IC Insights報(bào)告指出：目前12英寸（300mm）晶圓產(chǎn)能的最大貢獻(xiàn)者是內(nèi)存廠商與晶圓代工廠，在IC Insights的前十大12英寸晶圓產(chǎn)能供貨商排行榜上，有一半的廠商是內(nèi)存廠商，有兩家則是純晶圓代工廠，還有一家是微處理器大廠。
2013-02-25 09:21:38
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半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，12英寸氮化鎵技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。全面規(guī)?；?b class="flag-6" style="color: red">量產(chǎn)12英寸氮化鎵生產(chǎn)將有助于氮化鎵
2024-10-25 11:25:362337 
12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 占地面積30畝，一期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5000片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12000片/月的生產(chǎn)能力，將為全球GaN產(chǎn)品客戶(hù)的旺盛需求提供成熟的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。 ? 據(jù)了解，GaN（氮化鎵）屬于第三代半
2021-04-04 08:39:006568 業(yè)務(wù)，致力于研發(fā)并應(yīng)用行業(yè)先進(jìn)的工藝，為客戶(hù)提供多種制程節(jié)點(diǎn)、不同工藝平臺(tái)的晶圓代工服務(wù)。 ? 公司目前已實(shí)現(xiàn)150nm至90nm制程節(jié)點(diǎn)的12英寸晶圓代工平臺(tái)的量產(chǎn)，正在進(jìn)行55nm制程節(jié)點(diǎn)的12英寸晶圓代工平臺(tái)的研發(fā)。 ? 2020年產(chǎn)能約26.62萬(wàn)片? 國(guó)內(nèi)第三的純晶圓
2021-05-12 15:53:176100 2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè)，致力于8英寸GaN電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)，在
2021-06-08 07:31:007005 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式，就是擴(kuò)大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續(xù)擴(kuò)大晶圓尺寸仍面臨很多問(wèn)題，不過(guò)對(duì)于比如碳化硅、氮化鎵
2024-09-23 07:53:007413 
生長(zhǎng)4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù)，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 之一。由于硅的物理性質(zhì)穩(wěn)定，是最常被使用的半導(dǎo)體材料，近年又研發(fā)出第 2 代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦，和第 3 代半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等。晶圓是用沙子做成的，你相信嗎？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會(huì)聽(tīng)到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
晶圓低得多的成本。更重要的是，行業(yè)發(fā)展已為硅基氮化鎵在商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)、庫(kù)存維護(hù)、適應(yīng)需求激增等方面打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，緩解了供應(yīng)短缺的擔(dān)憂(yōu)。只要碳化硅基氮化鎵繼續(xù)依賴(lài)耗時(shí)、高成本的制造工藝，這種擔(dān)擾就將
2017-08-15 17:47:34
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運(yùn)營(yíng)能力將讓MACOM和ST能夠推動(dòng)新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴(kuò)大硅上氮化鎵市場(chǎng)份額。雖然擴(kuò)大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機(jī)會(huì)很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
鎵產(chǎn)品線所生產(chǎn)的氮化鎵的相關(guān)器件， 其每瓦特功率的晶圓成本只有相應(yīng)的LDMOS產(chǎn)品的一 半，與基于碳化硅的氮化鎵晶圓相比，在能達(dá)到相同性能的情況下，其量產(chǎn)成本顯著降低。MACOM氮化鎵在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大，成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
范圍；4.Vgs信號(hào)上升時(shí)間240ns左右。（以上數(shù)據(jù)通過(guò)截屏讀數(shù)）▲圖4：測(cè)試結(jié)果截屏結(jié)論1.客戶(hù)目標(biāo)板設(shè)計(jì)合理，Vgs控制信號(hào)近乎完美；2.測(cè)試顯示Vgs信號(hào)無(wú)任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測(cè)試氮化鎵半橋上管Vgs，沒(méi)有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽(yáng)能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專(zhuān)家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
半導(dǎo)體
晶圓（晶片）的直徑為
4到10
英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
安森美半導(dǎo)體全球制造高級(jí)副總裁Mark Goranson最近訪問(wèn)了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開(kāi)設(shè)了一個(gè)新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍(lán)膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽(yáng)能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
在硅頂部生長(zhǎng)氮化鎵外延層，可以使用現(xiàn)有的硅制造供應(yīng)鏈而免于使用昂貴的特定生產(chǎn)地點(diǎn)。供應(yīng)鏈利用現(xiàn)成的大直徑硅晶圓以低成本進(jìn)行量產(chǎn)，并與具備豐富經(jīng)驗(yàn)的合作伙伴進(jìn)行大批量后端生產(chǎn)。由于氮化鎵器件比硅器件
2023-06-25 14:17:47
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
內(nèi)的波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長(zhǎng)范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
12英寸晶圓片的外觀檢測(cè)方案？那類(lèi)探針臺(tái)可以全自動(dòng)解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測(cè)試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
2017年上半年8英寸晶圓廠整體的需求較平緩。隨著第三季旺季需求顯現(xiàn)，加上8英寸晶圓代工短期難再大幅擴(kuò)產(chǎn)，整體產(chǎn)能仍吃緊，預(yù)期隨著硅晶圓續(xù)漲，8英寸晶圓代工價(jià)格今年第一季預(yù)計(jì)調(diào)漲5～10%。
2018-01-16 15:54:577548 氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 本文開(kāi)始對(duì)12寸晶圓價(jià)格變化趨勢(shì)進(jìn)行了分析，其次闡述了12寸晶圓的應(yīng)用及12寸晶圓產(chǎn)能排名狀況，最后分析了12寸晶圓能產(chǎn)多少芯片。
2018-03-16 14:12:5954477 
根據(jù)SEMI的報(bào)告顯示，2017年全球的晶圓出貨總面積為11810百萬(wàn)平方英寸，同比2016年增加10%，全球晶圓總營(yíng)收同比增長(zhǎng)21%，晶圓價(jià)格出現(xiàn)上浮，累計(jì)上漲比例約為10%，2018年8英寸硅晶
2018-06-28 10:54:4516817 
從硅晶圓到8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)調(diào)漲，世界先進(jìn)8英寸產(chǎn)能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴(kuò)增氮化鎵（GaN）產(chǎn)能，已有國(guó)際IDM大廠看好電動(dòng)車(chē)產(chǎn)業(yè)后市，預(yù)先包下世界先進(jìn)GaN產(chǎn)能，明年中GaN產(chǎn)出將快速放量，成為全球首座8英寸GaN代工廠。
2018-06-29 16:02:005707 晶圓代工廠世界先進(jìn)受惠面板驅(qū)動(dòng)IC、電源管理芯片及指紋識(shí)別IC等客戶(hù)投片量大增，現(xiàn)階段產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求，業(yè)界傳出8英寸晶圓代工平均售價(jià)（ASP）上調(diào)5%至10%，并開(kāi)始篩選訂單，優(yōu)先生產(chǎn)高毛利產(chǎn)品，助攻世界本季營(yíng)收再寫(xiě)新高之余，毛利率同步看俏。
2018-07-19 15:11:004873 日前上海新昇日前在互動(dòng)平臺(tái)表示生產(chǎn)的12英寸晶圓已經(jīng)通過(guò)了華力微電子的認(rèn)證，今年底產(chǎn)能可達(dá)10萬(wàn)片/月，而最終的產(chǎn)能高達(dá)60萬(wàn)片/月。
2018-07-30 14:28:364870 力晶集團(tuán)為重返上市，4日宣布旗下鉅晶更名為力積電，計(jì)劃明年收購(gòu)力晶科技所屬的3座12英寸晶圓廠，2020年力積電將以專(zhuān)業(yè)晶圓代工產(chǎn)業(yè)定位，重新在中國(guó)臺(tái)灣上市，并銜接苗栗銅鑼廠的新12英寸投資。
2018-09-08 11:41:346244 繼日本勝高、韓國(guó)LG、德國(guó)Silitronic后，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶圓亦宣布擴(kuò)產(chǎn)12英寸硅晶圓。
2018-10-08 15:08:004698 8英寸晶圓代工需求轉(zhuǎn)趨疲軟！臺(tái)積電證實(shí)，旗下8英寸晶圓代工生產(chǎn)線產(chǎn)能松動(dòng)；市場(chǎng)關(guān)注，8英寸晶圓代工需求轉(zhuǎn)弱后，是否對(duì)硅晶圓材料報(bào)價(jià)走勢(shì)造成影響。
2018-10-22 14:27:383122 根據(jù)韓國(guó)媒體《ETnews》的報(bào)道指出，近年來(lái)在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）及車(chē)用電子需求的帶動(dòng)下，晶圓制造的產(chǎn)能需求開(kāi)始由12英寸廠轉(zhuǎn)移到8英寸廠上，這也促成了晶圓龍頭臺(tái)積電在日前宣布，將在南科興建一座新的8英寸廠，也滿(mǎn)足當(dāng)前市場(chǎng)上的需求。
2018-12-18 15:15:583301 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“耐威科技”）發(fā)布公告稱(chēng)，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在
2018-12-20 15:21:176874 的產(chǎn)品采購(gòu)、資料下載、技術(shù)支持等服務(wù)內(nèi)容均可由世強(qiáng)元件電商支持。 英諾賽科的主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率器件與5G射頻器件。特別值得一提的是，英諾賽科擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，這條產(chǎn)品線的的通線投產(chǎn)，不僅填補(bǔ)了我國(guó)第
2019-01-16 18:16:01894 根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì)，截止2018年底我國(guó)12英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約60萬(wàn)片；8英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約90萬(wàn)片；6英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約200萬(wàn)片；5英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約90萬(wàn)片；4英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約200萬(wàn)片。
2019-02-21 17:59:0126721 據(jù)新華社報(bào)道，近日，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。
2019-05-21 17:28:278388 IMT日前正式宣布：公司現(xiàn)已可提供8英寸（200mm）晶圓微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）工藝加工服務(wù)，同時(shí)公司還可以為MEMS行業(yè)發(fā)展提供空前豐富的其他資源組合。8英寸晶圓改變了MEMS器件制造的經(jīng)濟(jì)指標(biāo)，每張晶圓可以產(chǎn)出大約為6英寸晶圓兩倍數(shù)量的器件。
2019-06-13 14:32:533964 近日，中芯晶圓的首批8英寸（200mm）半導(dǎo)體硅拋光片順利下線，自打下第一根樁，到第一批硅片產(chǎn)出，杭州中芯晶圓僅用了16個(gè)月的時(shí)間。
2019-07-04 17:42:334316 司擁有國(guó)際先進(jìn)的德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測(cè)系統(tǒng)、可靠性測(cè)試系統(tǒng)和應(yīng)用開(kāi)發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，公司已實(shí)現(xiàn)6英寸650伏硅基氮化鎵外延片的量產(chǎn)，并發(fā)布了比肩世界先進(jìn)水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品。
2019-08-28 15:00:3317963 近日，位于越城區(qū)皋埠街道的中芯集成電路制造（紹興）有限公司內(nèi)，全省首片8英寸晶圓順利下線。據(jù)悉，由該晶圓加工而成的芯片，將廣泛應(yīng)用于人工智能、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制和移動(dòng)通信等領(lǐng)域。
2019-11-28 16:30:453458 車(chē)間內(nèi)，順利完成了第一枚12英寸半導(dǎo)體硅拋光片的下線。自2018年2月中欣晶圓大硅片項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，歷時(shí)22個(gè)月的建設(shè)，從8英寸大硅片的量產(chǎn)和項(xiàng)目的竣工儀式，到今天首枚12英寸半導(dǎo)體硅拋光片的順利下線
2019-12-31 15:23:114822 半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓24日宣布，與晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）簽訂合作備忘錄，環(huán)球晶圓將長(zhǎng)期供應(yīng)12英寸絕緣層上覆硅（SOI）晶圓給格芯。
2020-02-25 17:11:123839 日前Globalfoundries格芯宣布與全球第三大硅晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄，雙方未來(lái)將進(jìn)一步合作，由環(huán)球晶圓為格芯供應(yīng)12英寸的SOI晶圓。
2020-02-26 16:57:373445 業(yè)界人士預(yù)期，8英寸晶圓代工價(jià)格第4季可能調(diào)漲1成，聯(lián)電與世界先進(jìn)運(yùn)營(yíng)有望受惠。此外，8英寸晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求，市場(chǎng)預(yù)期DDI、PMIC或?qū)⑷绷系?021年初。
2020-09-23 09:43:592479 華潤(rùn)微的歷史可追溯至香港華科電子公司。1983年，華潤(rùn)集團(tuán)與原四機(jī)部、七機(jī)部、外經(jīng)貿(mào)部聯(lián)合在香港設(shè)立微電子企業(yè)——香港華科電子公司，建立中國(guó)首條4英寸晶圓生產(chǎn)線。
2020-09-30 15:05:456451 8英寸晶圓被認(rèn)為是落后產(chǎn)線，更關(guān)注12英寸晶圓產(chǎn)線的建設(shè)和量產(chǎn)。然而，就是這一比12英寸晶圓古老多年的產(chǎn)品，目前其產(chǎn)能依然很緊張。 供不應(yīng)求的8英寸晶圓與逐年下滑的生產(chǎn)線 目前全球代工廠產(chǎn)能爆滿(mǎn)，臺(tái)
2020-11-23 14:00:393711 8英寸晶圓被認(rèn)為是落后產(chǎn)線，然而，就是這一比12英寸晶圓“古老”多年的產(chǎn)品，目前其產(chǎn)能依然很緊張。
2020-11-24 11:23:342259 業(yè)內(nèi)消息人士稱(chēng)，2021年，8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)將上調(diào)20-40%。今年第四季度，包括聯(lián)華電子、格芯和世界先進(jìn)（Vanguard International Semiconductor，簡(jiǎn)稱(chēng)VIS）在內(nèi)的純代工企業(yè)將8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)提高了約10%-15%。
2020-11-30 14:40:252593 ：關(guān)于晶圓尺寸的演變，在業(yè)內(nèi)比較公認(rèn)的一種說(shuō)法是：1980年代是4英寸硅片占主流，1990年代是6英寸占主流，2000年代是8英寸占主流，2008年之后是以12英寸為主流的市場(chǎng)。 數(shù)據(jù)來(lái)源：維基百科 這時(shí)候有人會(huì)問(wèn)，既然硅晶圓越大，每塊晶圓能生產(chǎn)的芯片越多
2020-12-09 09:46:5014551 12月18日消息，據(jù)英文媒體報(bào)道，在第一大芯片代工商臺(tái)積電取消2021年12英寸晶圓代工折扣，芯片代工產(chǎn)能緊張狀況有從8英寸晶圓廠延伸到12英寸晶圓廠的趨勢(shì)的消息出現(xiàn)之后，也有代工商在謀劃擴(kuò)大12英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能。
2020-12-19 09:13:322826 近期的半導(dǎo)體市場(chǎng)，尤其是8英寸晶圓的產(chǎn)能為什么這么緊張？ 跟隨摩爾定律演進(jìn)，集成電路制造所用的主流晶圓直徑從 4 英寸、6 英寸、8 英寸到12 英寸。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片
2020-12-24 14:10:4211432 
產(chǎn)能緊缺從晶圓代工傳導(dǎo)至封測(cè)、設(shè)計(jì)、晶圓、再到模組供應(yīng)商、下游終端廠商等，捎帶著6英寸和12英寸晶圓，一路缺貨到明年。
2020-12-24 17:02:224600 生產(chǎn)車(chē)間，順利完成了12英寸第一枚外延片下線。官方稱(chēng)，12英寸外延片的生產(chǎn)是當(dāng)前制約我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要瓶頸。自2019年12月底第一枚12英寸拋光片下線至今，歷時(shí)12個(gè)月的研發(fā)、生產(chǎn)，今天首枚12英寸外延片順利下線，不僅標(biāo)志著中欣晶圓
2020-12-31 09:44:145522 價(jià)格陸續(xù)調(diào)漲后，12英寸晶圓代工價(jià)格也開(kāi)始跟進(jìn)調(diào)漲。 受惠宅經(jīng)濟(jì)帶動(dòng)消費(fèi)性和計(jì)算機(jī)相關(guān)應(yīng)用需求持續(xù)成長(zhǎng)，5G智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的芯片比重也同步提升，聯(lián)電2020年第4季接單暢旺，產(chǎn)能利用率達(dá)95%。 ? 其中，8英寸晶圓代工產(chǎn)能?chē)?yán)重供不應(yīng)
2021-01-06 09:46:303419 1月6日消息，在此前的報(bào)道中，已出現(xiàn)了芯片代工報(bào)價(jià)上漲由8英寸晶圓延伸到12英寸晶圓的趨勢(shì)，英文媒體此前就提到，全球最大的芯片代工商臺(tái)積電，在今年將取消給予大客戶(hù)的12英寸晶圓代工折扣，變相提高代工
2021-01-06 17:07:052896 ： 關(guān)于晶圓尺寸的演變，在業(yè)內(nèi)比較公認(rèn)的一種說(shuō)法是：1980年代是4英寸硅片占主流，1990年代是6英寸占主流，2000年代是8英寸占主流，2008年之后是以12英寸為主流的市場(chǎng)。 數(shù)據(jù)來(lái)源：維基百科 這時(shí)候有人會(huì)問(wèn)，既然硅晶圓越大，每塊晶圓能生產(chǎn)的芯片越多，
2021-02-01 10:39:4611189 
近日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，世界先進(jìn)積體電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)世界先進(jìn)）已經(jīng)向竹科管理局提出了進(jìn)駐進(jìn)駐苗栗縣銅鑼修建工廠的申請(qǐng)。 據(jù)悉，本次將新建世界先進(jìn)旗下的首座12英寸晶圓代工廠，占地面積約為8公頃。 在
2022-04-22 16:56:173255 。 據(jù)了解，SK海力士無(wú)錫晶圓代工廠的8英寸晶圓月產(chǎn)能為10萬(wàn)片，而啟方半導(dǎo)體在SK海力士附近的晶圓廠8英寸晶圓月產(chǎn)能為9萬(wàn)片，這也就意味著完成收購(gòu)后，SK海力士8英寸晶圓的月產(chǎn)能將快要達(dá)到20萬(wàn)片。 海力士半導(dǎo)體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司成立，
2022-05-31 16:44:573051 根據(jù)合作框架協(xié)議，中芯國(guó)際將在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目，產(chǎn)品主要應(yīng)用于通訊、汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、工業(yè)等領(lǐng)域。項(xiàng)目擬選址西青開(kāi)發(fā)區(qū)賽達(dá)新興產(chǎn)業(yè)園內(nèi)。規(guī)劃建設(shè) 產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線，可提供28納米~180納米不同技術(shù) 節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。
2022-08-29 11:31:413729 5萬(wàn)片晶圓。報(bào)道顯示，該筆撥款是2022財(cái)年綜合撥款法案的一部分，來(lái)自于美國(guó)國(guó)防部可信訪問(wèn)計(jì)劃辦公室 (TAPO) ，自2019年以來(lái)，TAPO一直積極支持軍民兩用硅基氮化鎵技術(shù)研發(fā)，新的款項(xiàng)將資助格
2022-10-21 15:33:231691 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007545 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 按晶圓尺寸計(jì)算，GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長(zhǎng)率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個(gè)批次中生產(chǎn)大量設(shè)備。這反過(guò)來(lái)又有助于降低制造6
2023-02-12 17:35:24755 氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:415426 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 硅晶圓正在從8英寸過(guò)渡到12英寸，更大的晶圓尺寸，意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多，晶圓邊緣的浪費(fèi)減少，單芯片成本降低。第三代半導(dǎo)體也不例外，都在向大尺寸晶圓大跨步。
2023-02-28 15:12:141613 據(jù)統(tǒng)計(jì)，在2017 年，8英寸晶圓代工主力華虹半導(dǎo)體的8英寸晶圓產(chǎn)能為168K/月，中芯國(guó)際的產(chǎn)能為234K/月，占總產(chǎn)能的比例超過(guò)40%。
2023-03-06 14:25:271117 Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢(shì)，這對(duì)于擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車(chē)、消費(fèi)電子和高速通信等應(yīng)用至關(guān)重要。公司目前已克服了多個(gè)的供應(yīng)鏈和晶圓資格問(wèn)題，例如晶圓彎曲和污染等，使硅基氮化鎵晶圓獲準(zhǔn)進(jìn)入300mm工廠。
2023-05-25 09:40:241237 
業(yè)界評(píng)價(jià)說(shuō)：“臺(tái)積電的主要銷(xiāo)售和收益動(dòng)力雖然來(lái)自12英寸晶圓代工和高端制程，但是由于8英寸晶圓代工的價(jià)格下滑，給tsmc帶來(lái)的沖擊是有限的?！钡挥惺澜缦冗M(jìn)的8英寸晶片項(xiàng)目，如果用晶片生產(chǎn)工程推算約3個(gè)月，相關(guān)沖擊將在今年10月至11月以后出現(xiàn)，世界先進(jìn)第四季度的業(yè)績(jī)可能會(huì)受到影響。
2023-08-11 10:36:451175 半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開(kāi)發(fā)了一種針對(duì)GaN（氮化鎵）晶圓生產(chǎn)而優(yōu)化的工藝。通過(guò)該工藝，可以同時(shí)提高GaN晶圓片產(chǎn)量，并縮短生產(chǎn)時(shí)間。
2023-08-25 09:43:521777 
增芯是12英寸先進(jìn)制造mems傳感器及特色工藝晶圓量產(chǎn)生產(chǎn)線的新建項(xiàng)目1共70億韓元投資項(xiàng)目竣工后，具備年產(chǎn)24萬(wàn)12英寸晶圓的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)是類(lèi)、消費(fèi)、工業(yè)、電子等領(lǐng)域的相關(guān)領(lǐng)域產(chǎn)品性能表現(xiàn)的決定因素之一。
2023-09-21 09:45:201349 德州儀器正在將其多個(gè)工廠的氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達(dá)拉斯和日本會(huì)津的8英寸晶圓準(zhǔn)備設(shè)備，這將使其能夠提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的氮化鎵芯片。
2024-03-20 09:11:141598 
|?項(xiàng)目一期產(chǎn)能預(yù)計(jì)2025年底達(dá)到2萬(wàn)片／月 2024年6月28日，增芯科技12英寸晶圓制造項(xiàng)目在廣州增城投產(chǎn)啟動(dòng)，該項(xiàng)目建設(shè)有國(guó)內(nèi)首條、全球第二條的12英寸MEMS智能傳感器晶圓制造產(chǎn)線。同期
2024-07-02 14:28:442042 日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專(zhuān)用于氮化鎵（GaN）外延生長(zhǎng)的300毫米（即12英寸）晶圓，標(biāo)志著公司在高性能半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次推出的QST
2024-09-10 17:05:241948 近日，日本礙子株式會(huì)(NGK，下文簡(jiǎn)稱(chēng)日本礙子)在其官網(wǎng)宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關(guān)研究成果。
2024-09-21 11:04:10946 工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學(xué)和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點(diǎn)籽晶 （MPS） 襯底，并成功地在襯底上生長(zhǎng)出對(duì)角線長(zhǎng)度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 近日，日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061307 的導(dǎo)電型摻雜，為下游客戶(hù)提供更加豐富的產(chǎn)品選擇，助力行業(yè)發(fā)展。該VB法氧化鎵長(zhǎng)晶設(shè)備及工藝包已全面開(kāi)放銷(xiāo)售。 【圖1】鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶底面 【圖2】 鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶頂面 2025年1月，鎵仁半導(dǎo)體在
2025-02-14 10:52:40902 
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511978 關(guān)系 ，正式啟動(dòng)并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將使用位于臺(tái)灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn) 8 英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，在技術(shù)和產(chǎn)能方面一直處于行業(yè)領(lǐng)先地位。目前，其每月的 8 英寸晶圓產(chǎn)能已達(dá)到 13000 片，而根據(jù)最新的擴(kuò)張計(jì)劃，到今年年底，這一數(shù)字將提升至 20000 片，增幅高達(dá)
2025-07-17 17:10:59678 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn)：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 
，國(guó)內(nèi)氮化鎵硅片企業(yè)也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重?fù)脚鸪駫伖夤杵蚱七M(jìn)口依賴(lài)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。 ? 中欣晶圓主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅片的研發(fā)，在產(chǎn)品布局方面，已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋
2025-10-17 11:24:263277 
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