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晶圓制造

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晶圓制造技術(shù)

淺談晶圓制造的步驟流程

淺談晶圓制造的步驟流程

芯片,是人類科技的精華,也被稱為現(xiàn)代工業(yè)皇冠上的明珠。芯片的基本組成是晶體管。晶體管的基本工作原理其實(shí)并不復(fù)雜,但在指甲蓋那么小的面積里,塞入數(shù)以百億級(jí)...

2025-04-23 標(biāo)簽:芯片晶體管晶圓制造 299 0

FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

本文通過(guò)介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢(shì)。

2025-04-14 標(biāo)簽:MOSFET晶圓晶體管 307 0

集成電路開(kāi)發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié)

集成電路開(kāi)發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié)

本文介紹了集成電路開(kāi)發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié),包括其核心目標(biāo)、關(guān)鍵技術(shù)與流程等內(nèi)容。

2025-03-01 標(biāo)簽:芯片集成電路晶圓制造 323 0

真空回流焊爐/真空焊接爐——晶圓失效分析

真空回流焊爐/真空焊接爐——晶圓失效分析

在制造的各個(gè)階段中,都有可能會(huì)引入導(dǎo)致芯片成品率下降和電學(xué)性能降低的物質(zhì),這種現(xiàn)象稱為沾污,沾污后會(huì)使生產(chǎn)出來(lái)的芯片有缺陷,導(dǎo)致晶圓上的芯片不能通過(guò)電學(xué)...

2025-02-13 標(biāo)簽:晶圓真空釬焊晶圓制造 495 0

半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上,每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成...

2025-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體薄膜晶圓制造 819 0

半導(dǎo)體制造里的ALD工藝:比“精”更“精”!

半導(dǎo)體制造里的ALD工藝:比“精”更“精”!

在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域,每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積(Atomic Layer Deposition,簡(jiǎn)稱AL...

2025-01-20 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體制造晶圓制造 1384 0

晶圓制造及直拉法知識(shí)介紹

晶圓制造及直拉法知識(shí)介紹

晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成...

2025-01-09 標(biāo)簽:晶圓晶圓制造 831 0

芯片制造的7個(gè)前道工藝

芯片制造的7個(gè)前道工藝

本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中,芯片制造無(wú)疑扮演著核心角色,它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石,也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)...

2025-01-08 標(biāo)簽:芯片制造晶圓制造光刻工藝 1369 0

半導(dǎo)體晶圓制造工藝流程

半導(dǎo)體晶圓制造工藝流程

半導(dǎo)體晶圓制造是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán),它是整個(gè)電子行業(yè)的基礎(chǔ)。這項(xiàng)工藝的流程非常復(fù)雜,包含了很多步驟和技術(shù),下面將詳細(xì)介紹其主要的制造工藝流程。...

2024-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓晶圓制造 2682 0

晶圓制造中的T/R的概念、意義及優(yōu)化

在晶圓制造領(lǐng)域中,T/R(Turn Ratio)指在制品的周轉(zhuǎn)率。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。本文介紹了T/R的概念、意...

2024-12-17 標(biāo)簽:工藝晶圓制造 944 0

晶圓制造recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類及構(gòu)建和驗(yàn)證方式

本文介紹了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類,以及構(gòu)建和驗(yàn)證方式,并介紹了優(yōu)化方向。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,recipe(工藝配...

2024-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝晶圓制造 1455 0

SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過(guò)程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來(lái)...

2024-11-14 標(biāo)簽:SiC工藝流程加工技術(shù) 990 0

晶圓制造工藝流程及常用名詞解釋

晶圓制造工藝流程及常用名詞解釋

在現(xiàn)代電子工業(yè)中,晶圓(Wafer)作為半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料,其制造過(guò)程復(fù)雜且精細(xì),直接決定了最終芯片的性能和質(zhì)量。晶圓制造工藝流程涵蓋了從原材料準(zhǔn)備到...

2024-10-23 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓制造 2732 0

晶圓制造良率限制因素簡(jiǎn)述(1)

晶圓制造良率限制因素簡(jiǎn)述(1)

下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列,累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過(guò)將fab外的晶圓...

2024-10-09 標(biāo)簽:芯片晶圓工藝 982 0

淺談?dòng)绊懢A分選良率的因素(2)

淺談?dòng)绊懢A分選良率的因素(2)

在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會(huì)影響晶圓分選良率。在制造區(qū)域,通過(guò)抽樣檢查和測(cè)量技術(shù)檢測(cè)工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測(cè)到,因此晶...

2024-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓制造良率 931 0

淺談薄膜沉積

薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯...

2024-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝襯底 2658 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽:光刻蝕刻晶圓制造 2763 0

半導(dǎo)體晶圓的制造流程

半導(dǎo)體晶圓的制造流程

在自然界中,獲取成本最低的半導(dǎo)體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。

2024-04-16 標(biāo)簽:光伏電池光刻膠晶圓制造 1237 0

半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過(guò)程

半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過(guò)程

先看一些晶圓的基本信息,和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋,6吋硅片,目前對(duì)8吋,12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標(biāo)簽:芯片制造硅片晶圓制造 1841 0

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過(guò)程

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過(guò)程

芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過(guò)程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過(guò)程。本文努力將這一工藝過(guò)程做一個(gè)匯總,對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過(guò)程有一個(gè)全面而概括的描述。

2024-03-29 標(biāo)簽:芯片制造蝕刻單晶硅 4587 0

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    電池
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    電池(Battery)指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間,能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步,電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽(yáng)能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢(shì)、容量、比能量和電阻。
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    充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車場(chǎng)等)和居民小區(qū)停車場(chǎng)或充電站內(nèi),可以根據(jù)不同的電壓等級(jí)為各種型號(hào)的電動(dòng)汽車充電。
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    e絡(luò)盟是電子元器件分銷商,授權(quán)經(jīng)銷3500余家半導(dǎo)體、連接器、光電和顯示產(chǎn)品、無(wú)源、電源和機(jī)電產(chǎn)品、軟件等產(chǎn)品,為電子行業(yè)的設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)專員提供服務(wù)。
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    Arrow
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    全志科技是領(lǐng)先的智能應(yīng)用處理器SoC和智能模擬芯片設(shè)計(jì)廠商。公司主要產(chǎn)品為多核智能終端應(yīng)用處理器、智能電源管理芯片等。憑借卓越的研發(fā)團(tuán)隊(duì)及技術(shù)實(shí)力,全志科技在超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU多核整合、先進(jìn)工藝的高集成度、超低功耗等方面處于業(yè)界領(lǐng)先水平,是全球平板電腦、高清視頻、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及智能電源管理等市場(chǎng)領(lǐng)域的主流供應(yīng)商之一。公司總部設(shè)于中國(guó)珠海。
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    Nordic
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    All Programmable
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      隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布,賽靈思還針對(duì)All Programmable 7系列 FPGA和Zynq?-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合(HLS)工具,繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)(ESL)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
  • 羅德與施瓦茨
    羅德與施瓦茨
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    羅德與施瓦茨公司于1985年起在北京正式開(kāi)展技術(shù)服務(wù)并設(shè)立了第一家代表處,是在中國(guó)最早設(shè)立代表機(jī)構(gòu)的100家外資企業(yè)之一。目前還設(shè)有中國(guó)培訓(xùn)中心、研發(fā)中心、校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室、開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室等。2002年在北京設(shè)立了獨(dú)資子公司—北京羅博施通信技術(shù)有限公司,提供系統(tǒng)集成與開(kāi)發(fā)、維修與校準(zhǔn)、技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等一系列全方位的技術(shù)服務(wù),獲得了ISO9001:2008國(guó)際質(zhì)量認(rèn)證體系的認(rèn)證。
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    據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)日前發(fā)布的一份預(yù)測(cè)報(bào)告顯示,世界半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)三年將保持兩位數(shù)的增長(zhǎng),這份報(bào)告還表明,全球半導(dǎo)體業(yè)之所以能夠復(fù)蘇,通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒(méi),近年來(lái)通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長(zhǎng),給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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