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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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晶體管具有放大能力的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。在這種偏置條件下,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子擴(kuò)散到基區(qū)后,只有極少部分在基區(qū)被復(fù)合,絕大多數(shù)會(huì)被集...
晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等。晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)...
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管二極管場(chǎng)效應(yīng)管 2862 0
氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
半導(dǎo)體變遷史科普:計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世
無(wú)可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...
因?yàn)楫?dāng)三極管處在放大工作狀態(tài)時(shí),基極電流每增大或減小1mA則集電極或是發(fā)射極電流的變化量會(huì)有幾十mA甚至上百毫安的變化量。通過(guò)集電極或是發(fā)射極串聯(lián)的電阻...
光耦合器(或光電耦合器)基本上是兩個(gè)電路之間的接口,它們?cè)冢ㄍǔ#┎煌碾妷弘娖较鹿ぷ?。光耦合器的主要?yōu)點(diǎn)是輸入和輸出電路之間的電氣隔離。使用光耦合器時(shí)...
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物,它是一種稀有的金屬氮化物,具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,也可以用于制造磁性...
IGBT基礎(chǔ)知識(shí):IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用
IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類(lèi)似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類(lèi)似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類(lèi)似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 9381 0
使用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能是經(jīng)常會(huì)用到的實(shí)用電路。和邏輯門(mén)電路類(lèi)似,當(dāng)BJT用于開(kāi)關(guān)電路時(shí),也只工作于飽和區(qū)和截止區(qū)。
2023-02-14 標(biāo)簽:繼電器開(kāi)關(guān)電路發(fā)光二極管 3443 0
齊納二極管的特性簡(jiǎn)介及設(shè)計(jì)案例
齊納二極管(Zener diode)又叫穩(wěn)壓二極管,也是一種特殊用途二極管,但由于齊納二極管的是如此之重要,內(nèi)容又比較多,所以這里單獨(dú)拉出來(lái)作為一個(gè)小節(jié)講。
2023-02-14 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓二極管晶體管 7928 0
晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電,故稱(chēng)之為雙極型晶體管(BJT),又稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管,簡(jiǎn)稱(chēng)晶體管或三極管。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管應(yīng)用電路晶體管 4345 0
對(duì)基準(zhǔn)電壓施加許多負(fù)載的大型模擬系統(tǒng)通常需要比單個(gè)基準(zhǔn)電壓源IC所能提供的更多的電流。一種常見(jiàn)的解決方案是在基準(zhǔn)電壓源IC輸出端增加一個(gè)緩沖電路,但基準(zhǔn)...
使用MAX6033A基準(zhǔn)提供高達(dá)80mA的電流
通過(guò)在基準(zhǔn)電壓源IC誤差放大器的反饋環(huán)路中添加NPN晶體管緩沖器,可以在不降低輸出精度的情況下提高其輸出電流能力。所示電路使MAX6033A基準(zhǔn)能夠提供...
MAX4373是一款帶有比較器和基準(zhǔn)的高邊檢流放大器,比較器的閉鎖輸出(COUT1)使得該款器件能夠構(gòu)成電路斷路器(請(qǐng)參考器件數(shù)據(jù)資料的圖2)。但是,數(shù)...
本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)和各種小知識(shí)。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛,涵蓋從基礎(chǔ)知識(shí)到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容,希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人,...
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來(lái)的晶格匹配和熱匹配,自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力,如發(fā)光二極管,激光二極管,功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)...
晶體管是一種電子元件,它可以控制電流和電壓,從而控制電子電路中的信號(hào)。它可以用來(lái)放大信號(hào),改變信號(hào)的頻率,或者將一個(gè)信號(hào)轉(zhuǎn)換成另一個(gè)信號(hào)。晶體管的主要功...
采用GaN技術(shù)的充電器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
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