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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個(gè)...
在精密電路設(shè)計(jì)中,偏置電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù),諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等,也必須測(cè)定。精確的放大器要求偏置電壓的漂...
2023-09-08 標(biāo)簽:放大器電路設(shè)計(jì)運(yùn)放 1745 0
石墨烯內(nèi)部碳原子的排列方式與石墨單原子層一樣以sp2雜化軌道成鍵,其特點(diǎn):碳原子有4個(gè)價(jià)電子,其中3個(gè)電子生成sp2鍵,即每個(gè)碳原子都貢獻(xiàn)一個(gè)位于pz軌...
使用MD7120 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器電路設(shè)計(jì)
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSF...
2023-07-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì) 1742 0
高功率寬帶放大器的設(shè)計(jì)是一件非常有挑戰(zhàn)性的工作,工程師需要在多個(gè)相互對(duì)立的設(shè)計(jì)參數(shù)之間進(jìn)行折中。對(duì)于一個(gè)放大器用戶來(lái)說(shuō),不論是初始投資還是以后的運(yùn)行成本...
如果無(wú)法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測(cè)量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...
STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽,在器件有源區(qū)之間嵌入很厚的氧化物,從而形成器件之間的隔離。利用STI 隔離工藝可以改善寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管和閂鎖效應(yīng)。
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
僅使用單個(gè)晶體管設(shè)計(jì)的可調(diào)穩(wěn)壓電源電路圖
本文介紹了一種僅使用單個(gè)晶體管的簡(jiǎn)單可變穩(wěn)壓電源電路。該設(shè)計(jì)對(duì)于新的電子愛好者來(lái)說(shuō)非常方便。
2023-07-12 標(biāo)簽:穩(wěn)壓電源電路晶體管可調(diào)穩(wěn)壓電源 1737 0
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多
與傳統(tǒng)運(yùn)算放大器不同,高端電流檢測(cè)放大器在每個(gè)輸入引腳和電源引腳之間不包括內(nèi)部靜電放電(ESD)保護(hù)二極管。因此,它們可以在遠(yuǎn)高于 V 的共模電壓下工作...
2023-01-16 標(biāo)簽:放大器ESD運(yùn)算放大器 1733 0
這里描述的麥克風(fēng)前置放大器不是專業(yè)前置放大器,而是原始前置放大器,而且價(jià)格便宜且易于構(gòu)建。為什么是原版?因?yàn)樗皇褂梅浅R?guī)晶體管或運(yùn)算放大器(op am...
前言IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為光伏逆變器的“心臟”,承擔(dān)著直流電向交流電轉(zhuǎn)換的核心任務(wù)。然而,這一關(guān)鍵部件的炸毀問(wèn)題頻發(fā),不僅導(dǎo)致高昂的維修成本...
碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體:為什么? -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率?
在科技日新月異的今天,芯片作為信息技術(shù)的核心部件,其制作工藝的復(fù)雜性和精密性令人嘆為觀止。從一粒普通的沙子到一顆蘊(yùn)含無(wú)數(shù)晶體管的高科技芯片,這一過(guò)程不僅...
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