晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

按晶圓尺寸計(jì)算，GaN半導(dǎo)體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個(gè)批...

2023-02-12 標(biāo)簽：晶圓 GaN 半導(dǎo)體器件 793 0

硅基氮化鎵什么意思

硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關(guān)注。在最近十年的初期，當(dāng) Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術(shù)可減低 LED 照...

2023-02-12 標(biāo)簽：led 晶圓硅基氮化鎵 1.7k 0

8英寸晶圓級(jí)膠體量子點(diǎn)短波/中波紅外焦平面成像陣列制備技術(shù)

論文中提出了一種捕獲型紅外器件工作原理及設(shè)計(jì)方法（圖1）。通過液相配體交換的方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)量子點(diǎn)摻雜類型及濃度的精準(zhǔn)調(diào)控。在近本征量子點(diǎn)薄膜頂層涂覆具有強(qiáng)...

2023-02-10 標(biāo)簽：探測(cè)器晶圓芯片技術(shù) 2.5k 0

射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生...

2023-02-10 標(biāo)簽：功率放大器晶圓氮化鎵 1.7k 0

LFPAK系列全新8*8封裝提升功率效率

為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要，Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID，將功率密...

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓封裝 3.1k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 5.2k 0

半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料【三】

設(shè)備功能：將兩片晶圓互相結(jié)合，并使表面原子互相反應(yīng)，產(chǎn)生共價(jià)鍵合，合二為一，是實(shí)現(xiàn)3D晶圓堆疊的重要設(shè)備。

2023-02-07 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造 4.4k 0

刻蝕工藝基礎(chǔ)知識(shí)簡析

刻蝕速率是測(cè)量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。

2023-02-06 標(biāo)簽：晶圓 SEM 電子顯微鏡 8.1k 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...

2023-02-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 6.2k 0

中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本，這是一個(gè)國際上發(fā)展的趨勢(shì)。

2023-02-03 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.9k 0

芯片內(nèi)部，如何互聯(lián)？

隨著摩爾定律的放緩，芯粒（Chiplet）和異構(gòu)集成 (HI：heterogenous integration) 提供了一種令人信服的方式來繼續(xù)改進(jìn)性能...

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片 cpu 晶圓 3.6k 0

什么是硅片？為什么硅片表面如此光滑？

拋光液必須現(xiàn)場調(diào)配，立即使用。通過測(cè)量容積或液位實(shí)時(shí)確保各種成分的配比，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進(jìn)的芯片制程采用非接觸式的稱重計(jì)量法來做配比，采用自動(dòng)化的高精密...

2023-02-02 標(biāo)簽：晶圓 CMP 硅片 8.8k 0

差動(dòng)放大器支持低功耗、高性能絕對(duì)值電路

本文介紹如何配置雙通道差動(dòng)放大器（無需外部元件），以提供精密絕對(duì)值輸出。與傳統(tǒng)方法相比，這種創(chuàng)新方法可以實(shí)現(xiàn)更好的精度、更低的成本和更低的功耗。

2023-02-01 標(biāo)簽：整流器運(yùn)算放大器晶圓 5.8k 0

半導(dǎo)體制造工藝超薄晶圓磨削減薄技術(shù)解析

在后道制程階段，晶圓（正面已布好電路的硅片）在后續(xù)劃片、壓焊和封裝之前需要進(jìn)行背面減?。╞ackthinning）加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體...

2023-01-29 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造 8.4k 0

晶圓級(jí)封裝Bump制造工藝關(guān)鍵點(diǎn)解析

射頻前端（RFFE，RadioFrequency Front-End）模組國內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器（PA，Power Amplifier...

2023-01-13 標(biāo)簽：晶圓封裝制造工藝 5.4k 0

半導(dǎo)體集成電路和晶圓有何關(guān)系？半導(dǎo)體晶圓制造工藝介紹

半導(dǎo)體集成電路是將許多元件集成到一個(gè)芯片中以處理和存儲(chǔ)各種功能的電子組件。由于半導(dǎo)體集成電路是通過在晶圓的薄基板上制造多個(gè)相同電路而產(chǎn)生的，因此晶圓是半...

2023-01-11 標(biāo)簽：集成電路晶圓晶圓制造 6.7k 0

臺(tái)積電3nm工藝技術(shù)細(xì)節(jié)解讀

最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。

2023-01-10 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 3nm 5.9k 0

晶圓是什么？晶圓拋光機(jī)的定義及應(yīng)用

晶圓拋光機(jī)作為半導(dǎo)體晶圓拋光配備，主要優(yōu)點(diǎn)有新型實(shí)用、經(jīng)濟(jì)成本低、容易實(shí)現(xiàn)。

2023-01-06 標(biāo)簽：晶圓拋光機(jī) 3k 0

從PIC芯片至800G/1.6T系統(tǒng)測(cè)試解決方案

強(qiáng)大的自動(dòng)化水平：用于自動(dòng)化測(cè)試流程和數(shù)據(jù)管理的完整軟件套件；執(zhí)行復(fù)雜邏輯，如搜索、優(yōu)化和并行執(zhí)行；先進(jìn)的導(dǎo)航工具、可移植序列和邏輯學(xué)

2023-01-05 標(biāo)簽：晶圓測(cè)試系統(tǒng) 1.8k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝詳解

與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費(fèi)用。

2022-12-29 標(biāo)簽：晶圓工藝等離子 4.3k 0

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寒武紀(jì)是目前國際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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紫光展銳是我國集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史。總部設(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
比特大陸

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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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