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晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非?？欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 晶體管選型

晶體管資訊

華大九天多款產(chǎn)品獲得ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2國際標準認證

據(jù)華大九天2023年年報披露，其原理圖/版圖編輯工具Empyrean Aether、電路仿真工具Empyrean ALPS、物理驗證工具Empyrean...

2024-05-23 標簽：EDA工具晶體管功率器件 1.2k 0

芯片中的負載電流與驅動電流之間的差異有哪些

負載電流通常指的是電路中負載所消耗的電流。負載可以是任何用電設備或電路元件，如電阻器、電容器、二極管、晶體管等。當電壓作用于負載時，就會產(chǎn)生相應的負載電...

2024-06-12 標簽：負載電流電路設計晶體管 1.5k 0

電動智能晶體管點焊機：現(xiàn)代焊接技術的智能化革新

隨著科技的不斷進步和制造業(yè)的快速發(fā)展，焊接技術也在不斷創(chuàng)新和升級。電動智能晶體管點焊機作為現(xiàn)代焊接技術的重要代表，憑借其高效、智能、精準的特點，逐漸成為...

2024-05-22 標簽：電焊機晶體管 1.3k 0

英特爾競購High-NA EUV設備，臺積電決定回避

　另一方面，臺積電的年度技術論壇正在美國和歐洲如火如荼地進行，備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產(chǎn)A16技術，該技術將結合納米片晶體管和超級電軌架構。

2024-05-20 標簽：臺積電晶體管 EUV 879 0

部分用戶反映iPad Pro M4 OLED屏存在顆粒感

據(jù)了解，當薄膜晶體管（TFT）向OLED顯示屏輸送不同電流時，部分單元無法獲得適宜電壓，進而在屏幕上形成黑斑，導致顆粒感產(chǎn)生。

2024-05-18 標簽：薄膜 OLED 晶體管 1.5k 0

互聯(lián)網(wǎng)檔案館收錄Windows XP定制鏡像，支持i486處理器運行

需要說明的是，這種被稱之為i486的x86處理器，首次內置超過百萬個晶體管，準確來說是120萬個，然而它的發(fā)布日期為1989年，而微軟的WindowsX...

2024-05-18 標簽：處理器微軟晶體管 1.6k 0

臺積電3nm工藝節(jié)點步入正軌，N3P預計2024年下半年量產(chǎn)

在N3P上，公司利用之前的N3E工藝節(jié)點進行優(yōu)化升級，以提升整體能效及晶體管密度。據(jù)介紹，N3E工藝節(jié)點的良率已達到與5納米成熟工藝相當?shù)乃健?/p>

2024-05-17 標簽：臺積電 eda 晶體管 1.9k 0

臺積電N3P工藝新品投產(chǎn)，性能提質、成本減負

N3E工藝的批量生產(chǎn)預期如期進行，其缺陷密度與2020年量產(chǎn)的N5工藝相當。臺積電對N3E的良率評價頗高，目前僅有的采用N3E的處理器——蘋果M4，其晶...

2024-05-17 標簽：處理器臺積電晶體管 2.9k 0

功率器件IGBT及國內外IGBT企業(yè)

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（MOSFET）金氧半...

2024-05-16 標簽：三極管 IGBT 晶體管 2.5k 0

英特爾逐步停止Ponte Vecchio GPU生產(chǎn)，專注于Gaudi 2/3產(chǎn)品

這款GPU是英特爾在2022年正式宣布推出的，它擁有超過1000億個晶體管，旨在推動公司進入更廣泛的AI和高性能計算領域。

2024-05-15 標簽：英特爾 gpu 晶體管 801 0

京東方獲光電子集成基板專利，助力制造降本

此項專利中，申請人提出了一種全新的光電子集成基板以及其制造方法，并在此基礎上設計出了相應的光電子集成電路。這種集成基板主要由襯底、電子元件和光學元件三部...

2024-05-13 標簽：集成電路電子元件晶體管 988 0

英特爾正在順利推進的Intel 20A和Intel 18A兩個節(jié)點

英特爾正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

2024-05-11 標簽：英特爾晶體管 EUV 1.8k 0

士蘭微電子電機驅動模塊與智能功率模塊榮獲專利

此項發(fā)明揭示了一種用于電機驅動的集成電路模塊及功率模塊。該模塊包含引線框架，其上設有多個管芯墊和管腳，并固定有多個高側晶體管、低側晶體管、第一柵極驅動芯...

2024-05-10 標簽：電機驅動晶體管士蘭微 1.4k 0

Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發(fā)商Odysse...

2024-05-10 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 945 0

Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN...

2024-05-08 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1.3k 0

74LS04：經(jīng)典反相器芯片的工作原理和應用解析

74LS04，作為TTL（晶體管-晶體管邏輯）系列中的一員，是數(shù)字邏輯電路中的重要組件之一，具有六通道反相器的功能。以下是對74LS04的詳細解析： 7...

2024-05-08 標簽：芯片反相器晶體管 2.2萬 0

比斯特自動化|晶體管精密點焊機特性深度解析：節(jié)能環(huán)保與廣泛應用

晶體管精密點焊機作為一種先進的焊接設備，在多個領域中都得到了廣泛的應用。其獨特的工作原理和卓越性能，使得它在焊接過程中表現(xiàn)出色。本文比斯特自動化小編將為...

2024-05-08 標簽：晶體管焊機 1.1k 0

臺積電A16采用背面供電技術，提升運算效能并降低功耗

隨著晶體管尺寸減小、密度增加以及堆疊層數(shù)增多，為晶體管提供電源和傳輸數(shù)據(jù)信號變得愈發(fā)困難，需穿越10至20層堆棧，使得線路設計難度大幅提升。

2024-05-07 標簽：臺積電晶體管傳輸數(shù)據(jù) 1.1k 0

現(xiàn)代DRAM內存發(fā)明人羅伯特·登納德離世

一次偶然的機會，登納德靈光一閃，想到利用單個晶體管中的電容正負極來記錄數(shù)據(jù)，并通過反復充電實現(xiàn)數(shù)據(jù)動態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內存的基礎。

2024-05-06 標簽：電容 DRAM 晶體管 1k 0

OTP低功耗語音芯片的工作原理與產(chǎn)品特性

OTP低功耗語音芯片的工作原理：在于其獨特的電路設計以及先進的制程技術。該芯片采用了先進的低功耗設計策略，包括低漏電晶體管、動態(tài)電壓調整以及智能休眠模式...

2024-04-30 標簽：晶體管語音芯片 OTP 1.6k 0

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