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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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在當(dāng)今復(fù)雜而精密的電子技術(shù)領(lǐng)域,開關(guān)電源作為眾多電子設(shè)備的核心供電組件,其性能與穩(wěn)定性至關(guān)重要。然而,在實際的研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用過程中,我們時常會面臨一個...
2025-06-27 標(biāo)簽:開關(guān)電源示波器晶體管 284 0
我們通過仿真電路來模擬上一期介紹的開關(guān)電路,對實際設(shè)計有一定的參考意義。以下電路采用方波duty=50%為例,以不同的輸入端頻率進行仿真測試。首先,Vc...
2025-06-26 標(biāo)簽:開關(guān)電路光耦晶體管 73 0
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計,直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點推進到22nm以下時,傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求...
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里,隨著CMOS制造技術(shù)的進步,器件的溝道長度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi),為使...
浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長...
對碳化硅技術(shù)進行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 393 0
Analog Devices Inc. ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器是一款假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單片微波集成電路 ...
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手...
CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識
本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識,重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對器件及電路性能的影響上。
自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番,而這一進步在過去幾十年里得到了充分驗證。
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