介紹floorplan基本規(guī)則

因?yàn)殚L(zhǎng)久以來(lái)，人們?cè)谑褂镁哂芯匦位蛘叨噙呅谓Y(jié)構(gòu)的平面石磚砌墻或者鋪地面的時(shí)候發(fā)現(xiàn)一個(gè)規(guī)律，要想更好的利用手頭的材料，更少的產(chǎn)生材料的冗余，需要先從平鋪區(qū)...

2018-06-25 標(biāo)簽：芯片ROM存儲(chǔ)單元 4.6萬(wàn) 0

PSRAM完全解讀

PSRAM的時(shí)序比較簡(jiǎn)單,主要根據(jù)各個(gè)時(shí)序圖理解每個(gè)時(shí)序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰(shuí)驅(qū)動(dòng)的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時(shí)間即DQS上升沿延...

2023-06-08 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)單元sram 4.3萬(wàn) 0

一文詳解鎖存器

　　存儲(chǔ)電路由存儲(chǔ)器件組成,能存儲(chǔ)一位二值信號(hào)的器件稱(chēng)為存儲(chǔ)單元電路. 存儲(chǔ)單元電路大多是雙穩(wěn)態(tài)電路。

2023-03-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)單元控制電路信號(hào) 3.4萬(wàn) 0

什么是DRAM_DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖

最近幾年，電子產(chǎn)品的價(jià)格走勢(shì)不斷降低，大家也覺(jué)得日后的電子產(chǎn)品會(huì)越來(lái)越便宜，但事實(shí)是從去年開(kāi)始，手機(jī)、電腦、家電等產(chǎn)品價(jià)格一直在持續(xù)漲價(jià)，而這其中的主要...

2020-08-24 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)單元 1.6萬(wàn) 0

SLC,MLC和TLC參數(shù)比較

閃存發(fā)展到現(xiàn)在，經(jīng)歷了2D平面到現(xiàn)在的3D立體制程（Process）的大發(fā)展，目標(biāo)只有一個(gè)：硅片單位面積（mm2）能設(shè)計(jì)生產(chǎn)出更多的比特（bits），讓...

2018-06-22 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)單元SSD 1.5萬(wàn) 0

一文詳解主從觸發(fā)器

　　利用一個(gè)稱(chēng)為“時(shí)鐘”的特殊定時(shí)控制信號(hào)去限制存儲(chǔ)單元狀態(tài)的改變時(shí)間,具有這種特點(diǎn)的存儲(chǔ)單元電路稱(chēng)為觸發(fā)器。

2023-03-16 標(biāo)簽：RS存儲(chǔ)單元主從觸發(fā)器 1.4萬(wàn) 0

一文解析DARM工藝流程

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的工藝流程包括多個(gè)關(guān)鍵步驟。

2024-04-05 標(biāo)簽：電容晶圓存儲(chǔ)單元 7772 0

NOR Flash的技術(shù)體系和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并對(duì)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的基本原理以及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行介紹。

2023-09-22 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)單元GND 6946 0

SDRAM芯片引腳說(shuō)明和存儲(chǔ)單元

SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步指存儲(chǔ)器的工作需要參考時(shí)鐘。

2023-04-04 標(biāo)簽：芯片SDRAM存儲(chǔ)器 6830 0

DDR容量計(jì)算方法

全稱(chēng)為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)...

2023-06-23 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元 6304 0

DRAM的矩陣存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)方案

DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，...

2020-12-01 標(biāo)簽：DRAMcpu存儲(chǔ)單元 5603 0

為什么語(yǔ)句的不完整會(huì)導(dǎo)致鎖存器的產(chǎn)生？

時(shí)序電路，生成觸發(fā)器，觸發(fā)器是有使能端的，使能端無(wú)效時(shí)數(shù)據(jù)不變，這是觸發(fā)器的特性。

2020-06-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)單元時(shí)序電路鎖存器 5194 0

串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性(1)

引言：串行Nor Flash是一類(lèi)使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)...

2023-08-11 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元 4022 0