備立即下載
類別:電子資料 2024-01-18 標(biāo)簽:三維形貌厚度測(cè)量半導(dǎo)體晶圓 1.2k 0
類別:測(cè)試測(cè)量 2011-03-26 標(biāo)簽:金屬鍍覆層厚度測(cè)量 852 0
在半導(dǎo)體行業(yè)中,晶圓厚度應(yīng)該如何檢測(cè)?
隨著5G技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)以及科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體晶圓行業(yè)的需求量也在不斷增加。一般的晶圓片厚度有一定的規(guī)格,晶圓厚度對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量都有著重要...
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