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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案,分別適用于不同的應(yīng)用...
單芯片功率集成電路的數(shù)據(jù)手冊通常會規(guī)定兩個(gè)電流限值:最大持續(xù)電流限值和峰值瞬態(tài)電流限值。其中,峰值瞬態(tài)電流受集成功率場效應(yīng)晶體管(FET)的限制,而持續(xù)...
在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導(dǎo)通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。
2025-10-10 標(biāo)簽:二極管意法半導(dǎo)體IGBT 1.3k 0
奧倫德8XX系列晶體管光耦以高性價(jià)比適配充電樁需求
在當(dāng)今快速發(fā)展的新能源汽車市場中,充電樁作為連接車輛與能源的關(guān)鍵設(shè)備,其性能和可靠性至關(guān)重要。由于其卓越的性能和極高的品質(zhì),奧倫德8XX系列晶體管光耦,...
采用傳輸線法(TLM)探究有機(jī)薄膜晶體管的接觸電阻可靠性及變異性
有機(jī)薄膜晶體管(TFTs)的高頻性能受限于接觸電阻(RC),尤其是在短通道L1cm2(V?s)條件下。即使采用相同材料和工藝,接觸電阻仍存在顯著的批次間...
在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,物理驗(yàn)證是保障芯片成功流片且符合制造要求的核心要素。而設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)作為物理驗(yàn)證的關(guān)鍵環(huán)節(jié),發(fā)揮著舉足輕重的作用。DRC主要聚焦...
?UCC21351-Q1 汽車級隔離雙通道柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC21351-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MO...
LM567 和 LM567C 是通用音調(diào)解碼器,設(shè)計(jì)用于在通帶內(nèi)存在輸入信號時(shí)提供飽和晶體管對地開關(guān)。該電路由一個(gè) I 和 Q 檢測器組成,該檢測器由壓...
中科微電MOS管:技術(shù)特性、應(yīng)用場景與行業(yè)價(jià)值解析
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,MOS管(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為核心器件,承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換、信號放大與電路控制的關(guān)鍵作用。中科微電作為國內(nèi)專注于功率半導(dǎo)體...
2025-09-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 272 0
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展,當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個(gè)大族,衍生出...
集成電路中場效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法
柵極電阻的存在對電路性能的影響很大,會引入熱噪聲,增大電路的噪聲系數(shù),影響器件的開關(guān)速度和最大振蕩頻率,因此在版圖設(shè)計(jì)時(shí),要考慮盡可能地減小柵極電阻。
使用理想二極管控制器實(shí)現(xiàn)汽車反向電池保護(hù)設(shè)計(jì)
汽車電池連接多個(gè)負(fù)載,包括電子控制單元 (ECU)、繼電器和電機(jī)。一些系統(tǒng)級事件(例如打開或關(guān)閉電感負(fù)載)會導(dǎo)致電池電源線路上產(chǎn)生電壓瞬變。所有反極性保...
MOS管,即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
2025-09-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 2k 0
該TPIC6273是一款單片高壓大電流邏輯八進(jìn)制D型鎖存器,具有DMOS晶體管輸出,設(shè)計(jì)用于需要相對高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位...
該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開路 DMOS 晶體管輸出,專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或...
?TPIC6A595 8位移位寄存器技術(shù)文檔總結(jié)
該TPIC6A595是一款單片、高壓、大電流電源邏輯8位移位寄存器,設(shè)計(jì)用于需要相對高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位,用于電感瞬態(tài)保...
?TPIC6A259 8位可尋址鎖存器技術(shù)文檔摘要
該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開路 DMOS 晶體管輸出,專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或...
?TPIC6B273 功率邏輯八路D型鎖存器技術(shù)文檔摘要
該TPIC6B273是一款單片、高壓、中電流、功率邏輯八進(jìn)制 D 型鎖存器,具有 DMOS 晶體管輸出,設(shè)計(jì)用于需要相對較高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出...
?TPIC6B259 8位可尋址鎖存器技術(shù)文檔摘要
該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開路 DMOS 晶體管輸出,專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或...
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