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晶片

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晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時，晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

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晶片技術(shù)

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素...

2022-07-12 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶片 2.6k 0

硅和SiO2的濕化學(xué)蝕刻機理

蝕刻機理諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...

2022-07-11 標(biāo)簽：蝕刻晶片 SiO2 2.9k 0

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節(jié)點、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和...

2022-07-07 標(biāo)簽：制造工藝晶片清洗技術(shù) 2.6k 0

濕法蝕刻在硅片減薄中的作用

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)...

2022-07-05 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 4.5k 0

蝕刻后殘留物和光刻膠的去除方法

在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路...

2022-07-04 標(biāo)簽：蝕刻晶片光刻膠 1.1萬 0

TSV工藝流程與電學(xué)特性研究

本文報道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...

2022-06-16 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 4k 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標(biāo)簽：集成電路蝕刻晶片 1.6k 0

InGaP層去除GaAs外延蓋層的選擇性濕法蝕刻工藝

半導(dǎo)體器件的制造工程已使光電儀器、激光二極管和無線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從巴丁、布里泰因和肖克利1947年在貝爾實驗室發(fā)明晶體管，到大約...

2022-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 3.4k 0

濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究

摘要溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的...

2022-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 7.8k 0

KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會...

2022-05-24 標(biāo)簽：蝕刻晶片溶液 2.9k 0

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

將ZnO:Al薄膜織構(gòu)化與沉積條件的依賴性分開是優(yōu)化ZnO作為太陽能電池中的光散射、透明接觸的一個重要方面。對于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...

2022-05-23 標(biāo)簽：薄膜蝕刻晶片 4.7k 0

稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除效率

本文介紹了我們?nèi)A林科納在稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除，在SC1清洗過程中，兩種化學(xué)成分之間存在協(xié)同和補償作用，H2O2氧化硅并形成化學(xué)氧化物...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片顆粒兆聲波 1.4k 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片清洗刻蝕 1.1k 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1.6k 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

本實驗通過這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識分為四個實驗組，進(jìn)行了清洗實驗及室溫接合，以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內(nèi)部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標(biāo)簽：晶片硅片鍵合 1.7k 0

一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法

本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片鍵合 3.7k 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過程

本文報道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 2.2k 0

EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底損傷性能

在本報告中，我們?nèi)A林科納探討了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常規(guī)氣溶膠噴霧清潔系統(tǒng)中的微粒去除和基底損傷性能。在300毫米和200毫米的...

2022-05-07 標(biāo)簽：晶片清洗微粒 1.2k 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對器件性能的影響

退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強這些效應(yīng)，令...

2022-05-06 標(biāo)簽：蝕刻晶片清洗 867 0

半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性

本研究利用CFD模擬分析了半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性，并根據(jù)分析Case和晶片位置觀察了設(shè)計因子變化時的速度變化。

2022-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體特性晶片 1.2k 0

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