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標(biāo)簽 > 多晶硅
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
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碳化硅的用途有哪些?碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎?
作為金屬脫氧劑,碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑,取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧,各項(xiàng)理化性能穩(wěn)定,脫氧效果好,時(shí)間縮短,提高煉鋼效率,提高鋼的質(zhì)量,...
磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨氣(NH3)這兩種副產(chǎn)品都可以溶于水。LOCOS工藝的場區(qū)氧化層生成后(或USG研磨和STI退火處理后),這個(gè)技術(shù)至今仍...
犧牲層技術(shù)自20世紀(jì)80 年代美國加州大學(xué)伯克利分校開發(fā)至今,得到了快速發(fā)展。犧牲層技術(shù)是 MEMS 工藝設(shè)計(jì)中有別于傳統(tǒng)IC制造工藝技術(shù)之一
單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵...
用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...
CMP拋光材料的介紹和應(yīng)用領(lǐng)域及市場分析
1)在單晶硅片制造環(huán)節(jié),單晶硅片首先通過化學(xué)腐蝕減薄,此時(shí)粗糙度在 10-20μm,在進(jìn)行粗拋光、細(xì)拋光、精拋光等步驟,可將粗糙度控制在幾十個(gè) nm 以...
本文開始介紹了什么是多晶硅太陽能板與多晶硅太陽能板的組件結(jié)構(gòu),其次介紹了多晶硅太陽能板五大品牌,最后介紹了四款多晶硅太陽能板的價(jià)格。
多晶硅片,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來...
在硅片厚度大于200um時(shí),使用AL-BSF的多晶硅太陽電池的效率是與硅片厚度相互獨(dú)立的。對于厚度小于200um的硅片,高基區(qū)質(zhì)量的太陽電池效率會隨著厚...
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面...
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