英商康橋半導(dǎo)體于日發(fā)表C2283控制晶片－一款高效能的初級(jí)側(cè)返馳式 （PSS） 控制晶片，并擁有獨(dú)特固定功率 （CP） 控制模式，計(jì)畫能更進(jìn)一步將業(yè)務(wù)觸角擴(kuò)展至快速成長(zhǎng)的網(wǎng)路產(chǎn)品電源
2012-10-24 10:11:39
1535 意法半導(dǎo)體（ST）推出先進(jìn)單晶片數(shù)位動(dòng)作控制器，為工業(yè)自動(dòng)化和醫(yī)藥制造商實(shí)現(xiàn)更安靜、更精巧、更輕盈、更簡(jiǎn)單且更高效的精密動(dòng)作和定位系統(tǒng)。 意法半導(dǎo)體已與主要客戶合作將
2012-11-20 08:45:082338 次數(shù)多，其時(shí)間縮短、高精度化決定半導(dǎo)體的生產(chǎn)性和質(zhì)量。在單張式清洗中，用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉(zhuǎn)，一邊從裝置上部使干燥的空氣流過(guò)。在該方式中，逐個(gè)處理晶片。上一行程粒子的交錯(cuò)污染少。近年來(lái)，由于高壓噴氣和極低
2021-12-23 16:43:041564 
引言 為了評(píng)估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過(guò)高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過(guò)將晶片表面的解吸氣體引入APIMS，研究了IPA蒸汽
2021-12-30 16:31:027071 
多年來(lái)，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無(wú)機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如相對(duì)較低的鍵合溫度、沒(méi)有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:044575 
半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見(jiàn)的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴?，空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面，給半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來(lái)了許多令人頭痛的問(wèn)題。
2022-07-08 17:18:505211 
多。 8.平面型，在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于
2015-11-27 18:09:05
，是由于歐債危機(jī)等因素導(dǎo)致的宏觀經(jīng)濟(jì)景氣不明，導(dǎo)致全球市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體的需求出現(xiàn)衰退。IHS分析師SharonStiefel表示，2011年第四季半導(dǎo)體供應(yīng)商庫(kù)存水位上升同時(shí)，客戶的晶片庫(kù)存是減少的，顯示
2012-06-12 15:23:39
電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場(chǎng)）下內(nèi)部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性。位錯(cuò)是晶體中最
2013-01-28 14:58:38
、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有
2021-09-15 07:24:56
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
就是集成電路的載體，廣義上我們就將芯片等同于了集成電路。所以對(duì)于小白來(lái)說(shuō)，只需要記住，當(dāng)芯片、集成電路、半導(dǎo)體出現(xiàn)的時(shí)候，別慌，是同一碼事兒。半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體芯片雖然個(gè)頭很小。但是內(nèi)部
2020-11-17 09:42:00
晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺(tái)，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機(jī)，在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過(guò)程中，為了提高產(chǎn)率，便采用
2018-03-16 11:53:10
實(shí)驗(yàn)名稱:壓電雙晶片動(dòng)力學(xué)特性試驗(yàn)研究研究方向：軸向預(yù)壓縮雙晶片動(dòng)力學(xué)建模及其應(yīng)用實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:（1）不同軸向力下的靜態(tài)撓度實(shí)驗(yàn)：利用激光位移傳感器測(cè)試雙晶片在不同電壓、不同軸向力的最大撓度，測(cè)試其靜態(tài)
2018-01-03 17:00:36
高壓放大器在壓電雙晶片動(dòng)力學(xué)研究中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)名稱:壓電雙晶片動(dòng)力學(xué)特性試驗(yàn)研究研究方向：軸向預(yù)壓縮雙晶片動(dòng)力學(xué)建模及其應(yīng)用實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:（1）不同軸向力下的靜態(tài)撓度實(shí)驗(yàn)：利用激光位移傳感器測(cè)試雙晶片
2018-11-07 17:24:30
MS2109是一款高清視頻傳采集晶片，內(nèi)部集成USB2.0控制器和數(shù)據(jù)收發(fā)模塊，HDMI RX模塊和音視頻處理模塊。MS2109可以將HDMI接口輸出的音視頻信號(hào)通過(guò)USB接口傳送到PC，智慧型手機(jī)
2022-04-19 17:22:46
MS2109是一款高清視頻傳采集晶片，內(nèi)部集成USB2.0控制器和數(shù)據(jù)收發(fā)模塊，HDMI RX模塊和音視頻處理模塊。MS2109可以將HDMI接口輸出的音視頻信號(hào)通過(guò)USB接口傳送到PC，智慧型手機(jī)
2022-05-10 14:43:33
MS2109是一款高清視頻傳采集晶片，內(nèi)部集成USB2.0控制器和數(shù)據(jù)收發(fā)模塊，HDMI RX模塊和音視頻處理模塊。MS2109可以將HDMI接口輸出的音視頻信號(hào)通過(guò)USB接口傳送到PC，智慧型手機(jī)
2022-05-27 11:14:30
摘要
在半導(dǎo)體工業(yè)中，晶片檢測(cè)系統(tǒng)被用來(lái)檢測(cè)晶片上的缺陷并找到它們的位置。為了確保微結(jié)構(gòu)所需的圖像分辨率，檢測(cè)系統(tǒng)通常使用高NA物鏡，并且工作在UV波長(zhǎng)范圍內(nèi)。作為例子，我們建立了包括高NA聚焦
2025-05-28 08:45:08
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下
2021-07-08 13:13:06
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒(méi)有金屬時(shí)的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時(shí)，金屬層會(huì)下降到半導(dǎo)體中。4 本報(bào)告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體晶圓（
晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過(guò)程中可承載
非本征
半導(dǎo)體。它們是正（P）型
半導(dǎo)體或負(fù)（N）型
半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅
晶片是非常常見(jiàn)的
半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
：元件長(zhǎng)： ·h：元件厚； ·s：元件離板間隙： ·r：邊緣圓角在基板上的寬?！ ：焊球的數(shù)量則 填充材料流動(dòng)速度或填充的時(shí)間除了與其特性相關(guān)外，還于晶片尺寸大小，離板間隙以及填充材料
2018-09-06 16:40:41
倒裝晶片元件損壞的原因是什么？
2021-04-25 06:27:25
對(duì)完成底部填充以后產(chǎn)品的檢查有非破壞性檢查和破壞性檢查，非破壞性的檢查有： ·利用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行外觀檢查，譬如，檢查填料在元件側(cè)面爬升的情況，是否形成良好的邊緣圓角，元件表面 是否有臟污等
2018-09-06 16:40:06
什么元件被稱為倒裝晶片（FC）？一般來(lái)說(shuō)，這類元件具備以下特點(diǎn)?！ 、倩氖枪?； ②電氣面及焊凸在元件下表面； ?、矍蜷g距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
完成后，需要在元件底部和基板之間填充一種膠（一般為 環(huán)氧樹脂材料）。底部填充分為基于“毛細(xì)流動(dòng)原理”的流動(dòng)性和非流動(dòng)性（No－follow）底部填充?！ ∩鲜龅寡b晶片組裝工藝是針對(duì)C4元件（元件焊凸材料為
2018-11-23 16:00:22
由于倒裝晶片韓球及球問(wèn)距非常小，相對(duì)于BGA的裝配，其需要更高的貼裝精度。同時(shí)也需要關(guān)注從晶片被吸 取到貼裝完成這一過(guò)程。在以下過(guò)程中，元件都有可能被損壞： ·拾取元件； ·影像處理
2018-11-22 11:02:17
倒裝晶片（Flip Chip）貼裝屬于先進(jìn)半導(dǎo)體組裝（Advanced Semiconductor Assembly），常見(jiàn)的應(yīng)用有無(wú)線天線、藍(lán)牙、硬盤磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫(yī)用高精密
2018-11-27 10:45:28
1 引言 半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能,這一集成規(guī)模在幾年前是無(wú)法想象的。因此,如果沒(méi)有IC封裝技術(shù)快速的發(fā)展，不可能實(shí)現(xiàn)便攜式電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。在消費(fèi)類產(chǎn)品小型化和更輕、更薄
2018-08-27 15:45:31
淮安德科碼半導(dǎo)體有限公司圖像感測(cè)器晶片CIS專案，由淮安高新區(qū)管委會(huì)和區(qū)***招商引資入駐淮安。專案占地總面積350畝，總投資150億元。專案分兩期建設(shè)，一期為12吋晶圓廠，總投資120億元，年產(chǎn)
2016-11-25 14:35:58
半導(dǎo)體致冷晶片在環(huán)境溫度45度時(shí)，是否還可以繼續(xù)進(jìn)行熱冷轉(zhuǎn)換，對(duì)工作電源有哪些嚴(yán)格要求？
2017-06-08 17:29:09
頻率牽引量和溫漂.頻率牽引量是石英晶體諧振器的頻率精度(ppm)隨著負(fù)載電容(pF)的變化而變化的物理量.溫漂是石英晶體諧振器的頻率精度隨著周圍溫度的變化而產(chǎn)生的物理量,這是石英的本身的特性,其溫度
2014-12-29 15:06:11
綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對(duì)拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問(wèn)題,并對(duì)其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:21
0 單晶片PLL電路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的進(jìn)入高集積化，以往需要２～３晶片之情形，現(xiàn)在只需單晶片之專用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222489 
LED晶片的組成,作用及分類
一、LED晶片的作用：LED晶片為L(zhǎng)ED的主要原材料，LED主要依靠晶
2009-05-09 09:05:581920 
什么是led晶片?
1.按發(fā)光亮度分: A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等. &nb
2009-05-11 10:01:121663 
led晶片基礎(chǔ)知識(shí)
一.led晶片的作用: led晶片為L(zhǎng)ED的主要原材料,LED主要依靠晶片
2009-11-13 09:37:161117 英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon)，成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓
2011-10-14 09:51:431352 晨星半導(dǎo)體宣布其電視晶片解決方案被Toshiba采用,并于歐洲地區(qū)推出新型TL及RL系列應(yīng)用機(jī)種。
2011-11-15 23:05:001330 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn)，即每?jī)赡晡⒖s晶片特徵尺寸的週期已然結(jié)束，我們正在跨入一個(gè)情勢(shì)高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來(lái)愈艱困
2012-03-23 08:45:58994 
根據(jù)研究機(jī)構(gòu)國(guó)際數(shù)據(jù)資訊（IDC），今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)料加速成長(zhǎng)，促使規(guī)模較大的晶片制造商收購(gòu)較小的對(duì)手，以提升其市占率。
2012-05-08 08:29:45526 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)國(guó)際數(shù)據(jù)資訊(IDC)，今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)料加速成長(zhǎng)，促使規(guī)模較大的晶片制造商收購(gòu)較小的對(duì)手，以提升其市占率。
2012-05-09 08:48:15409 VI晶片焊接建議. ，這上領(lǐng)域很有用的PDF資料。
2016-01-06 17:39:200 VI晶片PRM型號(hào) ，這上領(lǐng)域很有用的PDF資料。
2016-01-06 17:42:450 在半導(dǎo)體工業(yè)中，硅晶片在從一個(gè)工序移動(dòng)到下一個(gè)工序的過(guò)程中是被裝在盒子里的。當(dāng)盒子到達(dá)某一位置時(shí)，晶片搬運(yùn)機(jī)器人就把晶片從盒子里轉(zhuǎn)移到加工模塊，一次一片。機(jī)器人必須跳過(guò)沒(méi)有晶片的位置或者那些一個(gè)槽里
2017-10-18 17:24:5016 晶片電阻又稱厚膜晶片電阻或金屬膜電阻和片式電阻，不管哪個(gè)各種名稱都是根據(jù)它的膜層厚度、形狀及膜層材料來(lái)區(qū)分
2019-09-22 11:06:1913571 
我國(guó)近日在碳基半導(dǎo)體材料的研制方面有了非常重要突破，近日在碳化硅晶片量產(chǎn)方面也取得重大進(jìn)展，相同的“碳”字，不同的材料，一個(gè)是晶片，一個(gè)是芯片。
2020-06-13 10:33:2531361 《日經(jīng)新聞》報(bào)導(dǎo)，去年以來(lái)全球半導(dǎo)體缺貨已讓晶片代工廠產(chǎn)能逼近臨界點(diǎn)，連帶提高車用晶片委外制造成本，使瑞薩電子（Renesas）、恩智浦（NXP）等車用晶片大廠不約而同在近日漲價(jià)，恐怕進(jìn)一步衝擊
2021-01-24 12:48:392141 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:212673 引言 薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和用于射頻識(shí)別系統(tǒng)的集成電路。機(jī)械研磨是最常見(jiàn)的晶圓減薄技術(shù)，因?yàn)槠錅p薄率很高。新的微電子產(chǎn)品要求硅晶片厚度減
2022-01-17 11:00:411349 
摘要 在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要
2022-01-18 16:08:131729 
本研究透過(guò)數(shù)值解析，將實(shí)驗(yàn)上尋找硅晶片最佳流動(dòng)的方法，了解目前蝕刻階段流動(dòng)的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實(shí)驗(yàn)的方法尋找最佳流動(dòng)，通過(guò)數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32999 
薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和用于射頻識(shí)別系統(tǒng)的集成電路。機(jī)械研磨是最常見(jiàn)的晶圓減薄技術(shù)，因?yàn)槠錅p薄率很高。新的微電子產(chǎn)品要求硅晶片厚度減薄到
2022-02-10 15:42:361275 
半導(dǎo)體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個(gè)重要問(wèn)題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產(chǎn)品損失的主要原因。我們開發(fā)了一種用于檢測(cè)半導(dǎo)體晶片上顆粒沉積的靈敏方法。該方法
2022-02-22 15:17:091630 
，其時(shí)間縮短、高精度化決定半導(dǎo)體的生產(chǎn)性和質(zhì)量。在單張式清洗中，用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉(zhuǎn)，一邊從裝置上部使干燥的空氣流過(guò)。在該方式中，逐個(gè)處理晶片。上一行程粒子的交錯(cuò)污染少。近年來(lái)，由于高壓噴氣
2022-02-22 16:01:081496 
摘要 在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。在每一步中，晶片
2022-02-23 17:44:202533 摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100，該方法和方法包括通過(guò)從裝載端口 110 中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片來(lái)填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:031771 
介紹 單晶片清洗工具正在成為半導(dǎo)體行業(yè)取代批量工具的新標(biāo)準(zhǔn)。事實(shí)上，它們成功地提高了清潔性能（工藝均勻性、缺陷率、產(chǎn)量）和工業(yè)方面的考慮（周期時(shí)間、DIW 消耗、環(huán)境）。 盡管如此，單晶圓/批量工具
2022-02-28 14:58:45720 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:503354 
介紹了半導(dǎo)體晶片制造設(shè)備濺射機(jī)和濺射工藝對(duì)晶片碎片的影響，給出了如何減少晶片應(yīng)力以達(dá)到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:082 為了評(píng)估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過(guò)高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過(guò)將晶片表面的解吸氣體引入APIMS，研究了IPA蒸汽干燥后
2022-03-10 16:17:531451 
利用異丙醇(IPA)和氮載氣開發(fā)了一種創(chuàng)新的晶片干燥系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)的非環(huán)保晶片干燥系統(tǒng)。研究了IPA濃度是運(yùn)行該系統(tǒng)的最重要因素，為了防止IPA和熱量蒸發(fā)造成的經(jīng)濟(jì)損失，將干燥器上部封閉，以期開發(fā)出IPA和熱能不流失的干燥工藝。
2022-03-23 15:14:46921 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。如果在背面有膜的情況下進(jìn)行batch方式的潤(rùn)濕工序
2022-03-28 15:54:482085 
在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。
2022-04-01 14:25:334122 
晶片干洗系統(tǒng)，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種能夠提高對(duì)晶片干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。
2022-04-08 14:51:041388 
本發(fā)明涉及一種晶片干洗系統(tǒng)，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種能夠提高對(duì)晶片的干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)，可以提高晶片的干燥效率。
2022-04-11 15:13:361345 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對(duì)所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:571071 作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過(guò)hvpe (氫化物氣相)生長(zhǎng)法等進(jìn)行生長(zhǎng)制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:001259 
利用異丙醇(IPA)和氮載氣開發(fā)創(chuàng)新了一種晶片干燥系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)的非環(huán)保晶片干燥系統(tǒng)。研究b了IPA濃度是運(yùn)行該系統(tǒng)的最重要因素，為了防止IPA和熱量蒸發(fā)造成的經(jīng)濟(jì)損失，將干燥器上部封閉，以期開發(fā)出IPA和熱能不流失的干燥工藝。
2022-04-29 15:09:311321 
引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場(chǎng)。該信息被用于一項(xiàng)倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計(jì)算速度場(chǎng)。大部分的水無(wú)助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461876 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中，使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明，振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37737 
雖然聽(tīng)起來(lái)可能沒(méi)有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片要經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:232658 
摘要 隨著越來(lái)越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實(shí)踐，對(duì)高質(zhì)量晶片的需求越來(lái)越大。對(duì)于表面上幾乎沒(méi)有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機(jī)物的高度潔凈的晶片來(lái)說(shuō)，尤其如此。為了生產(chǎn)高清潔度的晶片，有必要通過(guò)對(duì)表面雜質(zhì)行為
2022-07-11 15:55:451911 
碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:104044 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程，接下來(lái)我們就聊聊其工藝流程。今天我們來(lái)聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:505227 
通過(guò)測(cè)量晶片上的殘留物得知，晶片上已經(jīng)分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設(shè)有兩種不同的沉積機(jī)制：吸附和蒸發(fā)沉積。
2023-06-08 10:57:43750 6月8日勁拓股份有限公司，據(jù)最新調(diào)研紀(jì)要的
半導(dǎo)體舉行公共費(fèi)用和專用設(shè)備的
半導(dǎo)體硅
晶片制造設(shè)備，包括
半導(dǎo)體召開公共
非先進(jìn)的成套制造等生產(chǎn)階段的熱處理設(shè)備，
半導(dǎo)體硅
晶片制造設(shè)備是
半導(dǎo)體硅
晶片生產(chǎn)過(guò)程中使用的?！?/div>
2023-06-09 10:57:211634 倒裝晶片（Flip Chip）貼裝屬于先進(jìn)半導(dǎo)體組裝（Advanced Semiconductor Assembly），常見(jiàn)的應(yīng)用有無(wú)線天線、藍(lán)牙、硬盤磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫(yī)用高精密設(shè)備等。
2023-09-26 15:47:451417 
電阻器是電子電路中常見(jiàn)的被動(dòng)元件，用于限制電流、調(diào)整電壓和執(zhí)行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見(jiàn)的類型：厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類型的電阻器在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面都有一些顯著的區(qū)別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:172820 
根據(jù)發(fā)明專利要點(diǎn)，該公司提供的一種半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備；半導(dǎo)體晶片處理腔室包括腔體、設(shè)置在該腔體內(nèi)可沿豎直方向移動(dòng)的片盒和設(shè)置在腔體內(nèi)的加熱組件，還包括溫度檢測(cè)組件，該溫度檢測(cè)組件的檢測(cè)部為溫度檢測(cè)板
2023-11-15 10:38:311344 
的復(fù)雜性和成本，努力實(shí)現(xiàn)持續(xù)改進(jìn)至關(guān)重要. 質(zhì)量控制和產(chǎn)量 一個(gè)晶片上同時(shí)制造幾百個(gè)芯片。我們不是在談?wù)撁牢兜娘灨桑?b class="flag-6" style="color: red">晶片通常是一塊硅(世界上最豐富的半導(dǎo)體之一)或其他半導(dǎo)體材料，設(shè)計(jì)成非常薄的圓盤形式。晶片用于制造電子
2023-12-04 11:50:57801 
和電子設(shè)備中存在的集成電路的工藝。在半導(dǎo)體器件制造中，各種處理步驟分為四大類，例如沉積、去除、圖案化和電特性的改變。 最后，通過(guò)在半導(dǎo)體材料中摻雜雜質(zhì)來(lái)改變電特性。晶片清洗過(guò)程的目的是在不改變或損壞晶片表面或襯
2024-04-08 15:32:353018 
完成打線的半導(dǎo)體晶片，為了防止外界物理性接觸或污染的侵入，需要以包裝或是封裝材料密封。
2024-04-28 14:28:421686 
特性 ： 脆性 ：壓電材料通常具有較高的脆性，這意味著它們對(duì)機(jī)械沖擊和振動(dòng)較為敏感。在運(yùn)輸、安裝或使用過(guò)程中，輕微的碰撞或跌落都可能導(dǎo)致晶片破裂或損壞。 溫度敏感性 ：某些壓電材料對(duì)溫度變化也較為敏感，極端的溫度變
2024-10-06 14:26:001016 是一種化學(xué)元素，化學(xué)符號(hào)為Si，原子序數(shù)為14。它是一種非金屬，具有金屬和非金屬的特性。硅是地殼中第二豐富的元素，廣泛存在于巖石、沙子和土壤中。硅的半導(dǎo)體特性使其成為制造晶片的理想材料。 晶片的制造過(guò)程非常復(fù)雜，
2024-09-09 09:11:222655 人們通常將半導(dǎo)體激光器輸出的光場(chǎng)分布分別用近場(chǎng)與遠(yuǎn)場(chǎng)特性來(lái)描述。
2024-10-30 10:45:111529 
在半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)工廠中，每天都會(huì)有大量的芯片在生產(chǎn)、傳輸，通過(guò)RFID技術(shù)，可以對(duì)晶圓盒進(jìn)行識(shí)別、智能管理，確定晶片在生產(chǎn)過(guò)程中的工藝流程、生產(chǎn)進(jìn)度等，實(shí)時(shí)跟蹤與優(yōu)化生產(chǎn)過(guò)程中的每一步，確保晶片
2024-11-29 17:46:581223 
通過(guò)單晶生長(zhǎng)工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質(zhì)硬脆特性，無(wú)法直接用于半導(dǎo)體芯片制造，需經(jīng)過(guò)機(jī)械加工、化學(xué)處理、表面拋光及質(zhì)量檢測(cè)等一系列處理流程，才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中，針對(duì)硅錠的晶片切割工藝是芯片加工流程中的關(guān)鍵工序，其加工效率與質(zhì)量直接影響整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)產(chǎn)能。
2025-06-06 14:10:09715 
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