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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。
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射頻和無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品領(lǐng)域可以使用非常廣泛的封裝載體技術(shù),它們包括引線(xiàn)框架、層壓基板、低溫共燒陶瓷(LTCC)和硅底板載體(Si Backplane)。由于不斷...
深度解析車(chē)規(guī)級(jí)芯片封裝技術(shù)
按功能種類(lèi)劃分,車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體大致可分為主控/計(jì)算類(lèi)芯片(MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等)、功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)、傳感器(...
2023-04-18 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)封裝技術(shù)車(chē)規(guī)級(jí)芯片 917 0
裸芯通過(guò)微凸點(diǎn)組裝到Interposer上,如上圖所示。其Interposer上堆疊了三顆裸芯。Interposer包括兩種類(lèi)型的互聯(lián):①由微凸點(diǎn)和In...
全面詳解車(chē)規(guī)級(jí)芯片封裝技術(shù)
按功能種類(lèi)劃分,車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體大致可分為主控/計(jì)算類(lèi)芯片(MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等)、功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)、傳感器(...
2023-04-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器封裝技術(shù)車(chē)規(guī)級(jí)芯片 4195 0
封裝技術(shù)的發(fā)展歷程 存儲(chǔ)器容量需求是否影響芯片技術(shù)
扇出型晶圓級(jí)封裝(Fan-out wafer-level packaging, 簡(jiǎn)稱(chēng)Fan-out WLP):通過(guò)擴(kuò)展芯片,在外部區(qū)域形成一個(gè)用于外部連...
Infineon芯片是一種多集成的無(wú)線(xiàn)基帶SoC芯片。功能(GPS、調(diào)頻收音機(jī)、BT.)同樣的eWLB產(chǎn)品也有自2010年以來(lái),諾基亞一直在生產(chǎn)手機(jī)。
Chiplet無(wú)法規(guī)?;涞氐闹饕夹g(shù)難點(diǎn)
隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場(chǎng)景的爆發(fā),對(duì)算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSM...
Lge(無(wú)線(xiàn)基帶)、Samsung(基帶調(diào)制解調(diào)器)和Nokia(基帶調(diào)制解調(diào)器和射頻收發(fā)器)使用了Infineon的eWLB他們的手機(jī)產(chǎn)品。
2023-03-27 標(biāo)簽:調(diào)制解調(diào)器封裝技術(shù)3D芯片 927 0
隨著電子產(chǎn)品走向短小輕薄以及多功能化,印制線(xiàn)路板也向著線(xiàn)路高密度高精細(xì)度、高頻率、高厚徑比方向發(fā)展,為了滿(mǎn)足電子產(chǎn)品的小型化,高密度化和輕量化的要求,封...
三維封裝技術(shù)是指在二維封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步向垂直方向發(fā)展的微電子組裝技術(shù)。
引線(xiàn)鍵合:特點(diǎn) ●批量、自動(dòng); ●鍵合參數(shù)可精密控制,導(dǎo)線(xiàn)機(jī)械性能重復(fù)性高, ●高速焊接: 100- 125ms/互連
探秘半導(dǎo)體制造全流程:從晶圓加工到封裝測(cè)試
前一個(gè)步驟完成后,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助于降...
深度解讀2.5D/3D及Chiplet封裝技術(shù)和意義
雖然Chiplet異構(gòu)集成技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化剛剛開(kāi)始,但其已在諸多領(lǐng)域體現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用范圍從高端的高性能CPU、FPGA、網(wǎng)絡(luò)芯片到低端的藍(lán)牙、物聯(lián)網(wǎng)及...
長(zhǎng)電科技針對(duì)QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過(guò)的封裝體通過(guò)沖壓的方式從整條框架上分離出來(lái),而以陣列式排布的封裝...
先進(jìn)封裝三種技術(shù):IPD/Chiplet/RDL技術(shù)
工藝選擇的靈活性。芯片設(shè)計(jì)中,并不是最新工藝就最合適。目前單硅SoC,成本又高,風(fēng)險(xiǎn)還大。像專(zhuān)用加速功能和模擬設(shè)計(jì),采用Chiplet,設(shè)計(jì)時(shí)就有更多選擇。
2023-03-08 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù)晶圓工藝 1.4萬(wàn) 0
探究異構(gòu)集成時(shí)代封裝技術(shù)的意義、作用
們來(lái)看封裝工藝的四項(xiàng)主要功能。第一也是最基本的,保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受外部沖擊或損壞。第二,將外部電源傳輸至芯片,以確保芯片的正常運(yùn)行。
2023-03-08 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體封裝異構(gòu)集成 782 0
封裝技術(shù)發(fā)展歷程和競(jìng)爭(zhēng)格局大解析
目前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線(xiàn))將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線(xiàn)鍵合工藝,先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)...
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類(lèi)別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線(xiàn))將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線(xiàn)鍵合工藝,先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)方...
開(kāi)關(guān)電源功率器件熱設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源熱設(shè)計(jì)是指在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中,通過(guò)合理的熱設(shè)計(jì)技術(shù),使電源能夠在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)正常工作。開(kāi)關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的主要技術(shù)包括熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)...
2023-02-16 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源封裝技術(shù)熱設(shè)計(jì) 1240 0
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