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標(biāo)簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過(guò)程,簡(jiǎn)單地說(shuō),就是把Foundry生產(chǎn)出來(lái)的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來(lái),然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞,“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過(guò)程和動(dòng)作;
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電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管甚至是雙二極管。
集成電路封測(cè)是集成電路產(chǎn)品制造的后道工序,包含封裝與測(cè)試兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。集成電路封裝是指將集成電路與引腳相連接以達(dá)到連接電信號(hào)的目的,并使用塑料、金屬、陶...
芯片堆疊技術(shù)在系統(tǒng)級(jí)封裝SiP中的應(yīng)用存?
為什么芯片可以進(jìn)行堆疊呢?這里面我們講的主要是未經(jīng)過(guò)封裝的裸芯片。曾經(jīng)有用戶問(wèn)我,封裝好的芯片可不可以進(jìn)行堆疊呢?一般來(lái)說(shuō)是不可以的,因?yàn)榉庋b好的芯片引...
LTM4657 是采用相同引腳配置的高效率微型封裝降壓器 μModule? 器件系列中的一款產(chǎn)品。與LTM4626 和 LTM4638 相比,它的開(kāi)關(guān)頻...
2023-02-10 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)封裝降壓器 992 0
物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無(wú)源器件均安裝在基板平面,芯片和無(wú)源器件和 XY 平面直接接觸,基板上的布線和過(guò)孔均位于 XY 平面下方;電氣連接:均需要通過(guò)基板(...
封裝熱分析計(jì)算器 (PTA) 是為 HP 50g 計(jì)算器編寫(xiě)的程序,有助于分析 IC 封裝熱。使用數(shù)據(jù)表參數(shù),從芯片(結(jié)點(diǎn))、外殼到環(huán)境跟蹤熱量和耗散。...
為何我們的封裝邏輯器件始終符合您的生產(chǎn)戰(zhàn)略
作為專門提供分立器件的全球供應(yīng)商,安世半導(dǎo)體一直致力于推動(dòng)當(dāng)今各類邏輯封裝器件的發(fā)展。我們的創(chuàng)新過(guò)程由設(shè)計(jì)師領(lǐng)導(dǎo),專注于打造節(jié)能而緊湊的系統(tǒng)。隨著器件一...
隨著電路的縮小,熱性能變得非常重要。我們將LFPAK88的熱性能與D2PAK進(jìn)行了比較,發(fā)現(xiàn)LFPAK88的性能非常好。
帶有可濕性側(cè)面的無(wú)引腳DFN封裝助力于實(shí)現(xiàn)PCB焊點(diǎn)的AOI
對(duì)于所有設(shè)計(jì)人員而言,如何在更為緊湊的空間內(nèi)增添更多功能一直以來(lái)都是一個(gè)非常大的的挑戰(zhàn)。而這一挑戰(zhàn)也促使大多數(shù)行業(yè)越來(lái)越多地采用小型化的無(wú)引腳封裝,此類...
DFN封裝在發(fā)動(dòng)機(jī)倉(cāng)環(huán)境下有很好的散熱性能
每個(gè)電子應(yīng)用電路系統(tǒng)都面臨著其獨(dú)特的挑戰(zhàn)。大至汽車和工業(yè)應(yīng)用,小至可穿戴設(shè)備,如何解決熱特性問(wèn)題都變得越來(lái)越重要。隨著我們?cè)谠絹?lái)越小的空間中集成越來(lái)越多...
2023-02-10 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)封裝DFN 2053 0
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評(píng)估-PMDE封裝的實(shí)機(jī)評(píng)估
關(guān)鍵要點(diǎn):在此次比較評(píng)估中,盡管 PMDE封裝的尺寸更小,但其封裝溫度Tc和效率卻達(dá)到了與PMDU同等的水平。如果效率同等,則可以推斷Tj也同等,這表明...
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評(píng)估-PMDE封裝的散熱性能 (仿真)
關(guān)鍵要點(diǎn):在PCB實(shí)際安裝狀態(tài)下,隨著銅箔面積的增加,熱量變得更容易擴(kuò)散,因而能夠提高散熱性能。如果銅箔面積過(guò)小,PMDE的Rth(j-a)會(huì)比PMDU...
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評(píng)估-PMDE封裝的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)
PMDE與PMDU封裝:外形比較 下面是PMDE和PMDU的外形比較圖。新封裝PMDE與傳統(tǒng)的PMDU封裝相比,安裝面積削減了約40%,盡管如此,通過(guò)將...
實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)
轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
功率MOSFET封裝向來(lái)尺寸較大,因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能,提高了器件整體安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2P...
2023-02-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 1231 0
為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要,Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID,將功率密...
把客觀事物封裝成抽象的類,并且類可以把自己的數(shù)據(jù)和方法只讓可信的類或者對(duì)象操作,對(duì)不可信的進(jìn)行信息隱藏。封裝是面向?qū)ο蟮奶卣髦?,是?duì)象和類概念的主要特...
2023-02-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)封裝代碼 464 0
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
電阻的成分屬性描述了制造電阻本身的材料,而不是安裝電阻的外部封裝材料或基板。不同的成分意味著結(jié)構(gòu)上存在一些差異,并導(dǎo)致有不同特征,使某些類型更適合某些應(yīng)...
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