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      標(biāo)簽　>　晶體管

      晶體管

      晶體管

      +關(guān)注77人關(guān)注

      晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

      文章：5971個 瀏覽：141327次 帖子：850個

      晶體管技術(shù)

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      MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...

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      2023-02-12 標(biāo)簽：三極管晶體管半導(dǎo)體三極管 3915 0

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      2023-02-12 標(biāo)簽：三極管晶體管BJT 1.5萬 0

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      　　雙極型晶體管是一種流控器件，電子和空穴同時參與導(dǎo)電。發(fā)射區(qū)摻雜濃度最高，基區(qū)次之，集電區(qū)最小(但和金屬電極接觸處的一小區(qū)域半導(dǎo)體高摻雜，是為了避免形...

      2023-02-12 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 8506 0

      低功耗設(shè)計之multi-bit cell技術(shù)簡介

      所謂multi-bit cell，可以理解成把多個完全相同的cell合并在一個cell里，如下圖所示，集成2bit的multi-bit cell的clo...

      2023-02-12 標(biāo)簽：寄存器晶體管時鐘樹 5771 0

      為您的設(shè)計選擇最佳選項：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1044 0

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      單結(jié)晶體管只有一個PN結(jié)和兩個電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側(cè)用...

      2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管單結(jié)晶體管 4123 0

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      PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個...

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      nmos晶體管的電流方程 nmos晶體管飽和伏安特性方程

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      nMOS晶體管導(dǎo)通是通過溝道里面的電子產(chǎn)生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動，我們?nèi)‰娏鞯姆较蚝碗?..

      2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管伏安特性NMOS管 4625 0

      NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)

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      nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，C...

      2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管閾值電壓NMOS管 1.8萬 0

      場效應(yīng)管屬于什么控制器件_場效應(yīng)管分為哪兩種

      場效應(yīng)管屬于什么控制型器件？場效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶...

      2023-02-11 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管電壓控制 5701 0

      nmos晶體管的工作原理/功能特性/電路圖

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      NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導(dǎo)體晶體管，其中N指的是n型半導(dǎo)體材料，它具有負(fù)極性，可以用來控制電流的流動。它的主要功能是在電路中控制電流的流...

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      2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管發(fā)射極基極 2.3萬 0

      為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？

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      開關(guān)電源中常用的過流保護方式和電路分析

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      先進封裝——從2D，3D到4D封裝

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      氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（...

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      為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？

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      2023-02-10 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器led燈晶體管 419 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        TMS320F28335
        +關(guān)注
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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