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當(dāng)今和未來的電力電子寬禁帶材料

賈虎世 ? 來源:廣州洋釩 ? 作者:廣州洋釩 ? 2022-08-03 14:09 ? 次閱讀
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今天,我們正處于電力電子新時(shí)代的早期階段,該時(shí)代將塑造未來幾十年。具有電池供電或混合動(dòng)力發(fā)動(dòng)機(jī)的電動(dòng)汽車需求量很大,最終將取代汽油和柴油汽車。這些車輛從交流電網(wǎng)連接中獲取能量,在這種情況下,車載充電器為車輛電池充電,或從快速外部直流充電器充電,在充電期間直接連接到車輛電池。由于從能源的角度或從環(huán)境的角度來看,用燃煤發(fā)電站的電力為車輛提供動(dòng)力是沒有意義的,因此對(duì)太陽能和風(fēng)能的需求正在快速增長(zhǎng),同時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)也在儲(chǔ)存能量以備不時(shí)之需。因此,電動(dòng)汽車、車載充電器、電動(dòng)汽車充電站、太陽能、風(fēng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)的市場(chǎng)正在快速增長(zhǎng)。

電力電子市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的一個(gè)例子

電力電子快速增長(zhǎng)的另一個(gè)領(lǐng)域是數(shù)據(jù)中心使用的組件,這是由于云計(jì)算人工智能和在線互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)的使用增加。不間斷電源為這些數(shù)據(jù)中心提供可靠的電力。數(shù)據(jù)中心電子設(shè)備中的電路板包含許多板載電源,可將主輸入電壓轉(zhuǎn)換為 48 V,然后轉(zhuǎn)換為用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)中心中的處理器、FPGA 和存儲(chǔ)器的低電壓。

這些新應(yīng)用需要高效率和高功率密度。車載 EV 充電器不應(yīng)占用太多車內(nèi)空間。車載充電器的新發(fā)展允許相同的空間,但必須提供雙倍的功率。公用事業(yè)規(guī)模太陽能農(nóng)場(chǎng)中使用的太陽能逆變器是使用模塊化單元建造的,可以由兩個(gè)人移動(dòng)。在不增加重量的情況下增加該單元的功率是太陽能逆變器的主要發(fā)展趨勢(shì)。最后,在電池供電的車輛中,更高的效率會(huì)轉(zhuǎn)化為更長(zhǎng)的續(xù)航里程。更高的功率密度意味著更輕的車輛,這也將導(dǎo)致更長(zhǎng)的行駛里程以及車輛設(shè)計(jì)的更大靈活性。

在這些應(yīng)用中,硅功率半導(dǎo)體正被碳化硅和氮化鎵功率開關(guān)所取代。SiC 和 GaN 是寬帶隙材料,與傳統(tǒng)的硅基功率開關(guān)(例如 IGBT 或硅 MOSFET)相比,它們?cè)试S功率開關(guān)在更高的溫度、更高的頻率和更高的電壓下工作。

雖然它們經(jīng)常一起被提及,但 SiC 和 GaN 之間存在一些重要差異,從而導(dǎo)致不同的使用領(lǐng)域。

對(duì)于給定的 R DS(on)和擊穿電壓,與 SiC 器件相比,GaN 器件具有更低的總電容。然而,與GaN相比,SiC具有更好的導(dǎo)熱性和更平坦的溫度系數(shù),使得SiC在大功率和高溫應(yīng)用中更受歡迎。SiC 在需要 650 V 或更高設(shè)備的應(yīng)用中找到了自己的方法,而 GaN 在 100 V 和 650 V 之間的應(yīng)用中找到了自己的方法。額定擊穿電壓約為 100 V 的 GaN 設(shè)備用于中壓功率轉(zhuǎn)換48 V 降至更低電壓。該電壓范圍適用于隔離總線轉(zhuǎn)換器的云計(jì)算和電信基礎(chǔ)設(shè)施。此外,用于云計(jì)算和 USB PD 應(yīng)用的 AC/DC 電源將包含 650V GaN 電源開關(guān),這是 AC/DC 轉(zhuǎn)換的正確額定電壓,具有 90 VAC 至 265 VAC 的通用輸入電壓范圍。GaN 的高頻率使得電源的無源元件可以小得多,從而形成極其緊湊的整體解決方案。

寬帶隙應(yīng)用

相比之下,碳化硅器件專為 650 V 及更高電壓而設(shè)計(jì)。SiC 在 1,200 V 及更高電壓下成為各種應(yīng)用的最佳解決方案。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè) AC/DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用都將遷移到 SiC。

前面提到的新市場(chǎng)將推動(dòng)新市場(chǎng)。對(duì)交流中壓電網(wǎng)電壓的高效功率轉(zhuǎn)換有著強(qiáng)烈的需求。碳化硅在固態(tài)變壓器方面具有廣闊的前景,其中目前的銅磁變壓器被半導(dǎo)體取代,從而提高效率,減少諧波,增強(qiáng)電網(wǎng)穩(wěn)定性。電力電子領(lǐng)域的下一場(chǎng)革命已經(jīng)來臨。嶄露頭角的 SiC 和 GaN 將有助于使電力電子的未來變得更高效、更緊湊,適用于各種應(yīng)用。

審核編輯:彭靜
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