淺析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號...

2023-10-18 標(biāo)簽：mems晶圓芯片制造 718 0

半導(dǎo)體后端工藝：晶圓級封裝工藝（上）

晶圓級封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級封裝分為扇入型晶圓級芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圓級芯片封裝（Fan-Out WLCSP），其特...

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓Chip 3981 0

從SiP到Si3P未來發(fā)展研究

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)和系統(tǒng)復(fù)雜度的不斷提高，電子裝備越來越小型化和高集成化，而半導(dǎo)體特征尺寸逐漸逼近物理極限，芯片的設(shè)計難度和制造成本明顯提升，傳統(tǒng)封裝技術(shù)...

2023-10-17 標(biāo)簽：芯片晶圓SiP 1013 0

傳統(tǒng)封裝方法組裝工藝的八個步驟(上)

圖1顯示了塑料封裝的組裝工藝，塑料封裝是一種傳統(tǒng)封裝方法，分為引線框架封裝（Leadframe Package）和基板封裝（Substrate Pack...

2023-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 2802 0

基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的雙重特征提取方法

機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)已被廣泛接受，并且很適合此類分類問題?；诰矸e神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的雙重特征提取方法。提出的模型使用Radon拉冬變換進(jìn)行第一次特征提取，然后將此特征輸...

2023-10-16 標(biāo)簽：集成電路晶圓adc 842 0

半導(dǎo)體工業(yè)（五）芯片密度的進(jìn)步

減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個好處。在電路性能水平上，有一個顯著的優(yōu)點(diǎn)就是可以增加電路運(yùn)行速度。

2023-10-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管半導(dǎo)體芯片 1314 0

一文解析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號...

2023-10-12 標(biāo)簽：mems晶圓芯片制造 1129 0

具備簡易設(shè)計、低漂移和小尺寸的集成分流器解決方案

在自動化、便捷性和可持續(xù)性需求的推動下，電氣化的進(jìn)步需要更多的傳感器、電力電子設(shè)備和處理器來可靠、準(zhǔn)確地感知周圍環(huán)境并做出反應(yīng)。

2023-10-11 標(biāo)簽：傳感器處理器電阻器 788 0

晶圓廠中Liqui-Cel膜接觸器的應(yīng)用

3M Liqui-Cel膜接觸器產(chǎn)品已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于各Fab廠超純水溶解氣體控制應(yīng)用，有超過40年成功應(yīng)用歷史，其穩(wěn)定的性能和超長的壽命贏得了業(yè)主和合作...

2023-10-10 標(biāo)簽：晶圓接觸器工藝流程 1471 0

為什么叫shot？為什么shot比掩膜版尺寸小很多？

其中，步進(jìn)投影式光刻機(jī)（stepper）的一個shot一個shot進(jìn)行曝光的，并不是一整張晶圓同時曝光，那么stepper的shot是什么樣的？多大尺寸...

2023-10-09 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片設(shè)計 9179 0

聊聊芯片設(shè)計、流片、驗證、制造、成本的那些事

流片的重要性就在于能夠檢驗芯片設(shè)計是否成功，是芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，也就是將設(shè)計好的方案交給芯片制造廠生產(chǎn)出樣品。

2023-10-07 標(biāo)簽：PCB板晶圓MPW 3935 0

什么是刻蝕的選擇性？刻蝕選擇比怎么計算？受哪些因素的影響呢？

刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。

2023-10-07 標(biāo)簽：晶圓 9929 0

干法刻蝕的負(fù)載效應(yīng)是怎么產(chǎn)生的？有什么危害？如何抑制呢？

有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。

2023-10-07 標(biāo)簽：晶圓刻蝕機(jī) 7005 0

半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新案例

當(dāng)技術(shù)優(yōu)化的整體方法包括芯片設(shè)計、封裝和產(chǎn)品級相互依賴性時，產(chǎn)品、設(shè)計、封裝、工藝和器件相互依賴性的整體方法，以提高研發(fā)效率和價值創(chuàng)造

2023-10-07 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計半導(dǎo)體器件 1374 0

CD-SEM是怎樣測線寬呢？CD-SEM與普通SEM有哪些區(qū)別？

CD-SEM,全名Critical Dimension Scanning Electron Microscopy，中文翻譯過來是：特征尺寸掃描電子顯微鏡。

2023-10-07 標(biāo)簽：晶圓芯片制造SEM 1.0萬 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓場效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4596 0

淺析先進(jìn)封裝的四大核心技術(shù)

先進(jìn)封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點(diǎn)。先進(jìn)封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點(diǎn)、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等，依托這些技術(shù)的...

2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計SiP技術(shù) 4159 0

芯片的制作流程及原理

芯片的制作流程通常包括以下幾個主要步驟。

2023-09-27 標(biāo)簽：芯片電路圖晶圓 4308 0

干法刻蝕與濕法刻蝕各有什么利弊？

在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。

2023-09-26 標(biāo)簽：mems晶圓半導(dǎo)體制造 9141 1