ltps和ips屏幕區(qū)別在哪里_哪個好

LTPS和IPS指的并不是屏幕的一個方面，LTPS指的是液晶面板的一種工藝，是一種制作技術(shù)；而IPS是一種運用在面板上的成像技術(shù)，是一種顯示技術(shù)。

2017-12-11 標簽：多晶硅ltpsips屏幕 25.4萬 0

光伏發(fā)電原理和光伏電池片技術(shù)詳解

光伏電池片領(lǐng)域降本增效是推動光伏產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的內(nèi)在牽引力，其中以提升光電轉(zhuǎn)換效率為目標的光伏電池片技術(shù)變革是推動降本增效的關(guān)鍵舉措之一。

2023-12-28 標簽：多晶硅光伏電池光伏 2.7萬 0

什么是多晶硅

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，是銀灰色、有金屬色澤的晶體，是以工業(yè)硅為原料經(jīng)一系列的物理化學(xué)反應(yīng)提純后達到一定純度的非金屬材料。

2023-02-13 標簽：多晶硅晶體單質(zhì)硅 2.0萬 0

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

2023-02-13 標簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.1萬 0

如何區(qū)分太陽能電池的多晶硅和單晶硅電路板？

太陽能電池的發(fā)展過程，主要經(jīng)歷了三個階段：第一階段，主要是多晶硅、單晶硅太陽能電池。第二階段，主要是非晶硅薄膜太陽能電池和晶硅薄膜太陽能電池。第三階段，...

2020-09-16 標簽：電源多晶硅太陽能 7474 0

CMOS模擬集成電路版圖之反相器鏈版圖設(shè)計

在命令行輸入“icfb”，運行Cadence Spectre，彈出CIW對話框。

2023-09-13 標簽：多晶硅反相器晶體管 6759 0

什么是離子注入？離子注入的應(yīng)用介紹

離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴散工藝更為精確。

2024-02-21 標簽：多晶硅mems離子注入 6009 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來監(jiān)測航空發(fā)動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標簽：多晶硅mems壓力傳感器 5572 0

硅的電阻率和方阻測定和使用問題解析

在MEMS器件設(shè)計過程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。

2024-01-13 標簽：多晶硅硅晶圓MEMS器件 5217 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機制

2023-11-29 標簽：多晶硅IGBTMOS 5003 0

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標簽：集成電路多晶硅晶體 4865 0

多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡述

當柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶...

2024-08-02 標簽：多晶硅靜電NMOS 4657 0