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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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場效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場效應(yīng)管的主體與源極端子相連,從而形成三端器件,例如場...
2023-02-27 標(biāo)簽:開關(guān)電源場效應(yīng)管晶體管 4894 0
前段時(shí)間有一個(gè)網(wǎng)友向我提出了這樣一個(gè)疑問:他問我在有些開關(guān)電源電路中,為什么會在場效應(yīng)管的柵極和驅(qū)動它的芯片之間加一個(gè)二極管。其實(shí)這是一個(gè)加速放電的二極...
2023-02-27 標(biāo)簽:二極管電流開關(guān)電源 1674 0
MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3822 0
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 6463 0
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱 FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 3786 0
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.7萬 0
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小...
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET半導(dǎo)體器件 1299 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFE...
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 4622 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—J...
2023-02-24 標(biāo)簽:放大電路場效應(yīng)管晶體管 1.5萬 0
在場效應(yīng)管家族中可以分支成三類成員,第一類是比較常用的一類,它的大名叫“絕緣柵型場效應(yīng)管”(MOSFET),它的小名叫“MOS”管,也就是題目所講的MO...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 5765 0
升壓型(Boost or Step-up)開關(guān)電源及電路圖解析
實(shí)際應(yīng)用中圖中的開關(guān)一般是場效應(yīng)管,但為了簡單和好理解起見,我們用通用開關(guān)符號替代。
2023-02-23 標(biāo)簽:開關(guān)電源電容場效應(yīng)管 4493 0
一起來學(xué)習(xí)升壓型(Boost or Step-up)開關(guān)電源
實(shí)際應(yīng)用中圖中的開關(guān)一般是場效應(yīng)管,但為了簡單和好理解起見,我們用通用開關(guān)符號替代。
2023-02-23 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源場效應(yīng)管 1943 0
首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型,我們下面都會介紹到。
2023-02-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 4307 0
今天我們來了解一下場效應(yīng)管,英文名叫Filed Effect Transistor ,簡稱FET,也是一種具有PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。
2023-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管JFET 3541 0
MOS管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。由圖可看出,對于N溝道的場效應(yīng)管其源...
2023-02-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管 2755 0
電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同。
2023-02-22 標(biāo)簽:三極管二極管場效應(yīng)管 1570 0
mos管旁邊并以二極管是防止場效應(yīng)管反向擊穿而設(shè)置的。
2023-02-21 標(biāo)簽:二極管場效應(yīng)管MOS管 1.2萬 0
增強(qiáng)型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管有什么區(qū)別?
場效應(yīng)管中,隨著Ugs的增加,在靠近二氧化硅絕緣體的P型襯底表面缺少多子,形成了耗盡層。
2023-02-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FET 4374 0
晶體管,一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管...
在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...
2023-02-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管功率器件sic器件 2224 0
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