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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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壓控振蕩器 (VCO) 的頻率隨施加到其調(diào)諧端口的電壓而變化。VCO 在鎖相環(huán) (PLL) 中工作,為超外差接收器的頻率轉(zhuǎn)換提供穩(wěn)定的本振 (LO)。V...
示波器無源探頭作為示波器的重要附件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、環(huán)境監(jiān)測、通信及電子測量等領(lǐng)域。其結(jié)構(gòu)簡單、價格低廉、堅固耐用、使用簡便和測量精度高等優(yōu)點,使...
MOS管知識點總結(jié):它憑什么成為現(xiàn)代電力電子的主角?
MOS管制造工藝會造成內(nèi)部D極與S極之間存在一個寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時,為反向電壓提供續(xù)流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當DS兩級電...
功率器件,作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件,扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓,還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動汽車、通...
開關(guān)電源拓撲結(jié)構(gòu)特點和優(yōu)缺點
常見的拓撲結(jié)構(gòu),包括Buck降壓、Boost升壓、Buck-Boost降壓-升壓、Flyback反激、Forward正激、Two-Transistor ...
2024-02-19 標簽:開關(guān)電源晶體管拓撲結(jié)構(gòu) 1587 0
微機電系統(tǒng)與專用集成電路的結(jié)合也在同時走向成熟,這將帶來前所未有的產(chǎn)品。傳感器的微型化推動了遠程醫(yī)療、智能家居、智能城市、先進制造設(shè)施、手持可穿戴設(shè)備等...
2024-01-03 標簽:mems晶體管微機電系統(tǒng) 1585 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的元件之一。它是...
IGBT過流保護技術(shù)在工業(yè)電機驅(qū)動中的應(yīng)用
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。
性能是一個主觀術(shù)語 - 它可以以任意多種方式進行衡量,但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,它歸結(jié)為兩個相互依賴的主要值,效率和成本。眾所周知,硅作為半導(dǎo)體開關(guān)材料在傳導(dǎo)和...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導(dǎo)通后,流過它的電流由多個因素共同決定,主要包括以下幾...
基本共射放大電路是電子學(xué)中一個非常重要的概念,它在模擬電路設(shè)計中扮演著核心角色。這種放大電路利用雙極型晶體管(BJT)來實現(xiàn)信號的放大。 1. 工作原理...
柔性電子皮膚具有神經(jīng)形態(tài)感知-運動回路
皮膚在人體中扮演著重要的角色,作為人體與外界的主要接口和保護層。它的感知能力和柔軟性使我們能夠感知外部刺激并在復(fù)雜環(huán)境中執(zhí)行任務(wù)(圖1A)。然而,患有皮...
基于高性能GaAsSb基區(qū)的射頻和微波測試儀器設(shè)計
Abstract 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為...
通過分布式架構(gòu)驅(qū)動下一代電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)
電動汽車(EV)和混合動力電動汽車(HEV)正在不斷演進,其中的電子設(shè)備同樣也在發(fā)生變化。在這些車輛的整體構(gòu)造和功能方面,越來越多的電子設(shè)備發(fā)揮著重要作...
簡單認識功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開關(guān)速度快,并且具有負溫度系數(shù)(溫度上升時電流減少),因此被認為是一種理...
2024-01-16 標簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1567 0
PNP型和NPN型LDO(Low Dropout Regulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)是兩種常見的穩(wěn)壓器類型,它們各自具有獨特的設(shè)計架構(gòu)和工作特性。以...
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