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標(biāo)簽 > 寄生電感
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UCC24636 具有超低待機(jī)電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動器,用于在非連續(xù) (DCM) 和 過渡模式 (TM)。與測量 ...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 339 0
瓷介電容器是一種使用陶瓷材料作為介質(zhì)的電容器,廣泛應(yīng)用于電子電路中,用于儲存和釋放電能、濾波、去耦、諧振等。由于陶瓷材料的介電常數(shù)較高,瓷介電容器通常具...
GaNSense?半橋IC可提高效率并降低成本,賦能電機(jī)集成逆變器
電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)消耗了歐洲近50%的電力 ,因此政府制定了相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn),以確保盡可能高效地使用電力,同時盡量減少對電網(wǎng)的影響和擾亂。
2024-05-30 標(biāo)簽:逆變器電平轉(zhuǎn)換器寄生電感 889 0
基于ADI LTC1871的實例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來的影響
講解如何利用LTC1871 升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的仿真電路來檢查開關(guān)波形,并觀察寄生電感變化時的 PCB 布局。
安建半導(dǎo)體推出針對大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件
近年來,工業(yè)及消費市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。
如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點諧波噪聲
降壓轉(zhuǎn)換器IC的開關(guān)節(jié)點容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲,緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一,本節(jié)簡述如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點諧波噪聲。
用FAN73711浮驅(qū)芯片,在起機(jī)時沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象,基本能夠正常工作,但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會發(fā)生炸機(jī),比如在源跳變時會發(fā)生PFC炸機(jī)。
基于ANSYS的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的數(shù)字設(shè)計方案
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體需要具有更低的寄生電感和電容的封裝。為了實現(xiàn)這一目標(biāo),提出了新的包裝解決方案,以增加集成度。
在電路PCB設(shè)計中,地平面設(shè)計是一個重要的組成部分,PCB地平面的設(shè)計不僅關(guān)乎到電子產(chǎn)品的工作性能,而且對于EMC方面的影響也是息息相關(guān)。
2024-03-19 標(biāo)簽:開關(guān)電源emiPCB設(shè)計 3386 0
如何實現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計與開發(fā)呢?
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā),...
從儲能角度理解電容容易造成一種錯覺,認(rèn)為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認(rèn)為儲能作用發(fā)生在低頻段,不容易向高頻擴(kuò)展。實際上,從儲能角度理解,可以解釋任何電...
2024-03-04 標(biāo)簽:電容電源系統(tǒng)寄生電感 612 1
PCB設(shè)計中的串?dāng)_是什么意思?如何減少PCB設(shè)計中的串?dāng)_呢?
幾乎所有電子設(shè)備的制造過程都使用焊料,通過焊料將電子元器件與PCB連接起來。在以前,通常選用的都是有焊料,但是目前,最受歡迎的應(yīng)該是無鉛焊料。
2024-02-27 標(biāo)簽:PCB設(shè)計寄生電感電磁場 2313 0
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