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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
采用微型傳感器技術(shù)對醫(yī)療患者進(jìn)行加速測量
愛爾蘭利默里克大學(xué)最近在Nature Materials Journal報(bào)道,他們正在努力解決使用傳感器的主要挑戰(zhàn)只測試一個(gè)分子進(jìn)行診斷。測試一種分子的...
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下...
晶體管光耦(Transistor Output Optocoupler)是一種用于隔離和傳輸電信號的器件,主要由發(fā)光二極管(LED)、光電三極管(Pho...
2024-06-29 標(biāo)簽:光耦晶體管光耦應(yīng)用 1683 0
如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)?
氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。
在數(shù)字電路中,晶體管大多處于飽和或截止?fàn)顟B(tài)。這是因?yàn)閿?shù)字電路的信號只有兩種狀態(tài):高電平和低電平,分別對應(yīng)晶體管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。本文將介紹數(shù)字電路中晶體...
互補(bǔ)自激多諧振蕩器(Complementary Self-Oscillating Multi-Harmonic Oscillator,簡稱CSMO)是一...
近日,中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會(huì)議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...
LDO穩(wěn)壓器,全稱Low Dropout Linear Regulator(低壓差線性穩(wěn)壓器),是一種將較高電壓轉(zhuǎn)換為較低電壓并提供穩(wěn)定輸出的電子元件。...
2024-09-11 標(biāo)簽:電源晶體管LDO穩(wěn)壓器 1676 0
是的。場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它利用電場效應(yīng)來控制電流的流動(dòng),具有輸入阻抗高、...
2024-08-01 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管半導(dǎo)體器件 1674 0
逆變器在全球范圍內(nèi)發(fā)揮著重要作用,因?yàn)樗峁┎婚g斷的電力供應(yīng),并幫助人們滿足能源需求。您可能已經(jīng)使用了制造商生產(chǎn)的現(xiàn)成逆變器,但是如何自己制造一個(gè)。本文...
在自動(dòng)感應(yīng)電動(dòng)機(jī)出現(xiàn)以來,交流發(fā)電機(jī)的形式已經(jīng)存在變頻操作。更改發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)速,并更改其輸出頻率。在高速晶體管出現(xiàn)之前,這是改變電機(jī)轉(zhuǎn)速的主要途徑之一,但...
2023-05-22 標(biāo)簽:整流器變頻器電動(dòng)機(jī) 1669 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(...
淺談背面供電網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)
BPR 是一種技術(shù)縮放助推器,可進(jìn)一步縮放標(biāo)準(zhǔn)單元高度并減少 IR 壓降。它是埋在晶體管下方的金屬線結(jié)構(gòu)——部分在硅襯底內(nèi),部分在淺溝槽隔離氧化物內(nèi)。
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