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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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數(shù)字電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ),而晶體管是數(shù)字電路中的核心元件。晶體管的工作狀態(tài)直接影響到數(shù)字電路的性能和可靠性。 晶體管的工作原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器...
LED模擬調(diào)光 VS 數(shù)字調(diào)的區(qū)別是什么
根據(jù)響應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準(zhǔn)來實現(xiàn)晶體管或MOS導(dǎo)通時間的改變,從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變,調(diào)節(jié)LED亮度
甲類功放電路(Class A amplifier)是一種功率放大器的設(shè)計,其中晶體管或電子管在其整個信號周期內(nèi)都導(dǎo)通,從而實現(xiàn)線性放大。盡管甲類功放電路...
為什么要在汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動器IC替換分立式柵極驅(qū)動器
在混合動力汽車/電動汽車(HEV/EV)中,發(fā)動機并不會被用來運行加熱和冷卻系統(tǒng),這與內(nèi)燃機(ICE)汽車情況不同。我們使用兩個關(guān)鍵系統(tǒng)來替代這一功能:...
在射頻功率放大器中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的選擇對于實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率放大至關(guān)重要。雖然射頻功率放大器的設(shè)計可能涉及多種不同類型...
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor),或稱達(dá)林頓對(Darlington Pair),是電子學(xué)中一種由兩個(甚至多個)雙極性晶體管...
2024-09-29 標(biāo)簽:放大器晶體管達(dá)林頓晶體管 1791 0
適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點器件架構(gòu)解析
由于從平面 FET 過渡到 FinFET,晶體管尺寸減小了,而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的,因為平面 FET 的性能在柵極長度減小時開始下降。FinF...
如何使用MLX90109收發(fā)器來獲得磁場的100%調(diào)制
本應(yīng)用筆記說明了如何使用MLX90109收發(fā)器來獲得磁場的100%調(diào)制(開-關(guān)鍵控調(diào)制)。MLX90109數(shù)據(jù)表將幫助您在閱讀本文檔之前了解基本的工作原...
2021-04-14 標(biāo)簽:晶體管 1787 0
數(shù)字基帶預(yù)失真由于工作頻率低,可以用數(shù)字電路實現(xiàn),適應(yīng)性強,而且可以通過增加采樣頻率和增大量化階數(shù)的辦法來抵消高階互調(diào)失真,是一種很有發(fā)展前途的方法。
尖峰電流和計算電流是電力電子領(lǐng)域中的兩個重要概念,它們在電路分析和設(shè)計中扮演著關(guān)鍵角色。
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點在功率半導(dǎo)體器件中...
隨著 5G 時代的到來,晶體管尺寸一直呈指數(shù)級縮小,芯片制造商也不斷在增加晶體管數(shù)量以實現(xiàn)更高的組件密度和時鐘頻率。而因晶體管數(shù)量和功耗增加所產(chǎn)生的熱量...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為電子工...
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
DSA 針對特定領(lǐng)域的應(yīng)用采用高效的架構(gòu),比如使用專用內(nèi)存最小化數(shù)據(jù)搬移、根據(jù)應(yīng)用特點把芯片資源更多側(cè)重于計算或存儲、簡化數(shù)據(jù)類型、使用特定編程語言和指令等等。
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