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探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測量方法對比評測

新啟航半導體有限公司 ? 2025-09-10 10:26 ? 次閱讀
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一、引言

碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料,在功率器件、射頻器件等領域應用廣泛。總厚度偏差(TTV)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關鍵指標,準確測量 TTV 對保障器件性能至關重要。目前,探針式和非接觸式是碳化硅 TTV 厚度測量的兩種主要方法,深入對比評測二者特性,有助于選擇合適的測量方案,提升測量效率與準確性。

二、測量原理

2.1 探針式測量原理

探針式測量方法通常基于接觸式位移傳感原理 。測量時,探針與碳化硅襯底表面直接接觸,通過傳感器將探針因襯底表面起伏產(chǎn)生的位移轉換為電信號,進而計算出襯底不同位置的厚度 。以高精度接觸式測厚儀為例,其探針在微小壓力下與襯底表面貼合,隨著襯底表面高度變化,探針伸縮帶動位移傳感器輸出相應信號,經(jīng)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)計算得到 TTV 值 。

2.2 非接觸式測量原理

非接觸式測量方法多利用光學、電磁學等原理 。例如光學干涉法,通過向碳化硅襯底表面發(fā)射光束,光束在襯底上下表面反射后產(chǎn)生干涉條紋,根據(jù)干涉條紋的特征信息計算襯底厚度 。激光三角測量法也是常見的非接觸式測量方法,激光束照射到襯底表面,反射光被探測器接收,根據(jù)反射光的角度和位置變化,結合幾何關系計算出襯底厚度,進而得到 TTV 值 。

三、測量性能對比

3.1 測量精度

探針式測量方法理論上能實現(xiàn)較高精度,尤其是在測量表面平整的碳化硅襯底時 。但探針與襯底的接觸力控制難度大,接觸力過大會使襯底產(chǎn)生形變,導致測量誤差;接觸力過小則可能接觸不良,影響測量穩(wěn)定性 。非接觸式測量方法避免了接觸力對襯底的影響,對于表面不平整或超薄的碳化硅襯底,能更準確地反映其真實厚度 。然而,非接觸式測量易受襯底表面粗糙度、反射率等因素干擾,若襯底表面存在雜質(zhì)或缺陷,可能影響測量精度 。

3.2 測量速度

探針式測量由于每次測量都需探針與襯底接觸并采集數(shù)據(jù),對于大面積襯底測量,需逐點測量,測量速度較慢 。非接觸式測量可實現(xiàn)大面積快速掃描,如光學干涉法能一次性獲取較大區(qū)域的襯底厚度信息,測量速度明顯快于探針式測量 。在大規(guī)模生產(chǎn)檢測中,非接觸式測量方法更能滿足高效檢測需求 。

3.3 設備成本與維護

探針式測量設備結構相對簡單,硬件成本較低,但探針屬于易損件,長期使用后磨損嚴重,需定期更換,增加了使用成本 。此外,探針與襯底接觸測量,對設備的機械精度要求高,維護難度較大 。非接觸式測量設備通常集成了復雜的光學或電磁學系統(tǒng),硬件成本較高 。不過,非接觸式測量設備無需頻繁更換易損部件,且對環(huán)境條件要求相對穩(wěn)定,日常維護相對簡單 。

3.4 對樣品的適用性

探針式測量適用于表面硬度高、不易被探針劃傷的碳化硅襯底 。對于超薄或表面脆弱的襯底,接觸力可能造成不可逆損傷,不適合采用探針式測量 。非接觸式測量對樣品無接觸損傷,適用于各種類型的碳化硅襯底,包括超薄襯底、表面有特殊涂層的襯底等 。但對于表面反射率極低或透光性差的襯底,非接觸式測量可能因信號微弱難以獲取準確數(shù)據(jù) 。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術,精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題,重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結果不一致的痛點,經(jīng)不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

wKgZO2g-jKKAXAVPAATGQ_NTlYo059.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術,相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?

點掃描第三代掃頻激光技術,有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

wKgZO2g-jKeAYh0xAAUBS068td0375.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

wKgZPGg-jKqAYFs2AAGw6Lti-7Y319.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

wKgZO2d_kAqAZxzNAAcUmXvDHLM306.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

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