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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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概倫電子先進(jìn)數(shù)字仿真器VeriSim介紹
VeriSim是一款先進(jìn)的邏輯仿真器,提供全面的數(shù)字設(shè)計(jì)驗(yàn)證解決方案,特別適用于大型SoC設(shè)計(jì)。它配備高性能的仿真引擎和約束求解器,旨在提高編譯時(shí)效率,...
2025-04-22 標(biāo)簽:仿真器SoC設(shè)計(jì)晶體管 359 0
人工智能成為所有人類事業(yè)的數(shù)字助手,擁有著巨大的機(jī)遇。ChatGPT是人工智能如何使高性能計(jì)算的使用民主化、為社會(huì)中的每個(gè)人帶來好處的一個(gè)很好的例子。
LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同...
OPA2206 具有e-trim?和超β輸入晶體管的、OVP ±40V、低功耗、低噪聲精密放大器技術(shù)手冊(cè)
OPA206、OPA2206 和 OPA4206 (OPAx206) 是業(yè)界通用 OPAx277 系列的下一代器件,具有輸入過壓保護(hù)的附加特性。這些具有...
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFE...
浮思特 | CMOS技術(shù)原理與應(yīng)用:從晶體管結(jié)構(gòu)到反相器設(shè)計(jì)
MOSFET在數(shù)字電路中的常見形式是互補(bǔ)MOS(CMOS)電路。CMOS技術(shù)將n溝道和p溝道MOSFET成對(duì)集成在同一芯片上,成為數(shù)字集成電路的主導(dǎo)技術(shù)...
TPL7407LA-Q1 30V、7 通道汽車級(jí) NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPL7407LA-Q1 是一款高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個(gè) NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電...
2025-05-09 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器NMOS 319 0
東芝半導(dǎo)體微波爐電路設(shè)計(jì)解決方案
用戶對(duì)微波爐產(chǎn)品的期望值可謂日益提高,例如智能化,用戶期望微波爐能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程控制、語音操作、智能菜譜推薦等;多功能,微波爐不僅需要具備基本的加熱功能,還...
2025-06-28 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)晶體管 317 0
A5975D 最高3 A的降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,用于汽車應(yīng)用數(shù)據(jù)手冊(cè)
A5975D 是一款降壓型單片電源開關(guān)穩(wěn)壓器,最小開關(guān)電流限制為 3.75 A,因此能夠根據(jù)應(yīng)用條件向負(fù)載提供高達(dá) 3 A 的直流電流。輸出電壓可設(shè)置為...
2025-03-31 標(biāo)簽:封裝開關(guān)穩(wěn)壓器晶體管 311 0
在現(xiàn)代芯片中,數(shù)十億晶體管通過金屬互連線連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級(jí),一個(gè)看似“隱形”的問題逐漸浮出水面:金屬線之間的電容耦合。這種耦合不僅會(huì)拖慢...
2025-05-15 標(biāo)簽:芯片晶體管低介電常數(shù) 310 0
ULN2803C 50 V、八通道達(dá)林頓陣列數(shù)據(jù)手冊(cè)
ULN2803C器件是一個(gè) 50V、500mA 達(dá)林頓晶體管陣列。該器件由 8 對(duì) NPN 達(dá)林頓對(duì)組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負(fù)...
2025-05-08 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器電阻器 310 0
TPS3840 毫微功耗高輸入電壓監(jiān)控器數(shù)據(jù)手冊(cè)
寬輸入電壓允許在沒有外部元件的情況下監(jiān)控 9V 電源軌或電池,以及使用外部電阻器監(jiān)控 24V 電源軌。Nano-Iq 延長(zhǎng)了低功耗應(yīng)用的電池壽命,并在使...
TPL7407L 40V、7 通道 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPL7407L 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該設(shè)備包括 7 個(gè) NMOS 晶體管,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于 切換感性負(fù)載。...
2025-05-12 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器NMOS 308 0
UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū),并將它們連...
TPL7407LA 30V、7 通道 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPL7407LA 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個(gè) NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電感負(fù)載...
2025-05-10 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器NMOS 294 0
有機(jī)半導(dǎo)體材料及電子器件電性能測(cè)試方案
有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料,1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來,有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制...
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