氧清洗硅晶片污染物的實(shí)驗(yàn)研究

本研究的目的是為高效半導(dǎo)體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法，主要特點(diǎn)是清洗過(guò)程是在室溫和標(biāo)準(zhǔn)壓力下進(jìn)行的，沒有特殊情況。盡管該方法與實(shí)際制造工藝相比，半...

2022-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片加熱 739 0

HF/H2O二元溶液中硅晶片變薄的蝕刻特性

使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散...

2022-03-18 標(biāo)簽：光電蝕刻晶片 1.1k 0

通過(guò)封閉系統(tǒng)和蒸汽方法清潔晶圓

隨著LSI的精細(xì)化，晶片的清洗技術(shù)越來(lái)越重要。晶片清洗技術(shù)的一個(gè)重要特性是如何在整個(gè)過(guò)程中去除刨花板或重金屬，以及在這個(gè)清洗過(guò)程本身中抑制刨花板的去除和...

2022-03-18 標(biāo)簽：晶片清洗技術(shù)紋理 822 0

丁基醇濃度對(duì)Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響

本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速...

2022-03-18 標(biāo)簽：蝕刻晶片測(cè)量 698 0

微細(xì)加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過(guò)程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過(guò)程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)...

2022-03-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片加工 1.7k 0

新型全化學(xué)晶片清洗技術(shù)詳解

本文介紹了新興的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)，研究它們提供更低的水和化學(xué)消耗的能力，提供了每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益和考慮因素、環(huán)境、安全和健康(ES...

2022-03-16 標(biāo)簽：測(cè)試晶圓晶片 851 0

半導(dǎo)體制造過(guò)程中刷洗力的研究

為了確保高器件產(chǎn)量，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，必須在幾個(gè)點(diǎn)監(jiān)控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗滌器是用于實(shí)現(xiàn)這種控制的工具之一，尤其是在化學(xué)機(jī)械平面化工藝之后...

2022-03-16 標(biāo)簽：測(cè)試裝置晶片 1.1k 0

晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應(yīng)用

什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。

2022-03-15 標(biāo)簽：工藝光刻晶片 1.4k 0

兆聲清洗晶片過(guò)程中去除力的分析

在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，兆聲波已經(jīng)被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個(gè)過(guò)程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內(nèi)的聲...

2022-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片函數(shù) 891 0

水痕去除的有效方法有哪些

應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對(duì)晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過(guò)程。一種非常常見的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥，但從減少顆粒...

2022-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶片 1.7k 0

詳解微米級(jí)顆粒清洗新技術(shù)

近年來(lái)，微米級(jí)低溫固體微粒的熱流體機(jī)械高功能性在應(yīng)用于高熱發(fā)射器件的超高熱通量冷卻技術(shù)領(lǐng)域受到關(guān)注。為了在先進(jìn)的納米技術(shù)領(lǐng)域有效利用這種低溫固體顆粒的高...

2022-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶片 1.4k 0

二氧化硅薄膜蝕刻速率均勻性的比較

半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液bath中一次性加入數(shù)...

2022-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 1.2k 0

用濕化學(xué)工藝制備的超薄氧化硅結(jié)構(gòu)

近十年來(lái)，濕化學(xué)法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結(jié)構(gòu)的技術(shù)和研究取得了迅速發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長(zhǎng)有關(guān)。

2022-03-11 標(biāo)簽：晶片金屬電阻率 1.3k 0

二氧化硅蝕刻標(biāo)準(zhǔn)操作程序研究報(bào)告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...

2022-03-10 標(biāo)簽：材料蝕刻晶片 2k 0

IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分實(shí)驗(yàn)研究

為了評(píng)估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過(guò)高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過(guò)將晶片表面的...

2022-03-10 標(biāo)簽：特性晶片光譜 1.3k 0

晶圓表面清潔的研究方法

設(shè)備在整個(gè)制造過(guò)程中需要使用不同的材料達(dá)到不同的清潔水平，因此提供多種清潔選項(xiàng)以達(dá)到所需的清潔水平以確保良好的設(shè)備和高產(chǎn)量變得越來(lái)越重要。表面活化是與清...

2022-03-10 標(biāo)簽：制造設(shè)備晶片 2.6k 0

標(biāo)準(zhǔn)清洗槽中的質(zhì)量參數(shù)的監(jiān)控方法

高效的硅片清洗需要最佳的工藝控制，以確保在不增加額外缺陷的情況下提高產(chǎn)品產(chǎn)量，同時(shí)提高生產(chǎn)率和盈利能力。

2022-03-09 標(biāo)簽：晶圓晶片儀器 667 0

使用酸性溶液對(duì)硅晶片進(jìn)行異常各向異性蝕刻

在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過(guò)使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...

2022-03-09 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)蝕刻晶片 992 0