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浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

近年來，電力電子技術取得了重大進展。從電動汽車到可再生能源系統(tǒng)，逆變器在直流電轉換為交流電的過程中發(fā)揮著關鍵作用。傳統(tǒng)上，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等...

2025-04-25 標簽：逆變器功率器件寬禁帶 176 0

半導體材料發(fā)展史：從硅基到超寬禁帶半導體的跨越

半導體材料是現代信息技術的基石，其發(fā)展史不僅是科技進步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導體，每一代材料的...

2025-04-10 標簽：半導體材料寬禁帶 336 0

全天直播即將開啟丨英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇四大亮點搶先看

寬禁帶（WBG）解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸，它們是實現可持續(xù)設計的關鍵。英飛凌的WBG產品組合表現如何？能為開發(fā)...

2025-03-06 標簽：英飛凌寬禁帶 245 0

碳化硅的應用領域碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

碳化硅的應用領域碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理和化學特性，在多個領域展現出廣泛的應用潛力。以下是碳化硅的一些主要應用領域：...

2024-11-29 標簽：電動汽車半導體材料碳化硅 4355 0

聞泰科技與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作伙伴關系

近日，聞泰科技半導體業(yè)務宣布與全球知名汽車供應商KOSTAL（科世達）正式建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。這一合作旨在共同開發(fā)和生產更符合汽車應用嚴苛要求的車規(guī)級...

2024-11-11 標簽：半導體寬禁帶聞泰科技 794 0

2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產品首次亮相

英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導體技術推進可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產品，偕同英飛凌智能家居方...

2024-07-04 標簽：英飛凌 MOSFET 寬禁帶 699 0

2024英飛凌寬禁帶論壇開幕在即：行業(yè)精英齊聚，共話前沿技術

7月9日，英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應用的最新發(fā)展成果，與行業(yè)伙伴一道深入...

2024-06-28 標簽：英飛凌慕尼黑寬禁帶 977 0

英飛凌電子書發(fā)布 | 氮化鎵2024年預測與展望

目前，我們正處于能源轉型期，亟需采取行動以應對全球變暖，確保未來的美好生活。為實現這個目標，我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲能和用電的方式。能源、經...

2024-04-26 標簽：英飛凌氮化鎵寬禁帶 504 0

光谷誕生全球集成度最高光電芯片

丁琪超重點介紹了實驗室的6個技術能力體系。如實驗室核心技術方向之一的“異質集成”，能通過8英寸硅集成不同化合物半導體材料，發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢特性，集成相關芯片。

2024-04-11 標簽：MOSFET 無源器件碳化硅 941 0

意法半導體寬禁帶研討會圓滿舉行

近日，全球寬禁帶領域的領軍企業(yè)意法半導體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領域專業(yè)嘉賓的熱烈追捧。

2024-03-28 標簽：意法半導體寬禁帶 797 0

第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。在眾多...

2023-09-26 標簽：二極管功率器件碳化硅 1172 0

泰克示波器MSO58B在寬禁帶、雙脈沖測試中的解決方案

根據用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務，加快有關 SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗證。通過以下方式幫助...

2023-07-07 標簽：測試示波器寬禁帶 851 0

搶占席位｜2023英飛凌寬禁帶應用技術發(fā)展論壇

主辦單位：英飛凌科技（中國）有限公司協(xié)辦單位：慕尼黑展覽（上海）有限公司合作媒體：世紀電源網、電源網：7月11日：上海國家會展中心伴隨科技高速發(fā)展，隨之...

2023-06-30 標簽：英飛凌寬禁帶 945 0

什么是寬禁帶半導體？

第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（I...

2023-05-06 標簽：半導體寬禁帶 5029 0

寬禁帶半導體實現規(guī)模性量產的跨越！

國際半導體市場研究機構Yole預測，到2027年，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到約63億美元，其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達到近50億美元，占比...

2023-05-30 標簽：新能源汽車寬禁帶寬禁帶半導體 1041 0

氮化鎵的性質與穩(wěn)定性以及應用領域

氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標簽：半導體材料氮化鎵寬禁帶 2365 0

意法半導體新廠2023年開始投產加強碳化硅組件及解決方案襯底供應

意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，...

2022-10-08 標簽：晶圓意法半導體碳化硅 1789 0

當今和未來的電力電子寬禁帶材料

今天，我們正處于電力電子新時代的早期階段，該時代將塑造未來幾十年。具有電池供電或混合動力發(fā)動機的電動汽車需求量很大，最終將取代汽油和柴油汽車。

2022-08-03 標簽：電力電子數據中心寬禁帶 985 0

寬禁帶材料測試

寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應...

2022-08-02 標簽：半導體功率器件 SiC 1277 0

打造南沙“強芯”，南沙首屆IC Nansha大會召開

6月25日，2022 中國·南沙國際集成電路產業(yè)論壇在廣州南沙召開。本次峰會由廣州南沙經濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會、廣州市工業(yè)和信息化局主辦；支持單位為廣州...

2022-06-28 標簽：半導體 IC 寬禁帶 1768 0

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