SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...

2023-02-16 標(biāo)簽：封裝技術(shù)功率器件SiC 4593 0

射頻芯片和基帶芯片的關(guān)系 發(fā)射電路的結(jié)構(gòu)和工作原理

射頻芯片封裝方面，5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對(duì)電路性能影響更大，封裝時(shí)需要減小信號(hào)連接線的長(zhǎng)度。

2023-02-15 標(biāo)簽：功率放大器封裝技術(shù)射頻芯片 3007 0

柔性可拉伸封裝技術(shù)領(lǐng)域研究成果

研究團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)用該液態(tài)金屬密封復(fù)合材料對(duì)基于水系電解質(zhì)的可拉伸鋰離子電池進(jìn)行封裝和性能測(cè)試（圖2A, B）。測(cè)試發(fā)現(xiàn)，在自然未拉伸狀態(tài)下，封裝的鋰離子電池可...

2023-02-06 標(biāo)簽：鋰離子電池封裝技術(shù)復(fù)合材料 1352 0

無(wú)可替代的封裝技術(shù)LTCC——工藝及設(shè)備篇

LTCC工藝流程大致步驟為：粉料制備—漿料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—疊層—層壓—排膠—燒結(jié)—檢測(cè)。其詳細(xì)工藝流程圖如下

2023-02-01 標(biāo)簽：封裝技術(shù)LTCC工藝流程 5794 0

高功率半導(dǎo)體激光器過(guò)渡熱沉封裝技術(shù)研究

摘要：近些年，在市場(chǎng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來(lái)越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時(shí)封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對(duì)半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...

2023-01-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器封裝 3168 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。

2023-01-17 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 849 1

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2023-01-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝封裝技術(shù) 2185 0

一文解析微電子制造和封裝技術(shù)

微電子技術(shù)作為當(dāng)今工業(yè)信息社會(huì)發(fā)展最快、最重要的技術(shù)之一，是電子信息產(chǎn)業(yè)的“心臟”。而微電子技術(shù)的重要標(biāo)志，正是半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的飛速進(jìn)步和發(fā)展。

2023-01-06 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)微電子制造 2358 0

一文詳解精密封裝技術(shù)

一文詳解精密封裝技術(shù)

2022-12-30 標(biāo)簽：電子產(chǎn)品IC封裝 1918 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)解析

半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測(cè)試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...

2022-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 4786 0

一文解析芯片堆疊封裝技術(shù)

移動(dòng)電話技術(shù)變革，AP+內(nèi)存堆棧技術(shù)運(yùn)動(dòng)，Interposer第一處理芯片

2022-11-30 標(biāo)簽：移動(dòng)電話封裝技術(shù)芯片堆疊 2352 0

微電子封裝技術(shù)探討

本文對(duì)微電子封裝技術(shù)進(jìn)行了研究，簡(jiǎn)要地對(duì)微電子封裝技術(shù)進(jìn)行了分析，并詳細(xì)地介紹了目前在生產(chǎn)中使用較為廣泛的BGA封裝技術(shù)、CSP封裝技術(shù)以及3D封裝技術(shù)...

2022-11-28 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGACSP 2028 0

晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)的可靠性管理

5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上，并利用 Si 中介層上的高密度走線進(jìn)行互連。

2022-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 1739 0

LTCC技術(shù)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用市場(chǎng)和發(fā)展前景

低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)技術(shù)是一種新型微電子封裝技術(shù)，它集多層互連、埋置無(wú)源元件和氣密...

2022-09-19 標(biāo)簽：封裝技術(shù)微電子LTCC 1894 0

IC封裝技術(shù)定義

? ? ? ? 審核編輯：彭靜

2022-08-09 標(biāo)簽：IC封裝技術(shù) 497 0

先進(jìn)封裝呼聲漸漲 Chiplet或成延續(xù)摩爾定律新法寶

通富微電、華天科技也表示已儲(chǔ)備Chiplet相關(guān)技術(shù)。Chiplet是先進(jìn)封裝技術(shù)之一，除此以外，先進(jìn)封裝概念股也受到市場(chǎng)關(guān)注。4連板大港股份表示已儲(chǔ)備...

2022-08-08 標(biāo)簽：摩爾定律封裝技術(shù)chiplet 1403 0

一文解析扇出型封裝技術(shù)

常見的Fan-In(WLCSP)通?？梢苑譃锽OP(Bump On Pad)和RDL(Redistribution Layer)。BOP封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，B...

2022-07-25 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)芯片封裝 2.3萬(wàn) 1

晶圓鍵合中使用的主要技術(shù)

晶片鍵合是指通過(guò)一系列物理過(guò)程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過(guò)程。晶片鍵合用于各種技術(shù)，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)...

2022-07-21 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)晶片鍵合 3512 0

一文詳解芯片封裝技術(shù)

也稱CPAC(globe top pad array carrier)。球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代...

2022-07-10 標(biāo)簽：芯片封裝技術(shù)BGA 3560 0