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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>LFPAK系列全新8*8封裝提升功率效率

LFPAK系列全新8*8封裝提升功率效率

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自己制作的PCB SO-8封裝庫資料免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是自己制作的PCB SO-8封裝庫資料免費(fèi)下載。
2019-05-28 08:00:000

紅米Note8系列相比Note7系列,有哪些提升

8月29日,踩著全球首發(fā)6400萬像素?cái)z像頭云彩的紅米Note8系列發(fā)布,售價999元起,最高1799元。紅米Note8系列相比Note7系列,有哪些提升?
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2022-05-16 15:06:2817

先進(jìn)的LFPAK MOSFET技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度,適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:114328

電源封裝發(fā)展提升能源效率

電源封裝發(fā)展提升能源效率
2022-11-04 09:52:220

天鈺原廠原裝FR9608芯片,SOP-8封裝,固定340kHz開關(guān)頻率

天鈺原廠原裝FR9608芯片,SOP-8封裝,固定340kHz開關(guān)頻率
2022-11-23 14:29:201316

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 溝道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 溝道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF
2023-02-07 20:09:170

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80V,2.8mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,10mOhmN溝道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、10 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF
2023-02-09 21:55:100

權(quán)衡LFPAK的好處

您可能已經(jīng)聽說過LFPAK為設(shè)計(jì)師帶來的好處,其設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,可提供最佳的熱和電氣性能,成本和可靠性。它現(xiàn)在被公認(rèn)為事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)功率SO8封裝,這一事實(shí)表明了LFPAK在過去15年中
2023-02-13 10:09:132015

LFPAK33中的N溝道 40V,8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7M8R0-40E

LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7M8R0-40E
2023-02-22 18:44:450

LFPAK56中的N溝道 80V,8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-80YL

LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510

N 溝道 LFPAK 60V,8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R5-60YS

N 溝道 LFPAK 60 V、8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R5-60YS
2023-02-23 18:46:320

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,9 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500

SOP8封裝的語音芯片有哪些呢?

SOP封裝則是一種有引腳的封裝形式,引腳從兩側(cè)引出,呈海鷗翼狀(L形),SOP8表示引腳數(shù)為8。
2023-04-13 14:19:083199

SOP8封裝的語音芯片有哪些優(yōu)勢?

SOP8封裝(小輪廓封裝)是一種非常常見的芯片封裝形式,適用于各種類型的芯片,包括語音芯片。
2023-05-26 09:10:421551

美浦森半導(dǎo)體DFN8*8封裝外形產(chǎn)品上線

2021-01-15美浦森半導(dǎo)體DFN8*8封裝外形產(chǎn)品上線隨著半導(dǎo)體技術(shù)快速的發(fā)展,5G時代的到來,各類現(xiàn)代化產(chǎn)品不斷向著高壓、大電流、高功率、高頻率的方向發(fā)展;小體積,低能耗,高效率的產(chǎn)品外形
2022-04-29 16:26:105559

瞬變抑制二極管陣列SO-8封裝,有哪些型號?

接下來要分享的是ESD靜電防護(hù)器件SO-8封裝產(chǎn)品常用型號:DW2.8-4LVUB-S、DW2.8-4LVU-S、DW2.8-8LVU-S、DW3.3-2PLC-S、DW3.3-4RDA-S、DW05-4RDA-S、DW06-2PLC-S、DW15-7MDA-S…
2022-04-29 17:43:563063

SOP8封裝的語音芯片有哪些優(yōu)勢?

SOP8封裝(小輪廓封裝)是一種非常常見的芯片封裝形式,適用于各種類型的芯片,包括語音芯片。SOP8封裝語音芯片具有以下優(yōu)勢:1.體積?。篠OP8封裝芯片的面積僅為1.9mmx3mm,厚度約為
2023-05-31 16:26:122861

安世|采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET),該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:101797

WTN6170-8S語音芯片:SOP8封裝賦能,170秒時長播放引領(lǐng)行業(yè)新標(biāo)桿

在語音芯片領(lǐng)域里,唯創(chuàng)知音一直以來都是技術(shù)的驅(qū)動者和創(chuàng)新的引領(lǐng)者。其最新的WTN6170-8S語音芯片再次證明了這一點(diǎn),以SOP8封裝,支持長達(dá)170秒的語音內(nèi)容播放,將語音芯片的性能推向了新的高度
2023-11-27 10:18:19945

唯創(chuàng)知音WTN6170-8S語音芯片:SOP8封裝賦能,170秒時長播放引領(lǐng)行業(yè)新標(biāo)桿

在語音芯片領(lǐng)域里,唯創(chuàng)知音一直以來都是技術(shù)的驅(qū)動者和創(chuàng)新的引領(lǐng)者。其最新的WTN6170-8S語音芯片再次證明了這一點(diǎn),以SOP8封裝,支持長達(dá)170秒的語音內(nèi)容播放,將語音芯片的性能推向了新的高度
2023-11-27 10:09:431266

意法半導(dǎo)體STM8L050低成本8引腳內(nèi)集成豐富的模擬外設(shè)和DMA控制器

意法半導(dǎo)體推出了全新8位微控制器STM8L050的推出,以提升低成本、低功耗8位微控制器(MCU)的功能集成度。作為超高能效的STM8L系列的產(chǎn)品,STM8L050在低成本的SO-8封裝基礎(chǔ)上,集成了多達(dá)6個用戶I/O接口的豐富的模擬外設(shè)、DMA控制器和獨(dú)立的數(shù)據(jù)EEPROM。
2024-01-18 15:46:101195

MSOP8封裝中集成復(fù)位的250 mA LDO穩(wěn)壓器TPS779系列數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MSOP8封裝中集成復(fù)位的250 mA LDO穩(wěn)壓器TPS779系列數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-04 10:43:460

PW5012 ESOP8封裝 集成22mΩ功率開關(guān)管的高功率異步升壓轉(zhuǎn)換器IC

PW5012 ESOP8封裝 集成22mΩ功率開關(guān)管的高功率異步升壓轉(zhuǎn)換器IC
2024-03-28 13:27:121201

威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-10 10:48:121771

Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422284

SemiQ將S7封裝添加至其QSiC?高性能功率模塊系列

SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝,該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性,能夠?yàn)樾略O(shè)計(jì)提供緊湊
2024-08-16 11:18:421221

設(shè)計(jì)SO-8封裝的詳細(xì)步驟和注意事項(xiàng)

設(shè)計(jì) SO-8(Small Outline-8)芯片的 PCB 封裝需要遵循一定的規(guī)范和步驟。SO-8 是一種常見的表面貼封裝,具有 8 個引腳,引腳間距通常為 1.27mm(50 mil)。以下是設(shè)計(jì) SO-8 封裝的詳細(xì)步驟和注意事項(xiàng):
2025-02-06 15:24:265113

新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311022

光頡科技TR50-RF系列TO-220封裝功率電阻器應(yīng)用解析

在開關(guān)電源、UPS系統(tǒng)、工業(yè)自動化控制器等電力電子設(shè)備中,功率電阻器扮演著不可或缺的角色。光頡科技推出的TR50-RF系列厚膜功率電阻,憑借TO-220封裝的優(yōu)良散熱特性和高達(dá)50W的功率處理能力
2025-11-11 11:57:54240

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